一种镀膜工艺制造技术

本申请提供一种镀膜工艺，属于太阳能电池领域。镀膜工艺包括：在进舟后，依次进行升温处理、第一次抽真空处理、检漏处理、第二次抽真空处理、恒压处理以及镀膜处理；其中，在进舟步骤之后且升温处理步骤之前，不进行充氮处理。该镀膜工艺减少镀膜中高频出现的次数，从而能提高产能并降低产品不良率。高产能并降低产品不良率。高产能并降低产品不良率。

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜工艺


[0001]本申请涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种镀膜工艺。

技术介绍

[0002]硅片作为光伏发电最主要的原料之一，是太阳能电池加工成本中最昂贵的部分，因此降低硅片的成本是降低光伏发电成本最有效的方法之一。目前，降低硅片成本最有效的方法就是硅片薄片化。然而，硅片做薄之后，相应地对太阳能电池制程有更高的要求。
[0003]镀膜作为太阳能电池生产过程中的一道工序，在镀膜过程中需要把硅片插进石墨舟，然后通过射频放电在硅片表面镀上一层氮化硅薄膜，在镀膜过程中，需要在较高的温度条件下进行，同时需要进行射频放电。
[0004]在目前的镀膜工艺中，容易出现高频，在出现高频时，需要重新进行镀膜，导致产能受到影响，并使得产品不良率升高。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种镀膜工艺，能减少镀膜中高频出现的次数，从而能提高产能并降低产品不良率。
[0006]本申请的实施例是这样实现的：
[0007]本申请实施例提供一种镀膜工艺，包括：
[0008]在进舟后，依次进行升温处理、第一次抽真空处理、检漏处理、第二次抽真空处理、恒压处理以及镀膜处理；
[0009]其中，在进舟步骤之后且升温处理步骤之前，不进行充氮处理。
[0010]本申请实施例提供的镀膜工艺，有益效果包括：
[0011]在进舟后，直接进行升温处理然后进行抽真空，使得硅片和石墨舟能够较好地贴合，在后续的镀膜工艺中，能减少镀膜中高频出现的次数，从而能提高产能并降低产品不良率。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0013]图1为本申请一些实施例提供的镀膜工艺的工艺流程图；
[0014]图2为本申请对比例1提供的镀膜工艺的工艺流程图；
[0015]图3为试验例1中不同月份中不同镀膜工艺下每天出现高频的次数以及产品的不良比例的统计图。
具体实施方式
[0016]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0017]需要说明的是，在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”、“多项”中的“多”的含义是指数量在2及2以上；“数值a～数值b”的范围包括两端值“a”和“b”，“数值a～数值b+计量单位”中的“计量单位”代表“数值a”和“数值b”二者的“计量单位”。
[0018]下面对本申请实施例的镀膜工艺进行具体说明。
[0019]专利技术人研究发现，在目前的镀膜工艺中，硅片在镀膜处理时易碎，而碎片的产生会导致高频，因此，需要停止镀膜处理并清理碎片，然后重新进行镀膜处理。
[0020]专利技术人还研究发现，在目前的镀膜工艺中，考虑到镀膜工艺需要在较高温度下进行射频放电，为了防止空气中氧气等对镀膜工艺造成影响，通常在进舟后，先进行抽真空处理，然后通入氮气进行气氛处理，然后在氮气气氛条件下进行升温处理，再进行后续的抽真空处理、检漏处理和镀膜处理等步骤。而在通入氮气的过程中，氮气会对硅片造成扰动，导致在升温处理后硅片不能很好地和石墨舟贴合，并最终导致在后续的镀膜工艺中硅片易碎。
[0021]基于上述考虑，专利技术人进一步地研究发现，在镀膜工艺中，镀膜腔本身就是高压且富氮的环境，在进舟后，即使不先进行抽真空处理和通入氮气，而是直接进行升温处理，对后续的硅片镀膜效果也基本没有影响。因此，提出一种镀膜工艺中，在进舟后，不先进行抽真空处理和通入氮气，而是直接进行升温处理，有效缓解硅片在镀膜工艺中易碎的现象，能减少镀膜中高频出现的次数，从而能提高产能并降低产品不良率。
[0022]本申请实施例提供一种镀膜工艺，包括：在进舟后，依次进行升温处理、第一次抽真空处理、检漏处理、第二次抽真空处理、恒压处理以及镀膜处理；其中，在进舟步骤之后且升温处理步骤之前，不进行充氮处理。
[0023]也就是说，在本申请的实施例中，在进舟后，不进行充氮处理，直接进行升温处理。
[0024]本申请提供的镀膜工艺，在进舟后，直接进行升温处理，能够避免因通入氮气对硅片造成扰动，使得在完成升温处理并进行第一次抽真空处理后，硅片和石墨舟能够较好地贴合。在后续的镀膜工艺中，由于硅片和石墨舟贴合较好，能够有效缓解硅片在镀膜工艺中易碎的现象，能减少镀膜中高频出现的次数，从而能提高产能并降低产品不良率。
[0025]专利技术人还研究发现，在目前的镀膜工艺中，升温过程是在通入了氮气的环境下进行的，而目前通入氮气的步骤中氮气的充入量通常只能达到充满状态的60～80％，也就是说，在通入氮气后氮气处理未充满的状态，使得镀膜腔内的空气分布不均匀，从而会导致升温处理过程中加热的均匀性受到影响。
[0026]本申请提供的镀膜工艺，在进舟后，直接进行升温处理。和通入氮气后进行升温处理的工艺相比，如果需要升温后达到相当的温度和温度均匀性，则本申请的升温处理的耗时更少；如果采用相当的升温时间，则本申请升温处理后能够达到更好的温度均匀性，有利于后续有更好的镀膜效果。也就是说，和通入氮气后进行升温处理的工艺相比，如果需要达到相当的镀膜效果，则本申请耗时更少，有利于进一步提高产能；如果需要保持相当的产
能，则本申请镀膜效果更好，有利于提高镀膜后产品的性能。
[0027]考虑到在升温处理步骤中，合适的升温处理条件有利于保证后续镀膜处理的效果，使得镀膜后的硅片的厚度和折射率的不均匀性保持在较低的水平。因此，以下内容对升温处理步骤中的升温处理条件作出了一些示例性的选择。其中，升温处理条件包括加热温度、加热时间和加热方式。
[0028]关于加热温度：
[0029]在一些示例的实施例中，在升温处理步骤中，加热温度为450～550℃，或为460～540℃，或为470～540℃，或为480～540℃，或为490～540℃。
[0030]在升温处理步骤中，按照上述标准控制加热温度，保证有合适的加热速度，并保证后续的镀膜处理工艺中有合适的处理温度。
[0031]关于加热时间：
[0032]在一些示例的实施例中，在升温处理步骤中，加热时间≥700s。
[0033]升温处理步骤中，随着加热时间的增加，温度会逐渐上升；当温度升高到一定后，温度将不再逐渐升高，而是逐渐变得更均匀。
[0034]加热时间过短，则会导致升温处理步骤达到的温度偏低或者温度均匀性较差。加热时间越长，越有利于达到合适的温度并使温度具有较好的均匀性。
[0035]在本申请的实施例中，按照上述加热温度标准进行加热，加热700s就本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜工艺，其特征在于，包括：在进舟后，依次进行升温处理、第一次抽真空处理、检漏处理、第二次抽真空处理、恒压处理以及镀膜处理；其中，在所述进舟步骤之后且所述升温处理步骤之前，不进行充氮处理。2.根据权利要求1所述的镀膜工艺，其特征在于，在所述升温处理步骤中，加热温度为450～550℃。3.根据权利要求2所述的镀膜工艺，其特征在于，在所述升温处理步骤中，加热时间≥700s。4.根据权利要求3所述的镀膜工艺，其特征在于，在所述升温处理步骤中，加热时间为700～800s。5.根据权利要求2所述的镀膜工艺，其特征在于，在所述升温处理步骤中，镀膜腔分为沿预设方向排列的多个温区，所述预设方向为镀膜气体的通入方向；沿所述预设方向，所述多个温区的加热温度逐渐降低。6.根据权利要求5所述的镀膜工艺，其特征在于，在所述升温处理步骤中，所述多个温区分为沿所述预设方向依...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文国，周辉文，刘超，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：