连续型锭生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及通过使得向预备坩埚供给的固态硅材料熔融来向主坩埚进行供给并可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的同时调节熔融状态的硅的供给量的连续型锭生长装置。锭生长装置。锭生长装置。

【技术实现步骤摘要】
连续型锭生长装置


[0001]本专利技术涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及通过使得向预备坩埚供给的固态硅材料熔融来向主坩埚进行供给并可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的同时调节熔融状态的硅的供给量的连续型锭生长装置。

技术介绍

[0002]作为半导体用单晶硅晶圆制造用锭的制造方法，通常使用丘克拉斯基(Czochralski)晶体生长法。
[0003]在丘克拉斯基晶体生长法中，在将硅放入坩埚后，通过对坩埚进行加热来使硅熔融。而且，在单晶晶种(single crystal seed)与这种熔融的硅相接触的状态下，通过旋转及向上提拉，来使具有规定直径的锭(ingot)生长。在这种丘克拉斯基法中，通过向坩埚的内部持续注入固态硅材料(多晶硅)来对所消耗的熔融状态的硅进行补充并使锭持续生长的方法为连续生长型丘克拉斯基法(CCz)。
[0004]在现有的连续生长型丘克拉斯基法中，为使固态硅材料在坩埚中直接熔融，使用了双重形态的坩埚，但这种双重形态的坩埚存在造成锭成型装置的制造成本上升的问题。
[0005]并且，虽然以直接向坩埚定量投入固态硅材料的方式供给了硅，但在以这种方式供给固态硅材料的情况下，存在熔融状态的硅在主坩埚内飞溅的问题。
[0006]另一方面，尝试了通过降低液态硅材料的投入高度来解决熔融状态的硅飞溅的问题，但随着投入液态硅材料的部分与主坩埚相邻，将产生变形，因而存在很难长时间使用的问题。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供如下的连续型锭生长装置，即，通过使得向预备坩埚供给的固态硅材料熔融来向主坩埚进行供给并可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的情况下调节熔融状态的硅的供给量。
[0008]本专利技术一实施方式的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；以及预备熔融部，包括预备坩埚和预备坩埚加热模块，上述预备坩埚用于使从上述材料供给部供给的上述固态硅材料熔融来向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅，上述预备坩埚加热模块用于对上述预备坩埚进行加热，上述预备坩埚可包括：本体，用于收容上述固态硅材料；以及尖部，以向上述主坩埚供给在上述本体内熔融的熔融状态的硅的方式设置于上述本体的一侧，用于使上述熔融状态的硅移动，在上述本体形成用于使上述熔融状态的硅向上述尖部移动的开口。
[0009]在此情况下，上述本体可包括：本体板，以能够收容上述固态硅材料的方式形成沿着高度方向向上开放的容器形状；第一分隔壁，设置于上述本体板的一侧，形成有上述开口；以及第二分隔壁，设置于上述本体板的另一侧。
[0010]在此情况下，上述开口可沿着高度方向形成于上述第一分隔壁的最下端。
[0011]在此情况下，上述预备坩埚上述预备坩埚可在第一位置与第二位置之间移动，在上述第一位置上，收容上述固态硅材料，在上述第二位置上，向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅，若上述熔融状态的硅的高度与上述开口的最上端高度相同或上述熔融状态的硅的高度大于上述开口的最上端高度，则上述预备坩埚可从上述第一位置向上述第二位置移动。
[0012]在此情况下，上述尖部可包括：移动面，以能够收容向上述主坩埚供给的上述熔融状态的硅的方式形成沿着高度方向向上开放的容器形状；以及倾斜面，形成于上述移动面的一侧，以与上述主坩埚相邻的方式沿着高度方向形成向下倾斜的倾斜角度。
[0013]在此情况下，上述移动面以使得相互相向配置的内侧面之间的间隔按规定程度减小的方式形成。
[0014]在此情况下，上述本体板以使得相互相向配置的内侧面之间的间隔按规定程度减小的方式形成。
[0015]在此情况下，收容于上述主坩埚的上述熔融状态的硅可沿着一方向旋转，上述尖部能够以沿着上述熔融状态的硅的旋转方向的切线方向供给上述熔融状态的硅的方式配置。
[0016]在此情况下，可在上述尖部形成用于使上述熔融状态的硅的移动方向发生改变的弯曲面，以便在使上述熔融状态的硅先沿着朝向上述主坩埚的中心的第一供给方向移动之后，沿着作为上述主坩埚的旋转方向的切线方向的第二供给方向移动。
[0017]在此情况下，上述第二分隔壁的厚度可大于上述尖部的厚度。
[0018]在此情况下，上述本体板的厚度和上述第一分隔壁的厚度可大于上述尖部的厚度，可在上述开口以能够使得从上述本体板向上述尖部移动的上述熔融状态的硅向下移动的方式形成倾斜角度。
[0019]本专利技术另一实施方式的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；以及预备熔融部，包括预备坩埚和预备坩埚加热模块，上述预备坩埚用于使从上述材料供给部供给的上述固态硅材料熔融来向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅，上述预备坩埚加热模块用于对上述预备坩埚进行加热，上述预备坩埚可包括：本体，用于收容上述固态硅材料；以及尖部，以向上述主坩埚供给在上述本体内熔融的熔融状态的硅的方式设置于上述本体的一侧，用于使上述熔融状态的硅移动，可在上述本体设置以能够收容上述固态硅材料的方式形成沿着高度方向向上开放的容器形状的本体板，上述本体板可形成使得相互相向配置的内侧面之间的间隔递减的形状。
[0020]在此情况下，上述本体板能够以使得相互相向配置的内侧面之间的间隔缓慢减小的方式形成。
[0021]在此情况下，上述本体板能够以使得相互相向配置的内侧面之间的间隔按规定程度减小的方式形成。
[0022]在此情况下，可在上述本体形成用于使上述熔融状态的硅向上述尖部移动的开口，上述本体可包括：第一分隔壁，设置于上述本体板的一侧，形成有上述开口；以及第二分隔壁，设置于上述本体板的另一侧。
[0023]在此情况下，可在上述尖部设置以能够收容向上述主坩埚供给的上述熔融状态的硅的方式形成沿着高度方向向上开放的容器形状的移动面。
[0024]在此情况下，上述移动面能够以使得相互相向配置的内侧面之间的间隔递减的方式形成。
[0025]在此情况下，上述移动面能够以使得相互相向配置的内侧面之间的间隔按规定程度减小的方式形成。
[0026]根据上述结构，本专利技术一实施方式的连续型锭生长装置可在使固态硅材料在预备坩埚熔融后向主坩埚供给熔融状态的硅，因此简化了主坩埚的结构，可防止熔融状态的硅的飞溅现象，尤其，由于在预备坩埚的本体形成用于使熔融状态的硅移动的开口，因而可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的同时调节熔融状态的硅的供给量。
[0027]并且，根据本专利技术一实施方式的连续型锭生长装置，在使熔融状态的硅移动的尖部的一侧，以与主坩埚相邻的方式形成具有沿着高度方向向下倾斜的倾斜角度的倾斜面，因而减少了落差，从而能够以不使熔融状态的硅飞溅的方式缓慢地进行供给。
[0028]并且，根据本专利技术一实施方式的连续型锭生长装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连续型锭生长装置，其特征在于，包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；以及预备熔融部，包括预备坩埚和预备坩埚加热模块，上述预备坩埚用于使从上述材料供给部供给的上述固态硅材料熔融来向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅，上述预备坩埚加热模块用于对上述预备坩埚进行加热，上述预备坩埚包括：本体，用于收容上述固态硅材料；以及尖部，以向上述主坩埚供给在上述本体内熔融的熔融状态的硅的方式设置于上述本体的一侧，用于使上述熔融状态的硅移动，在上述本体形成用于使上述熔融状态的硅向上述尖部移动的开口。2.根据权利要求1所述的连续型锭生长装置，其特征在于，上述本体包括：本体板，以能够收容上述固态硅材料的方式形成沿着高度方向向上开放的容器形状；第一分隔壁，设置于上述本体板的一侧，形成有上述开口；以及第二分隔壁，设置于上述本体板的另一侧。3.根据权利要求2所述的连续型锭生长装置，其特征在于，上述开口沿着高度方向形成于上述第一分隔壁的最下端。4.根据权利要求2所述的连续型锭生长装置，其特征在于，上述预备坩埚能够在第一位置与第二位置之间移动，在上述第一位置上，收容上述固态硅材料，在上述第二位置上，向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅，若上述熔融状态的硅的高度与上述开口的最上端高度相同或上述熔融状态的硅的高度大于上述开口的最上端高度，则上述预备坩埚从上述第一位置向上述第二位置移动。5.根据权利要求2所述的连续型锭生长装置，其特征在于，上述尖部包括：移动面，以能够收容向上述主坩埚供给的上述熔融状态的硅的方式形成沿着高度方向向上开放的容器形状；以及倾斜面，形成于上述移动面的一侧，以与上述主坩埚相邻的方式沿着高度方向形成向下倾斜的倾斜角度。6.根据权利要求5所述的连续型锭生长装置，其特征在于，上述移动面以使得相互相向配置的内侧面之间的间隔按规定程度减小的方式形成。7.根据权利要求6所述的连续型锭生长装置，其特征在于，上述本体板以使得相互相向配置的内侧面之间的间隔按规定程度减小的方式形成。8.根据权利要求2所述的连续型锭生长装置，其特征在于，收容于上述主坩埚的上述熔融状态的硅沿着一方向旋转，上述尖部以沿着上述熔融状态的硅的旋转方向的切线方向供给上述熔融状态的硅的方式配置。9.根据权利要求8所述的连续型锭生长装置，其特征在于，在上述尖部形成用于使上述熔融状态的硅的移动...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴镇成，李京锡，李英俊，金漌镐，全韩雄，
申请(专利权)人：韩华思路信，
类型：发明
国别省市：