电子部件封装用薄膜载带及其制造方法技术

一种电子部件封装用薄膜载带，包括：　　　　表面处理过的绝缘膜；以及　　　　形成在绝缘膜的表面处理面上的籽晶层和形成在该籽晶层的表面上的铜层构成的布线；　　　　其特征在于，该籽晶层包括：形成在绝缘膜的表面处理面上的层厚度为１０～３００埃的实质上由单质锌构成的锌层；以及　　　　形成在锌层的表面上的层厚度为３０～５００埃的镍系金属构成的镍系金属层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
电子部件封装用薄膜载带及其制造方法
本专利技术涉及在绝缘膜上形成导体布线图形的电子部件封装用薄膜载带(TAB(Tape Automated Bonding)带、T-BGA(Tape Ball Grid Array)带、CSP(Chip Size Package)带、ASIC(Application Specific IntegratedCircuit)带、COF(Chip on Film)带、双金属(两面布线)带、多层布线带等)(以下，简称为‘电子部件封装用薄膜载带’)及其制造方法。本专利技术特别涉及耐迁移性、绝缘膜和布线的粘结性都良好的电子部件封装用薄膜载带及其制造方法，该电子部件封装用薄膜载带包含表面处理过的绝缘膜、形成在绝缘膜的表面处理面上的籽晶层、以及形成在籽晶层的表面上的电解铜层构成的布线。
技术介绍
在电子产业领域，使用封装了IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)等电子部件的印刷电路板，近来的电子机器中，例如以携带电话为代表那样，期望电子机器小型重量轻、高功能、高可靠性、低价格。作为用于实现这样的电子机器的小型质量轻等特性的电子部件封装方法，在TAB带那样的电子部件封装用薄膜载带上封装器件。这样的电子部件封装用薄膜载带如下制造：在聚酰亚胺等绝缘膜上通过环氧树脂等树脂粘结剂粘结铜箔等导电性金属箔，在该导电性金属箔的表面上涂敷感光性树脂，为获得期望的布线图形而进行曝光显像后，-->将该树脂的感光部分或非感光部分作为掩模材料，对导电性金属箔进行腐蚀，形成布线。以往，一般来说，由于制造方法简单，能够以低成本制造，所以使用这样的绝缘膜层-树脂粘结剂层-导电性金属层构成的三层挠性基板占主流。但是，如上述那样，在电子机器的小型轻量化的发展中，期望电子部件的高密度封装，因此也需要电子部件封装用薄膜载带的布线宽度为窄间距的。而且，上述TAB带那样的三层挠性基板的电子部件封装用薄膜载带不能满足这样的要求。即，将形成在绝缘膜上的铜箔层按照期望的布线图形进行腐蚀而形成布线时，由于布线的侧面因抗蚀剂的遮蔽而被末端展宽地腐蚀，所以布线的截面形状容易为末端展宽的梯形，由于在进行确保布线间的电绝缘性的腐蚀后的布线间距宽度过宽，所以在以往一般使用的例如粘结了厚度35μm左右的铜箔的三层挠性基板的情况下，在进行布线的窄间距化时有限界。因此，即使使用粘结了更薄铜箔的基板，减小其布线的末端展宽的宽度来实现布线的窄间距，仍有制造技术上的问题等。例如，难以按三层挠性基板方式获得不使用厚度几μm～几十μm左右的铜箔就不能制造的具有窄间距布线的基板。因此，近年来，通过在绝缘膜上实施薄的电解电镀铜等方法，开发使用直接在绝缘膜上形成铜导体层的双层挠性基板。通常，通过在绝缘膜上实施电解电镀铜的方法来获得这种双层挠性基板。这种情况下，作为通过电解电镀铜形成电解铜层的前处理，-->一般是将绝缘膜的表面用等离子体处理方式粗糙化等方法进行表面处理，在该表面上形成薄膜的衬底金属层(籽晶层)，在籽晶层的表面上进行电解电镀铜处理。具体地说，首先将聚酰亚胺那样的绝缘膜表面例如通过公知的逆溅射进行等离子体处理并粗糙化，在该表面上通过溅射金属等镀敷形成籽晶层后，将铜电镀在籽晶层的表面上，形成厚度8μm左右的电解铜层，获得双层挠性基板。为了形成该籽晶层，作为使用的金属，例如可使用镍或镍系合金，具体地说，可使用镍铜合金、镍铬合金、镍铜铬合金等(例如，参照专利文献1)。这样的双层挠性基板被作为COF(Chip on Film)带等使用，例如可获得间距宽度为30μm那样的窄间距布线。【专利文献1】特表2000-508265号公报(日本)但是，在这样的双层挠性基板上封装器件并实际使用时，如果在铜布线电路上施加电压，则铜产生离子化并逐渐溶解，最终因铜连接两电路而使电路间短路，引起所谓的迁移，成为损害电子部件可靠性的主要问题。作为用于评价这样的迁移状况的可靠性确认的试验方法，以往将图6所示的梳形的评价布线图形102形成在绝缘膜上，在评价基板100的布线图形102上附加电压，测定图形电路的绝缘性。在图6中，梳形对置的图形电路102的16条布线中8条为正极104，其余的8条为负极106。这些布线间的间距宽度为50μm，正极的布线端部108和负极的布线端部110间的长度为10mm。而且，例如在85℃、85％RH的恒-->温恒湿条件下，在将100kΩ的电阻与图形电路102串联连接的电路上附加DC60V的电压，通过测定100kΩ的电阻上施加的电压，计算图形电路102的绝缘电阻，评价时间性的绝缘电阻值。然后，在形成将导体层直接设置在绝缘膜上的双层挠性基板的评价布线图形102，进行其迁移平价试验的情况下，即在表面处理过的绝缘膜的对应处理面上形成镍铜合金等的籽晶层，接着在该表面上通过电解电镀铜而形成铜层，通过涂敷抗蚀剂、固化、曝光和腐蚀形成梳形图形，进行无电解电镀锡处理，形成评价布线图形102，按上述条件进行迁移评价的情况下，例如在100～300小时范围内评价图形的绝缘电阻大幅度地下降，变为短路状态。此外，就籽晶层来说，需要提高与导体布线和绝缘膜的粘结性，期望抑制上述迁移而不损害这种粘结性的技术。
技术实现思路
本专利技术是用于解决上述现有技术问题的专利技术，其目的在于提供抗迁移性和绝缘膜与布线的粘结性都良好的电子部件封装用薄膜载带及其制造方法。为了实现上述目的，本专利技术的电子部件封装用薄膜载带包括：表面处理过的绝缘膜；以及形成在绝缘膜的表面处理面上的籽晶层和形成在该籽晶层的表面上的铜层构成的布线；其特征在于，该籽晶层包括：形成在绝缘膜的表面处理面上的层厚度为10～300埃的实质上由单质锌构成的锌层；以及-->形成在锌层的表面上的层厚度为30～500埃的镍系金属构成的镍系金属层。在这种的电子部件封装用薄膜载带中，所述籽晶层最好通过镀敷来形成。本专利技术的电子部件封装用薄膜载带包括：表面处理过的绝缘膜；以及形成在绝缘膜的表面处理面上的籽晶层和形成在该籽晶层的表面上的铜层构成的布线；其特征在于，该籽晶层包括：形成在绝缘膜的表面处理面上的由70～99质量％的镍系金属和1～30质量％的单质锌构成的合金层。在这种电子部件封装用薄膜载带中，所述籽晶层最好包括形成在绝缘膜的表面处理面上的由50～95质量％的单质镍和4～20质量％的单质铬以及1～30质量％的单质锌构成的合金层。此外，所述籽晶层最好通过镀敷来形成。本专利技术的电子部件封装用薄膜载带包括：表面处理过的绝缘膜；以及形成在绝缘膜的表面处理面上的籽晶层和形成在该籽晶层的表面上的铜层构成的布线；其特征在于，从该布线的宽度方向端侧遍布到绝缘膜表面的区域的至少一部分被包含单质锌的锌覆盖层连续覆盖。-->在这种电子部件封装用薄膜载带中，所述锌覆盖层最好通过电解锌电镀来形成。本专利技术提供一种电子部件封装用薄膜载带的制造方法，该电子部件封装用薄膜载带包括：表面处理过的绝缘膜；以及形成在绝缘膜的表面处理面上的籽晶层和形成在该籽晶层的表面上的铜层构成的布线；其特征在于，该方法包括：对绝缘膜进行表面处理的表面处理工序；通过镀敷将单质锌以层厚度10～300埃附着在绝缘膜的表面处理面上而形成锌层后，包含通过镀敷将镍系金属以层厚度30～500埃附着在锌层的表面上而形成镍系金属层的籽晶层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1、一种电子部件封装用薄膜载带，包括：表面处理过的绝缘膜；以及形成在绝缘膜的表面处理面上的籽晶层和形成在该籽晶层的表面上的铜层构成的布线；其特征在于，该籽晶层包括：形成在绝缘膜的表面处理面上的层厚度为10～300埃的实质上由单质锌构成的锌层；以及形成在锌层的表面上的层厚度为30～500埃的镍系金属构成的镍系金属层。2、如权利要求1所述的电子部件封装用薄膜载带，其特征在于，所述籽晶层通过镀敷来形成。3、一种电子部件封装用薄膜载带，包括：表面处理过的绝缘膜；以及形成在绝缘膜的表面处理面上的籽晶层和形成在该籽晶层的表面上的铜层构成的布线；其特征在于，该籽晶层包括：形成在绝缘膜的表面处理面上的由70～99质量％的镍系金属和1～30质量％的单质锌构成的合金层。4、如权利要求3所述的电子部件封装用薄膜载带，其特征在于，所述籽晶层包括形成在绝缘膜的表面处理面上的由50～95质量％的单质镍和4～20质量％的单质铬以及1～30质量％的单质锌构成的合金层。5、如权利要求4所述的电子部件封装用薄膜载带，其特征在于，所述籽晶层通过镀敷来形成。6、一种电子部件封装用薄膜载带，包括：表面处理过的绝缘膜；以及形成在绝缘膜的表面处理面上的籽晶层和形成在该籽晶层的表面-->上的铜层构成的布线；其特征在于，从该布线的宽度方向端侧遍布到绝缘膜表面的区域的至少一部分被包含单质锌的锌覆盖层连续覆盖。7、如权利要求6所述的电子部件封装用薄膜载带，其特征在于，所述锌覆盖层通过电解锌电镀来形成。8、一种电子部件封装用薄膜载带的制造方法，该电子部件封装用薄膜载带包括：表面处理过的绝缘膜；以及形成在绝缘膜的表面处理面上...

【专利技术属性】
技术研发人员：片岡龙男，明石芳一，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：