真空蒸镀装置以及蒸发源的冷却方法制造方法及图纸

真空蒸镀装置以及蒸发源的冷却方法，能够在短时间内使蒸镀后的蒸发源成为能够进行大气开放的温度，缩短装置的调试时间，提高生产效率。一种真空蒸镀装置，其在真空槽内具有使成膜材料蒸发的蒸发源，通过从设置于蒸发源的蒸发口部射出蒸发的成膜材料，在基板上形成蒸镀膜，该真空蒸镀装置具有隔热容器体，该隔热容器体容纳蒸发源和对该蒸发源进行加热的加热部，并隔绝来自蒸发源和加热部的热量，具有向隔热容器体与蒸发源之间的空间中导入制冷剂气体的制冷剂气体导入机构，制冷剂气体导入机构由设置于隔热容器体的制冷剂气体导入孔和连接于制冷剂气体导入孔的入口侧并用于从真空槽的外部向制冷剂气体导入孔输出制冷剂气体的制冷剂气体配管构成。气体的制冷剂气体配管构成。气体的制冷剂气体配管构成。

【技术实现步骤摘要】
真空蒸镀装置以及蒸发源的冷却方法
[0001]本申请是原案申请号为201710286860.X的专利技术专利申请(申请日：2017年4月27日，专利技术名称：真空蒸镀装置以及蒸发源的冷却方法)的分案申请。


[0002]本专利技术涉及真空蒸镀装置以及蒸发源的冷却方法。

技术介绍

[0003]在蒸发源与基板呈对置状态设置于成膜室内的真空蒸镀装置中，蒸镀后的成膜材料的补充作业、设备的维护作业需要在将被加热的蒸发源冷却到例如100℃左右并将真空槽向大气开放后进行。
[0004]但是，如果仅通过停止蒸发源的加热并放置在真空环境内的自然冷却，要将蒸发源冷却到100℃左右有时需要几个小时到十几个小时。因此，例如在专利文献1所公开的那样，通过在设置于对蒸发源进行加热的加热部的周围的反射器(反射板)上设置制冷剂配管而使制冷剂气体等进行循环，从而利用反射器的冷却间接地提高蒸发源的冷却效率，或者，将对加热部自身进行冷却的制冷剂配管设置到加热部等，进行各种用于缩短冷却时间的研究。
[0005]另外，在专利文献1中，公开了在蒸发源的冷却中向成膜室内导入惰性气体来促进冷却，但却未给出任何具体地在何处如何导入惰性气体的启示。
[0006]专利文献1：日本特开2012
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207238号公报

技术实现思路

[0007]本专利技术鉴于上述的现状，是为了进一步缩短蒸发源的冷却时间而完成的，提供一种真空蒸镀装置以及蒸发源的冷却方法，通过利用制冷剂气体直接对蒸发源进行冷却而使蒸镀后的蒸发源能够在短时间内成为可以进行大气开放的温度，缩短装置的调试时间，从而能够使生产效率得到提高。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]本专利技术提供一种真空蒸镀装置，其在真空槽内具有收纳成膜材料的蒸发源，该蒸发源具有朝向铅直方向的上方射出成膜材料的蒸发口部，该真空蒸镀装置在与所述蒸发口部对置的基板上形成蒸镀膜，其特征在于，该真空蒸镀装置具有：加热部，其对所述蒸发源进行加热；隔热容器体，该隔热容器体容纳所述蒸发源和所述加热部，设有用于从所述蒸发口部射出成膜材料的开口部以及用于使制冷剂气体去往所述蒸发源的制冷剂气体导入孔；以及制冷剂气体供给部，其从所述制冷剂气体导入孔向所述隔热容器体与所述蒸发源之间的空间供给制冷剂气体，所述制冷剂气体导入孔设置于所述隔热容器体的下侧，所述开口部设置于所述隔热容器体的上侧且直径大于所述蒸发口部的外径，从所述制冷剂气体导入孔导入到所述空间的制冷剂气体通过所述开口部从所述蒸发口部的周围排出到所述隔热容器体的外部，在所述隔热容器体的与所述蒸发源对置的内侧面侧，设置有提高红外区域
的辐射率的吸热面部，在从停止了所述加热部进行的加热起至所述蒸发源的温度降低到不与所述制冷剂气体反应的温度为止的期间中，所述制冷剂气体供给部不进行所述制冷剂气体的供给，由此利用所述吸热面部通过辐射进行冷却，在经过所述期间后，所述制冷剂气体供给部开始所述制冷剂气体的供给而进行冷却。
[0010]本专利技术提供另一种真空蒸镀装置，其在真空槽内具有蒸发源，该蒸发源具有收纳成膜材料的收纳部和使蒸发的所述成膜材料扩散的扩散部，所述扩散部设有朝向铅直方向的上方射出成膜材料的蒸发口部，该真空蒸镀装置在与所述蒸发口部对置的基板上形成蒸镀膜，其特征在于，该真空蒸镀装置具有：加热部，其对所述蒸发源进行加热；隔热容器体，该隔热容器体容纳所述蒸发源和所述加热部，设有用于从所述蒸发口部射出成膜材料的开口部以及用于使制冷剂气体去往所述蒸发源的制冷剂气体导入孔；以及制冷剂气体供给部，其从所述制冷剂气体导入孔向所述隔热容器体与所述蒸发源之间的空间供给制冷剂气体，所述制冷剂气体导入孔设置于所述隔热容器体的下侧，所述开口部设置于所述隔热容器体的上侧且直径大于所述蒸发口部的外径，从所述制冷剂气体导入孔导入到所述空间的制冷剂气体通过所述开口部从所述蒸发口部的周围排出到所述隔热容器体的外部，在所述隔热容器体的与所述蒸发源对置的内侧面侧，设置有提高红外区域的辐射率的吸热面部，在从停止了所述加热部进行的加热起至所述蒸发源的温度降低到不与所述制冷剂气体反应的温度为止的期间中，所述制冷剂气体供给部不进行所述制冷剂气体的供给，由此利用所述吸热面部通过辐射进行冷却，在经过所述期间后，所述制冷剂气体供给部开始所述制冷剂气体的供给而进行冷却。
[0011]本专利技术提供一种蒸发源的冷却方法，其是真空蒸镀装置的蒸发源的冷却方法，该真空蒸镀装置具有配备在真空槽内且收纳成膜材料的蒸发源，该蒸发源具有朝向铅直方向的上方射出成膜材料的蒸发口部，并且该真空蒸镀装置具有：加热部，其对所述蒸发源进行加热；隔热容器体，该隔热容器体容纳所述蒸发源和所述加热部，设有直径大于所述蒸发口部的外径并且用于从所述蒸发口部射出成膜材料的开口部以及用于使制冷剂气体去往所述蒸发源的制冷剂气体导入孔，在所述隔热容器体的与所述蒸发源对置的内侧面侧，设置有提高红外区域的辐射率的吸热面部，该真空蒸镀装置在与所述蒸发源对置的基板上形成蒸镀膜，其特征在于，该蒸发源的冷却方法具有：将制冷剂气体从设置于所述隔热容器体的下侧的所述制冷剂气体导入孔导入到所述隔热容器体与所述蒸发源之间的空间的制冷剂气体导入工序；制冷剂气体通过设置于所述隔热容器体的上侧的所述开口部从所述蒸发口部的周围排出到所述隔热容器体的外部的工序；在从停止了所述加热部进行的加热起至所述蒸发源的温度降低到不与所述制冷剂气体反应的温度为止的期间中，不进行所述制冷剂气体导入工序对所述制冷剂气体的供给，由此利用所述吸热面部通过辐射进行冷却的第一冷却工序；以及在所述第一冷却工序后，开始所述制冷剂气体导入工序对所述制冷剂气体的供给而进行冷却的第二冷却工序。
[0012]本专利技术提供另一种蒸发源的冷却方法，其是真空蒸镀装置的蒸发源的冷却方法，该真空蒸镀装置具有配备在真空槽内的所述蒸发源，该蒸发源具有收纳成膜材料的收纳部和使蒸发的成膜材料扩散的扩散部，所述扩散部设有朝向铅直方向的上方射出成膜材料的蒸发口部，并且该真空蒸镀装置具有：加热部，其对所述蒸发源进行加热；隔热容器体，该隔热容器体容纳所述蒸发源和所述加热部，设有直径大于所述蒸发口部的外径并且用于从所
述蒸发口部射出成膜材料的开口部以及用于使制冷剂气体去往所述蒸发源的制冷剂气体导入孔，在所述隔热容器体的与所述蒸发源对置的内侧面侧，设置有提高红外区域的辐射率的吸热面部，该真空蒸镀装置在与所述蒸发口部对置的基板上形成蒸镀膜，其特征在于，该蒸发源的冷却方法具有：将制冷剂气体从设置于所述隔热容器体的下侧的所述制冷剂气体导入孔导入到所述隔热容器体与所述蒸发源之间的空间的制冷剂气体导入工序；制冷剂气体通过设置于所述隔热容器体的上侧的所述开口部从所述蒸发口部的周围排出到所述隔热容器体的外部的工序；在从停止了所述加热部进行的加热起至所述蒸发源的温度降低到不与所述制冷剂气体反应的温度为止的期间中，不进行所述制冷剂气体导入工序对所述制冷剂气体的供给，由此利用所述吸热面部通过辐射进行冷却的第一冷却工序；以及在所述第一冷却工序后，开始所述制冷剂气体导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空蒸镀装置，其在真空槽内具有收纳成膜材料的蒸发源，该蒸发源具有朝向铅直方向的上方射出成膜材料的蒸发口部，该真空蒸镀装置在与所述蒸发口部对置的基板上形成蒸镀膜，其特征在于，该真空蒸镀装置具有：加热部，其对所述蒸发源进行加热；隔热容器体，该隔热容器体容纳所述蒸发源和所述加热部，设有用于从所述蒸发口部射出成膜材料的开口部以及用于使制冷剂气体去往所述蒸发源的制冷剂气体导入孔；以及制冷剂气体供给部，其从所述制冷剂气体导入孔向所述隔热容器体与所述蒸发源之间的空间供给制冷剂气体，所述制冷剂气体导入孔设置于所述隔热容器体的下侧，所述开口部设置于所述隔热容器体的上侧且直径大于所述蒸发口部的外径，从所述制冷剂气体导入孔导入到所述空间的制冷剂气体通过所述开口部从所述蒸发口部的周围排出到所述隔热容器体的外部，在所述隔热容器体的与所述蒸发源对置的内侧面侧，设置有提高红外区域的辐射率的吸热面部，在从停止了所述加热部进行的加热起至所述蒸发源的温度降低到不与所述制冷剂气体反应的温度为止的期间中，所述制冷剂气体供给部不进行所述制冷剂气体的供给，由此利用所述吸热面部通过辐射进行冷却，在经过所述期间后，所述制冷剂气体供给部开始所述制冷剂气体的供给而进行冷却。2.一种真空蒸镀装置，其在真空槽内具有蒸发源，该蒸发源具有收纳成膜材料的收纳部和使蒸发的所述成膜材料扩散的扩散部，所述扩散部设有朝向铅直方向的上方射出成膜材料的蒸发口部，该真空蒸镀装置在与所述蒸发口部对置的基板上形成蒸镀膜，其特征在于，该真空蒸镀装置具有：加热部，其对所述蒸发源进行加热；隔热容器体，该隔热容器体容纳所述蒸发源和所述加热部，设有用于从所述蒸发口部射出成膜材料的开口部以及用于使制冷剂气体去往所述蒸发源的制冷剂气体导入孔；以及制冷剂气体供给部，其从所述制冷剂气体导入孔向所述隔热容器体与所述蒸发源之间的空间供给制冷剂气体，所述制冷剂气体导入孔设置于所述隔热容器体的下侧，所述开口部设置于所述隔热容器体的上侧且直径大于所述蒸发口部的外径，从所述制冷剂气体导入孔导入到所述空间的制冷剂气体通过所述开口部从所述蒸发口部的周围排出到所述隔热容器体的外部，在所述隔热容器体的与所述蒸发源对置的内侧面侧，设置有提高红外区域的辐射率的吸热面部，在从停止了所述加热部进行的加热起至所述蒸发源的温度降低到不与所述制冷剂气体反应的温度为止的期间中，所述制冷剂气体供给部不进行所述制冷剂气体的供给，由此利用所述吸热面部通过辐射进行冷却，在经过所述期间后，所述制冷剂气体供给部开始所述制冷剂气体的供给而进行冷却。3.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述制冷剂气体导入孔设置于其出口侧与所述蒸发源的收纳所述成膜材料的收纳部面对的位置。4.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述制冷剂气体导入孔设置于用于使所述蒸发口部露出的开口部的相反侧位置。5.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述吸热面部设置于与所述蒸发源的收纳所述成膜材料的收纳部面对的位置。6.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，在所述吸热面部上形成有多个具有深度的1/2以下的直径的盲孔或者贯穿孔。7.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述吸热面部的与所述蒸发源对置的对置面是提高红外区域的辐射率的镀层、喷涂层或氧化覆膜，或者是规定粗糙度的凹凸面。8.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，在所述加热部设置有制冷剂循环路径，构成为制冷剂在该制冷剂循环路径中循环。9.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，在所述隔热容器体的与所述蒸发源的使蒸发的所述成膜材料扩散的扩散部面对的位置，设置有降低红外区域的辐射率的保温板部。10.根据权利要求9所述的真空...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边一弘，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：