针对单片机的数据标定方法、装置、存储介质和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了针对单片机的数据标定方法、装置、存储介质和电子设备，可以通过获得上位机发送的第一待标定量的flash地址和变量字节数；根据所述flash地址，计算得到所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的地址偏移量；根据所述地址偏移量和所述变量字节数，确定所述第一待标定量涉及所述flash存储器中的至少一个flash地址块；将所述flash地址块的数据复制至ram的标定存储区，并获得所述数据在所述ram的标定存储区中的ram地址，以实现对所述第一待标定量的数据进行数据标定。本发明专利技术可以在单片机没有自动地址映射功能的情况下，对其数据实现数据标定，减少对存储资源的占用。减少对存储资源的占用。减少对存储资源的占用。

【技术实现步骤摘要】
针对单片机的数据标定方法、装置、存储介质和电子设备


[0001]本专利技术涉及单片机领域，特别涉及一种针对单片机的数据标定方法、装置、存储介质和电子设备。

技术介绍

[0002]在硬件没有自动地址映射功能的单片机，其数据标定方法大多采用一一对应的映射方式对数据进行标定，即标定的时候标定量从flash复制到ram中。一般而言，flash资源比较丰富，但是ram资源比较短缺，一一对应的方式会大量占用ram存储资源。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本专利技术提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的针对单片机的数据标定方法、装置、存储介质和电子设备。
[0004]第一方面，一种针对单片机的数据标定方法，包括：
[0005]获得上位机发送的第一待标定量的flash地址和变量字节数，其中，所述flash地址为所述第一待标定量在单片机的flash存储器中的存储地址，所述变量字节数为所述第一待标定量占所述flash存储器的字节长度；
[0006]根据所述flash地址，计算得到所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的地址偏移量；
[0007]根据所述地址偏移量和所述变量字节数，确定所述第一待标定量涉及所述flash存储器中的至少一个flash地址块，其中，不同的所述flash地址块为预先根据预设的最小字节数，将所述flash存储器的flash地址进行划分得到的，每块所述flash地址块的地址均连续且每块所述flash地址块的字节长度均等于所述最小字节数，不同的所述flash地址块通过不同的flash块编号进行表征，相邻的所述flash地址块的flash块编号相邻；
[0008]将所述flash地址块的数据复制至ram的标定存储区，并获得所述数据在所述ram的标定存储区中的ram地址，以实现对所述第一待标定量的数据进行数据标定。
[0009]结合第一方面，在某些可选的实施方式中，所述根据所述flash地址，计算得到所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的地址偏移量，包括：
[0010]将所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的差作为所述地址偏移量，其中，所述地址偏移量表征所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的字节数之差。
[0011]结合第一方面，在某些可选的实施方式中，所述根据所述地址偏移量和所述变量字节数，确定所述第一待标定量涉及所述flash存储器中的至少一个flash地址块，包括：
[0012]根据所述最小字节数，对所述地址偏移量进行向上取整计算，从而得到所述第一待标定量涉及的最后一个flash地址块的第一flash块编号；
[0013]根据所述最小字节数，对所述地址偏移量进行取余计算，从而得到所述第一待标定量在所述最后一个flash地址块所占的第一字节数；
[0014]根据所述第一字节数、所述变量字节数和所述最小字节数，确定所述第一待标定
量涉及的除了所述最后一个flash地址块外的其它flash地址的flash块编号。
[0015]结合上一个实施方式，在某些可选的实施方式中，所述根据所述第一字节数、所述变量字节数和所述最小字节数，确定所述第一待标定量涉及的除了所述最后一个flash地址块外的其它flash地址的flash块编号，包括：
[0016]计算所述变量字节数与所述第一字节数之间的字节差；
[0017]将所述字节差对最小字节数进行向上取整计算，从而得到所述第一待标定量涉及的其它flash地址块的数量N，其中，所述N为不小于1的整数；
[0018]根据公式1：P
M+1
＝P1‑
M,(1≤M≤N)分别得到其它各所述flash地址的flash块编号，其中，所述P
M+1
为其它各所述flash地址的flash块编号，所述P1为所述第一flash块编号。
[0019]可选的，在某些可选的实施方式中，所述将所述flash地址块的数据复制至ram的标定存储区，并获得所述数据在所述ram的标定存储区中的ram地址，包括：
[0020]根据所述第一待标定量涉及的各所述flash地址块的flash块编号，索引至相应的各所述flash地址块并复制相应的数据至所述ram的标定存储区；
[0021]获得所述ram返回的各所述flash地址块的数据存储在所述ram的标定存储区中的ram地址，其中，一个所述flash地址块对应一个所述ram地址。
[0022]结合第一方面，在某些可选的实施方式中，所述方法还包括：
[0023]将各所述flash地址块对应的ram地址更新至预设的数组中，以便于后续根据所述数组中的ram地址从所述ram获得相应的数据，其中，所述数组中记录所述flash地址块与所述ram地址之间的对应关系。
[0024]第二方面，一种针对单片机的数据标定装置，包括：第一获得单元、偏移量计算单元、地址块确定单元和标定单元；
[0025]所述第一获得单元，用于获得上位机发送的第一待标定量的flash地址和变量字节数，其中，所述flash地址为所述第一待标定量在单片机的flash存储器中的存储地址，所述变量字节数为所述第一待标定量占所述flash存储器的字节长度；
[0026]所述偏移量计算单元，用于根据所述flash地址，计算得到所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的地址偏移量；
[0027]所述地址块确定单元，用于根据所述地址偏移量和所述变量字节数，确定所述第一待标定量涉及所述flash存储器中的至少一个flash地址块，其中，不同的所述flash地址块为预先根据预设的最小字节数，将所述flash存储器的flash地址进行划分得到的，每块所述flash地址块的地址均连续且每块所述flash地址块的字节长度均等于所述最小字节数，不同的所述flash地址块通过不同的flash块编号进行表征，相邻的所述flash地址块的flash块编号相邻；
[0028]所述标定单元，用于将所述flash地址块的数据复制至ram的标定存储区，并获得所述数据存储在所述ram的标定存储区中的ram地址，以实现对所述第一待标定量的数据进行数据标定。
[0029]结合第二面，在某些可选的实施方式中，所述偏移量计算单元，包括：偏移量计算子单元；
[0030]所述偏移量计算子单元，用于将所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间
的差作为所述地址偏移量，其中，所述地址偏移量表征所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的字节数之差。
[0031]第三方面，一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，所述程序被处理器执行时实现上述任一项所述的针对单片机的数据标定方法。
[0032]第四方面，一种电子设备，所述电子设备包括至少一个处理器、以及与所述处理器连接的至少一个存储器、总线；其中，所述处理器、所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种针对单片机的数据标定方法，其特征在于，包括：获得上位机发送的第一待标定量的flash地址和变量字节数，其中，所述flash地址为所述第一待标定量在单片机的flash存储器中的存储地址，所述变量字节数为所述第一待标定量占所述flash存储器的字节长度；根据所述flash地址，计算得到所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的地址偏移量；根据所述地址偏移量和所述变量字节数，确定所述第一待标定量涉及所述flash存储器中的至少一个flash地址块，其中，不同的所述flash地址块为预先根据预设的最小字节数，将所述flash存储器的flash地址进行划分得到的，每块所述flash地址块的地址均连续且每块所述flash地址块的字节长度均等于所述最小字节数，不同的所述flash地址块通过不同的flash块编号进行表征，相邻的所述flash地址块的flash块编号相邻；将所述flash地址块的数据复制至ram的标定存储区，并获得所述数据在所述ram的标定存储区中的ram地址，以实现对所述第一待标定量的数据进行数据标定。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述flash地址，计算得到所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的地址偏移量，包括：将所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的差作为所述地址偏移量，其中，所述地址偏移量表征所述flash地址与所述flash存储器的基地址之间的字节数之差。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述地址偏移量和所述变量字节数，确定所述第一待标定量涉及所述flash存储器中的至少一个flash地址块，包括：根据所述最小字节数，对所述地址偏移量进行向上取整计算，从而得到所述第一待标定量涉及的最后一个flash地址块的第一flash块编号；根据所述最小字节数，对所述地址偏移量进行取余计算，从而得到所述第一待标定量在所述最后一个flash地址块所占的第一字节数；根据所述第一字节数、所述变量字节数和所述最小字节数，确定所述第一待标定量涉及的除了所述最后一个flash地址块外的其它flash地址的flash块编号。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一字节数、所述变量字节数和所述最小字节数，确定所述第一待标定量涉及的除了所述最后一个flash地址块外的其它flash地址的flash块编号，包括：计算所述变量字节数与所述第一字节数之间的字节差；将所述字节差对最小字节数进行向上取整计算，从而得到所述第一待标定量涉及的其它flash地址块的数量N，其中，所述N为不小于1的整数；根据公式1：P
M+1
＝P1‑
M,(1≤M≤N)分别得到其它各所述flash地址的flash块编号，其中，所述P
M+1
为其它各所述flash地址的flash块编号，所述P1为所述第一flash块编号。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李富民，陈娜娜，徐龙增，马彦，徐淑琳，
申请(专利权)人：潍坊潍柴动力科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：