一种高压CSP灯珠封装结构及其制作工艺制造技术

本申请提供一种高压CSP灯珠封装结构及其制作工艺，包括多个间隔排布的LED芯片、间隔设于LED芯片电极周侧的金属层以及用于封装LED芯片和金属层的荧光胶层，多LED芯片的设计可以使本方案产品贴于基板后，形成高压CSP，能均匀的将电流扩散开，实现直接高压驱动，适用性更广，而通过在LED芯片电极侧间隔设置金属层，可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。多次回流焊的复杂工艺。多次回流焊的复杂工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种高压CSP灯珠封装结构及其制作工艺


[0001]本申请属LED灯珠封装
，具体涉及一种高压CSP灯珠封装结构及其制作工艺。

技术介绍

[0002]CSP(Chip Scale Package)LED以其可靠性高、体积小而备受关注及青睐。常见的CSP结构一般有两种结构，如图2所示的结构一：包括LED芯片1、荧光胶层4；如图3所示的结构二：包括支架5、固晶焊料、LED芯片1、荧光胶层4。
[0003]图2结构一的CSP比较明显的缺点是焊盘较小，CSP的有效焊接面积较小、附着力较小，后端产品的可靠性及生产良率较低。图3结构二的CSP的有效焊接面积较大，但其使用固晶焊料将LED芯片1的电极和支架5进行电连接，但其比较明显的缺点是后段的工艺温度不能接近或超过固晶焊料的温度，否则会产生固晶焊料二次熔融的问题。
[0004]此外，上述的两种CSP封装结构均采用单个LED芯片的形式发光，此设置不能适应高压环境使用，适用性差，发光效率一般，不能满足使用需求。

技术实现思路

[0005]本专利技术的第一个目的是为了解决传统CSP结构焊盘较小、容易出现二次熔融以及不适应高压环境使用的技术问题，提供了一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺。
[0006]本专利技术的第二个目的是提供一种解决上述问题的高压CSP灯珠封装结构。
[0007]本申请采用如下方案，一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，包括以下步骤：
[0008]在金属基材上制作出预设金属形状，以形成金属层；
[0009]将金属层设置于承载膜上；
[0010]在承载膜上间隔排列多个LED芯片，并使多个LED芯片的电极分别与对应的金属层之间形成间距；
[0011]将荧光胶膜从多个LED芯片的正上方压下，使荧光胶包覆多个LED芯片和金属层以形成荧光胶层，并使LED芯片的电极底部表面和金属层底部表面裸露；
[0012]将至少两个LED芯片按预设排布切割成单个CSP灯珠，即得。
[0013]如上所述的一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，相邻两个所述LED芯片所对应的两组所述金属层之间存在间隔或连接为一体。
[0014]如上所述的一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤“在承载膜上间隔排列多个LED芯片”之后，还需通过点胶、膜压或注塑工艺在LED芯片周侧围设挡墙。
[0015]如上所述的一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，所述电极与所述金属层之间的间距大于0.5微米、小于80微米，所述金属层与所述电极之间的间距由所述荧光胶层填充。
[0016]如上所述的一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，LED芯片的电极包括间隔设置的第一电极和第二电极；
[0017]预设金属形状包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且第一金属层间隔设于第一电极周侧，第二金属层间隔设于第二电极周侧。
[0018]如上所述的一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤“在金属基材上制作出预设金属形状”是通过蚀刻工艺、激光切割工艺、模具冲压工艺或镀膜工艺在金属基材上制作出预设的金属形状。
[0019]如上所述的一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，多个所述LED芯片的排布方式为直线形、长方形、正方形、回字形、三角形或梯形。
[0020]一种高压CSP灯珠封装结构，包括多个间隔排布的LED芯片，多个所述LED芯片底部均设置有电极，且每一所述电极周侧均间隔设置有金属层，所述电极包括间隔设置的第一电极和第二电极，所述金属层包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧；
[0021]还包括用于封装多个所述LED芯片和所述金属层的荧光胶层，荧光胶层填充所述金属层与所述电极之间的间距，并使所述电极底部表面和所述金属层底部表面裸露。
[0022]如上所述的一种高压CSP灯珠封装结构，相邻两个所述LED芯片之间的两组所述金属层之间连接为一体或存在间隔。
[0023]如上所述的一种高压CSP灯珠封装结构，每一所述LED芯片周侧均围设有用于反射光线的挡墙，所述的挡墙的材质为PPA、PCT、环氧树脂、硅胶、有机硅橡胶、二氧化钛中的任一种。
[0024]与现有技术相比，本申请的有益效果如下：
[0025]本申请提供一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，先在金属基材上制作出预设金属图案以形成金属层，将金属层设置于承载膜后，在承载膜上间隔排列多个LED芯片，使多个LED芯片的电极分别与对应的金属层之间形成间距，然后使用荧光胶封装多个LED芯片和金属层，最后将至少两个LED芯片按预设排布切割成单个CSP灯珠，本申请多LED芯片的设计可以使本方案产品贴于基板后，形成高压CSP，能均匀的将电流扩散开，实现直接高压驱动，适用性更广，而通过在LED芯片电极侧间隔设置金属层，可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
[0026]本申请提供一种高压CSP灯珠封装结构，包括多个间隔排布的LED芯片、间隔设于LED芯片电极周侧的金属层以及用于封装LED芯片和金属层的荧光胶层，多LED芯片的设计可以使本方案产品贴于基板后，形成高压CSP，能均匀的将电流扩散开，实现直接高压驱动，适用性更广，而通过在LED芯片电极侧间隔设置金属层，可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0028]图1是本申请实施例1一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺流程示意图。
[0029]图2是现有CSP结构一的结构示意图。
[0030]图3是现有CSP结构二的结构示意图。
[0031]图4是本申请实施例1中一种高压CSP灯珠封装结构的结构示意图。
[0032]图5是本申请实施例1中步骤“在金属基材上制作出预设金属形状”的结构示意图。
[0033]图6是本申请实施例1中步骤“将金属层设置于承载膜上”的结构示意图。
[0034]图7是本申请实施例1中步骤“在承载膜上排列LED芯片”示意图。
[0035]图8是本申请实施例1中步骤“在多个LED芯片上设置荧光胶层”的结构示意图。
[0036]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：在金属基材上制作出预设金属形状，以形成金属层(2)；将金属层(2)设置于承载膜(5)上；在承载膜(5)上间隔排列多个LED芯片(1)，并使多个LED芯片(1)的电极(10)分别与对应的金属层(2)之间形成间距；将荧光胶膜从多个LED芯片(1)的正上方压下，使荧光胶包覆多个LED芯片(1)和金属层(2)以形成荧光胶层(4)，并使LED芯片(1)的电极(10)底部表面和金属层(2)底部表面裸露；将至少两个LED芯片(1)按预设排布切割成单个CSP灯珠，即得。2.根据权利要求1所述的一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：相邻两个所述LED芯片(1)所对应的两组所述金属层(2)之间存在间隔或连接为一体。3.根据权利要求1所述的一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤“在承载膜(5)上间隔排列多个LED芯片(1)”之后，还需通过点胶、膜压或注塑工艺在LED芯片(1)周侧围设挡墙(3)。4.根据权利要求1所述的一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：所述电极(10)与所述金属层(2)之间的间距大于0.5微米、小于80微米，所述金属层(2)与所述电极(10)之间的间距由所述荧光胶层(4)填充。5.根据权利要求1所述的一种高压CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：LED芯片(1)的电极(10)包括间隔设置的第一电极(101)和第二电极(102)；预设金属形状包括间隔设置的第一金属层(201)和第二金属层(202)，且第一金属层(201)间隔设于第一电极(101)周侧，第二金属层(202)间...

【专利技术属性】
技术研发人员：皮保清，王洪贯，罗德伟，石红丽，
申请(专利权)人：中山市木林森电子有限公司，
类型：发明
国别省市：