【技术实现步骤摘要】
电屏蔽连接器
本专利技术涉及到一种电屏蔽连接器,尤其是一种适用于接口测试设备的电屏蔽连接器。特别地,公开了一种提供良好的导电性和均匀的阻抗的电屏蔽连接器。
技术介绍
为了确定半导体装置是否具有制造缺陷,对这些装置进行测试。通常,具有测试头的自动测试系统用来将适当的信号传送给测试中的装置(DUT)并接收来自该装置的信号。取决于制造周期的进程,装置处理器或晶片探测器可以用于自动地按顺序把每个装置放置到待测试的位置。测试头和晶片探测器或装置处理器对接在一起,并且提供接口单元来在DUT和测试头之间传送信号。在进行这种的测试的过程中,测试头通常既传送又接收具有低信号电平和高频率的信号。此外,由于测试中的装置复杂性的增加,测试头和DUT之间的信号连接的密度也随之增加。所以,需要提供一种能为测试头和装置处理器之间流动的信号提供足够屏蔽的结构。在现有技术中公知许多在测试头和装置处理器之间提供屏蔽的装置。美国专利号6037787(Corwith)公开了一种由多个金属管形成的探测接口。这些管置于绝缘夹持器之间。此外,美国专利号4724180公开了一种其中形成有通道的接口装置,且整个装置被镍涂覆层所涂覆。希望将导电结构(例如pogo插脚结构)插入在各个专利所公开的通道中。但是,对于特定的导电结构,还希望其不和导电层接触,所以,需要执行额外的制造步骤。特别地,可能需要围绕导电结构的绝缘层(或垫片)来防止导电结构与通道内的导电元件形成接触。
技术实现思路
-->一种电屏蔽连接器,包括:主体,该主体至少部分地被导电材料所覆盖,并具有至少两个在主体的相对端之间延伸的通道;和安置在通道中的 ...
【技术保护点】
一种电屏蔽连接器,包括:主体,该主体至少部分地被导电材料覆盖并具有至少两个通道,所述的至少两个通道中的每一个在所述主体的相对端之间延伸;多个置于所述通道内的导电结构;所述通道中的至少一个至少部分地被导电材料覆盖;所述通道中的 至少另一个是不导电的;所述导电材料覆盖所述主体的外表面,且远离所述导电结构中的一个而分隔开以便在其间产生电隔离;一个或多个不导电材料区域从所述通道中的另一个内的所述导电结构延伸到覆盖所述主体的所述外表面的所述导电材料。
【技术特征摘要】
US 2000-6-19 60/212,3961.一种电屏蔽连接器,包括:主体,该主体至少部分地被导电材料覆盖并具有至少两个通道,所述的至少两个通道中的每一个在所述主体的相对端之间延伸;多个置于所述通道内的导电结构;所述通道中的至少一个至少部分地被导电材料覆盖;所述通道中的至少另一个是不导电的;所述导电材料覆盖所述主体的外表面,且远离所述导电结构中的一个而分隔开以便在其间产生电隔离;一个或多个不导电材料区域从所述通道中的另一个内的所述导电结构延伸到覆盖所述主体的所述外表面的所述导电材料。2.如权利要求1所述的电屏蔽连接器,其中,所述多个导电结构包括一个连续的导电结构,该结构具有在其两端伸出的触点。3.如权利要求1所述的电屏蔽连接器,其中,所述多个导电结构包括一个部分导电结构,该结构具有仅在其一端伸出的触点。4.如权利要求1所述的电屏蔽连接器,其中,所述台阶肩台形成在所述主体内。5.如权利要求1所述的电屏蔽连接器,其中,所述导电材料遍及至少被导电材料部分地覆盖的所有所述通道中延伸。6.如权利要求1所述的电屏蔽连接器,其中,所述导电结构延伸出所述主体之外。7.如权利要求1所述的电屏蔽连接器,其中,所述的所述通道中的另一个的一端作有沉孔。8.如权利要求1所述的电屏蔽连接器,其中,所述导电材料与在所述通道的所述另一个内的所述导电结构的所述一个隔开。9.如权利要求1所述的电屏蔽连接器,其中,所述导电结构中的一个包括一个或多个pogo插脚结构。10.如权利要求1所述的电屏蔽连接器,其中,至少一个所述通道限定了围绕所述导电结构的区域。11.如权利要求10所述的电屏蔽连接器,其中,间隔元件置于在所述区-->域的至少一部分内的所述通道内,并与所述导电结构的所述一个接触。12.一种制造连接器的方法,所述方法包括以下步骤:提供具有多个不导电通道的主体;将所述通道中的一个堵塞,且保持所述通道中的另一个开放;将所述主体暴露于导电材料,从而所述开放通道至少部分地被所述导电材料覆盖,并且所述导电材料被排除在所述堵塞的通道之外;将导电结构插入每一个所述的通道。13.如权利要求12所述的制造连接器的方法,其中,所述将所述主体暴露于导电材料的步骤用所述导电材料覆盖所述主体的外表面。14.如权利要求12所述的制造连接器的方法,其中,所述提供所述主体的步骤包括模制所述主体的步骤。15.如权利要求12所述的制造连接器的方法,还包括将所述通道中的一个的一端加工沉孔的步骤。16.如权利要求12所述的制造连接器的方法,其中,所述将所述主体暴露于导电材料的步骤防止所述材料在所述主体的所述外表面和位于所述通道中的所述堵塞的通道内的那个所述导电结构之间形成电连接。17.如权利要求12所述的制造连接器的方法,其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:道格拉斯W史密斯,
申请(专利权)人:因泰斯特IP公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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