本发明专利技术实施例提供一种用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，包括：常温磁屏蔽体组件，所述常温磁屏蔽体组件内设置有低温组件；所述低温组件内设置有低温磁屏蔽体组件；所述超导计算芯片设置在所述低温磁屏蔽体组件内。本发明专利技术实施例提供的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，通过将常温磁屏蔽体组件和低温磁屏蔽体组件进行组合，可以有效提升磁屏蔽能力，为超导计算芯片提供nT弱磁环境，保障其工作稳定性，与此同时磁屏蔽装置与现有技术相比减轻了磁屏蔽装置的体积和重量，实现了超导计算芯片的便携移动，便于工程应用。便于工程应用。便于工程应用。
【技术实现步骤摘要】
用于超导计算芯片的磁屏蔽装置
[0001]本专利技术涉及磁屏蔽
，尤其涉及一种用于超导计算芯片的磁屏蔽装置。
技术介绍
[0002]超导计算相对传统计算机具有运行速度快、功耗低、集成度高等优势，因此许多国家开展了相关研发。其核心超导计算芯片的稳定工作条件为4.2K液氦低温和nT弱磁环境。为保障超导计算芯片正常工作和工作稳定性，必须在保证4.2K低温环境的同时抑制周围环境的磁场干扰至nT。因此需要对超导计算芯片进行高效磁屏蔽，防止外部磁场影响其工作稳定性造成计算错误。与此同时，在保证超导计算芯片高效磁屏蔽的同时，还需尽可能降低整个超导计算芯片磁屏蔽装置的体积和重量，实现便携移动，以便于超导计算芯片的工程化应用。
[0003]传统磁屏蔽方式通常采用常温磁屏蔽体进行磁屏蔽或直接将部分常温磁屏蔽体放置于低温装置内进行磁屏蔽。当采用常温磁屏蔽体进行磁屏蔽时，磁屏蔽体体积过大，导致携带移动不方便；当采用部分常规磁屏蔽体放置在低温装置内进行磁屏蔽时，因常温磁屏蔽体低温下磁屏蔽效能大幅衰减，无法达到nT量级。基于此，设计一种用于超导计算芯片的磁屏蔽装置来满足超导计算芯片工作所需的环境尤为重要。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，用以解决现有技术中常规磁屏蔽装置无法满足超导计算芯片工作所需的4.2K液氦低温和nT弱磁环境的缺陷，实现超导计算芯片在高效磁屏蔽环境中工作。
[0005]本专利技术实施例提供一种用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，包括：常温磁屏蔽体组件，所述常温磁屏蔽体组件内设置有低温组件；所述低温组件内设置有低温磁屏蔽体组件；所述超导计算芯片设置在所述低温磁屏蔽体组件内。
[0006]根据本专利技术一个实施例的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，所述低温磁屏蔽体组件包括设置在所述低温组件内的第一罩体，所述第一罩体包括：第一上罩和第一下罩，所述第一上罩和所述第一下罩通过无磁螺钉连接，且所述第一上罩的顶面形成有第一过孔。
[0007]根据本专利技术一个实施例的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，所述低温磁屏蔽体组件还包括：设置在所述第一罩体内的第二罩体，所述第二罩体包括：第二上罩和第二下罩，所述第二上罩覆盖所述第二下罩，且所述第二上罩的顶面形成有第二过孔和第一固定孔，所述第二上罩通过穿过所述第一固定孔的无磁螺钉与所述第一上罩连接，所述第二下罩的底面形成有第一通孔。
[0008]根据本专利技术一个实施例的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，所述第二罩体的材质为低温坡莫合金，且所述第二罩体为双层结构。
[0009]根据本专利技术一个实施例的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，所述低温磁屏蔽体组件还包括：设置在所述第二罩体内的第三罩体，所述超导计算芯片设置在所述第三罩体内，
其中，所述第三罩体包括：第三上罩和第三下罩，所述第三上罩覆盖所述第三下罩，且所述第三上罩的顶面形成有第三过孔和第二固定孔，所述第三上罩通过穿过所述第二固定孔的无磁螺钉与所述第一上罩连接，所述第三下罩的底面形成有第二通孔，且所述第二通孔与所述第一通孔错开设置。
[0010]根据本专利技术一个实施例的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，所述第三罩体的材质为铌钛超导金属。
[0011]根据本专利技术一个实施例的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，所述第一罩体、所述第二罩体以及所述第三罩体之间填充有绝缘泡沫垫。
[0012]根据本专利技术一个实施例的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，所述常温磁屏蔽体组件包括设置在所述低温组件外的第四罩体，所述第四罩体的材质为常温坡莫合金，且为双层结构，其中，所述第四罩体包括：第四上罩和第四下罩，所述第四上罩覆盖所述第四下罩，且所述第四上罩的顶面形成有第四过孔；所述低温组件的顶面形成有第五过孔。
[0013]根据本专利技术一个实施例的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，所述常温磁屏蔽体组件还包括装置托筒，所述第四罩体设置在所述装置托筒内，且所述第四罩体之间、所述第四罩体与所述低温组件之间、以及所述第四罩体与所述装置托筒之间填充有绝缘泡沫垫。
[0014]根据本专利技术一个实施例的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，还包括：芯片安装基座，所述超导计算芯片安装在所述芯片安装基座上，所述芯片安装基座的一端穿过所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔、所述第四过孔以及所述第五过孔设置在所述第三罩体内，且另一端设置在所述装置托筒的外部。
[0015]本专利技术实施例提供的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，通过将常温磁屏蔽体组件和低温磁屏蔽体组件进行组合，可以有效提升磁屏蔽能力，为超导计算芯片提供nT弱磁环境，保障其工作稳定性，与此同时磁屏蔽装置与现有技术相比减轻了磁屏蔽装置的体积和重量，实现了超导计算芯片的便携移动，便于工程应用。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图逐一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本专利技术实施例提供的一种用于超导计算芯片的磁屏蔽装置的结构示意图。
[0018]附图标记：
[0019]1：超导计算芯片；2：芯片安装基座；3：第三上罩；4：第三下罩；5：第二上罩；6：第二下罩；7：第一上罩；8：第一下罩；9：低温组件；10：第四上罩；11：第四下罩；12：装置托筒。
具体实施方式
[0020]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]下面结合图1描述本专利技术实施例的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置。
[0022]在本专利技术的一个实施例中，用于超导计算芯片的磁屏蔽装置包括：低温磁屏蔽体组件、低温组件9以及常温磁屏蔽体组件。超导计算芯片1设置在低温磁屏蔽体组件内，低温磁屏蔽体组件设置在低温组件9内，低温组件9设置在常温磁屏蔽体组件内。具体来说，低温组件9为低温磁屏蔽体组件提供4.2K液氦低温工作环境，使其能够实现良好的磁屏蔽效能；同时为超导计算芯片1提供4.2K液氦低温工作环境，保障芯片的工作稳定性。低温磁屏蔽体组件在4.2K温区时具有较高的相对导磁率，可将环境磁场进一步降低至nT量级，同时兼具磁屏蔽恒定磁场和交变磁场的作用。常温磁屏蔽体组件设置在低温组件9的外部，常温磁屏蔽体组件的磁屏蔽效能为40dB，可以将环境磁场降低至一半以下，此种磁屏蔽组合装置为超导计算芯片1提供了nT弱磁工作环境，能够保证芯片工作稳定。
[0023]进一步地，在本专利技术的一个实施例中，低温磁屏蔽体组件包括低温坡莫合金磁屏蔽层，低温坡莫合金的相对导磁率在4.2K温区下是常温坡莫本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，其特征在于，包括：常温磁屏蔽体组件，所述常温磁屏蔽体组件内设置有低温组件；所述低温组件内设置有低温磁屏蔽体组件；所述超导计算芯片设置在所述低温磁屏蔽体组件内。2.根据权利要求1所述的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，其特征在于，所述低温磁屏蔽体组件包括设置在所述低温组件内的第一罩体，所述第一罩体包括：第一上罩和第一下罩，所述第一上罩和所述第一下罩通过无磁螺钉连接，且所述第一上罩的顶面形成有第一过孔。3.根据权利要求2所述的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，其特征在于，所述低温磁屏蔽体组件还包括：设置在所述第一罩体内的第二罩体，所述第二罩体包括：第二上罩和第二下罩，所述第二上罩覆盖所述第二下罩，且所述第二上罩的顶面形成有第二过孔和第一固定孔，所述第二上罩通过穿过所述第一固定孔的无磁螺钉与所述第一上罩连接，所述第二下罩的底面形成有第一通孔。4.根据权利要求3所述的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，其特征在于，所述第二罩体的材质为低温坡莫合金，且所述第二罩体为双层结构。5.根据权利要求3所述的用于超导计算芯片的磁屏蔽装置，其特征在于，所述低温磁屏蔽体组件还包括：设置在所述第二罩体内的第三罩体，所述超导计算芯片设置在所述第三罩体内，其中，所述第三罩体包括：第三上罩和第三下罩，所述第三上罩覆盖所述第三下罩，且所述第三上罩的顶面形成有第三过孔和第二固定孔，所述第三上罩通...
【专利技术属性】
技术研发人员：王莉娟，洪国同，王国鹏，卫铃佼，刘彦杰，李建国，梁惊涛，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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