一种快响应、低温升双工位防爆电磁铁制造技术

一种快响应、低温升双工位防爆电磁铁，包括引线罩，在引线罩内封装有电路芯片，所电路芯片上具有两个相同的电路单元A、电路单元B，电路单元A包括正极、负极，正极有线圈连接端子L1，电阻R1的一端连接在正极上，另一端串联有电阻R2，三极管Q1的基极连接在电阻R1和电阻R2之间、集电极连接在电阻R3的一端、发射极连接在负极上，三极管Q1的基极与负极之间连接有电容C1，MOS管I1的栅极与三极管Q1的集电极相连、源极连接负极、漏极通过二极管D1的连接正极，线圈的端子L2连接在MOS管I1的漏极上，在MOS管I1的漏极与负极之间连接有电阻。本发明专利技术效果好。好。好。

【技术实现步骤摘要】
一种快响应、低温升双工位防爆电磁铁


[0001]本专利技术涉及防爆电磁铁，特别涉及一种快响应更、低温升双工位防爆电磁铁，属于电磁铁


技术介绍

[0002]双头（双工位）防爆电磁铁主要用于易燃、易爆等工况比较复杂且安全要求极高的工矿环境，如煤矿作业、危化品场合中，这种情况下对电磁铁的温升、响应时间、有极高的技术要求，对产品的发展的要求是响应时间需要缩短、同时温升也不能超标，这种电磁铁制造业要求较高，目前市场上商用的双工位防爆电磁铁是大小相同的同一款12V直流电磁铁，绕线的线径小于等于0.27mm，这种双工位防爆电磁铁在使用中缩短响应时间往往从制造精度、配合精度等方面入手，因为还要兼顾电磁铁工作中的温升，所以难以有大的突破，其响应时间在50左右，很难做到50ms以下，难以适应一些要求快速动作的场合要求。如果想把电磁铁的温升降下来或响应提上去需要增加线径和匝数，这样的话电磁铁体积就会做的比较大，造成电磁铁的成本比较高，在市场竞争中失去优势，而且不被客户接受，原因在于：这部分电磁铁一般最初都是采用国外的进口产品，其体积、尺寸大小都是一定的，在长期的客户设计、使用过程中这类双工位防爆电磁铁的尺寸大小基本呈形成了一种“标准”，而且设备上预留的空间也是与这个“标准”相适应的，所以依靠增加双头电磁铁的体积、成本来实现防爆电磁铁的性能要求基本是走不通的，只有在目前的商用的双工位防爆电磁铁的尺寸框架下通过对其内部结构、电路优化来达到双工位防爆电磁铁的使用要求，国内企业尚未在这一方面有所突破。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于解决目前的双工位防爆电磁铁制造中存在的上述问题，提供一种快响应、低温升双工位防爆电磁铁。
[0004]为实现本专利技术的目的，采用了下述的技术方案：一种快响应、低温升双工位防爆电磁铁，包括双工位防爆电磁铁，双工位防爆电磁铁的磁轭内装有两套电磁铁，每套电磁铁具有一个线圈，在磁轭本体上固定连接有引线罩，在引线罩内封装有电路芯片，所述的电路芯片上具有两个相同的电路单元A、电路单元B，所述的电路单元A包括正极、负极，正极有供电磁铁线圈一端连接的端子L1，电阻R1的一端连接在正极上，另一端串联有电阻R2，电阻R2的另一端连接在负极上，三极管Q1的基极连接在电阻R1和电阻R2之间、集电极连接在电阻R3的一端、发射极连接在负极上，电阻R3的另一端连接正极，三极管Q1的基极与负极之间连接有电容C1，MOS管I1的栅极与三极管Q1的集电极相连、源极连接负极、漏极通过二极管D1的连接正极，供电磁铁线圈另一端连接的端子L2连接在MOS管I1的漏极上，在MOS管I1的漏极与负极之间连接有电阻；电路单元B上有供另一个线圈连接的端子L3、端子L4。
[0005]进一步的；电路单元A、电路单元B的正极共用。
[0006]进一步的；电路单元A中所述的三极管Q1为NPN型，MOS管I1为NPN型， 电路单元B中
有与三极管Q1对应的三极管Q2、与MOS管I1对应的MOS管I2，三极管Q2为NPN型，MOS管I2为NPN型。
[0007]进一步的；在电路单元A中MOS管I1的漏极与负极之间连接有两个并联的电阻，分别为电阻R5、电阻R6，对应的：在电路单元B中MOS管I2的漏极与负极之间连接有两个并联的电阻，分别为电阻R11、电阻R12。
[0008]进一步的；在电路单元A中正极上还连接有电阻R4，电阻R4的另一端连接连接有发光二极管D2，发光二极管的另一端连接在负极上，对应的：在电路单元B中正极上还连接有电阻R7，电阻R7的另一端连接连接有发光二极管D4，发光二极管D4的另一端连接在负极上。
[0009]进一步的；在电路单元A的MOS管I1的栅极上还连接有二极管D5，二级管D5上连接有电阻R13，电阻R13的另一端为测试端，对应的：在电路单元B的MOS管I2的栅极上连接有二极管D6，二级管D6与二极管D5连接在电阻R13的同一端。
[0010]进一步的；在正极的始端连接有防反接二极管D0。
[0011]进一步的；所述的线圈的绕线线径大于0.27mm。
[0012]本专利技术的积极有益技术效果在于：本专利技术将双工位防爆电磁铁的两个线圈连接在电路芯片上，能够实现在使用时电流小，所以在使用时温升低，这样就可以采用较目前的电磁铁线圈绕线大的线径，降低线圈的电阻，在相同电压下本电磁铁通过的电流大，本电磁铁的芯片电路中采用了MOS管，其通过的电流可以是传统线圈电路的几倍至十几倍，可以实现大功率驱动的要求，实现快响应、大推力，在工作时由于有电阻的分压，线圈产生的热量小，电磁铁的温升低，在现有的电磁铁的基础上实现了快响应、低温升，而且由于本芯片电路简单、体积小，在接线罩上还可以集成发光二极管来直管的显示两个线圈的通电情况，这在国内外的同类电磁铁上以前是无法做到的。
附图说明
[0013]图1是本专利技术的主视示意图（接线罩内打开）。
[0014]图2是图1状态下的俯视示意图。
[0015]图3是芯片上的两个电路单元的图。
[0016]图4是本电磁铁与传统的电磁铁的响应时间比较的示意图。其中曲线a是本电磁铁启动瞬间的电流波形，b为不带电路芯片的传统电磁铁启动瞬间的电流波形，t1是本电磁铁的相应时间，t2是传统电磁铁的响应时间。
[0017]图5是本电磁铁与传统的电磁铁的温升比较的示意图。其中e是传统电磁铁的温升曲线；f是本电磁铁的温升曲线。
具体实施方式
[0018]为了更充分的解释本专利技术的实施，提供本专利技术的实施实例，这些实施实例仅仅是对本专利技术的阐述，不限制本专利技术的范围。
[0019]附图中各标记为：101：磁轭；102：接线罩；103：芯片；104：插头；105：封装胶；106：发光二极管D2指示灯；107：发光二极管D4指示灯。
[0020]图3中，1为正极，2、3分别为两个电路单元的负极，4是测试端。
[0021]如附图所示，一种快响应、低温升双工位防爆电磁铁，包括双工位防爆电磁铁，双
工位防爆电磁铁的磁轭内装有两套电磁铁，每套电磁铁具有一个线圈，在磁轭本体上固定连接有引线罩。双工位防爆电磁铁目前在使用中，其内部结构不再赘述。
[0022]在引线罩内封装有电路芯片，所述的电路芯片上具有两个相同的电路单元A、电路单元B，电路单元A、电路单元B的正极共用，所述的电路单元A包括正极、负极，在正极的始端连接有防反接二极管D0，正极有供电磁铁线圈一端连接的端子L1，电阻R1的一端连接在正极上，另一端串联有电阻R2，电阻R2的另一端连接在负极上，三极管Q1的基极连接在电阻R1和电阻R2之间、集电极连接在电阻R3的一端、发射极连接在负极上，电阻R3的另一端连接正极，三极管Q1的基极与负极之间连接有电容C1，MOS管I1的栅极与三极管Q1的集电极相连、源极连接负极、漏极通过二极管D1的连接正极，供电磁铁线圈另一端连接的端子L2连接在MOS管I1的漏极上，在MOS管I1的漏极与负极之间连接有电阻；电路单元B上有供另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快响应、低温升双工位防爆电磁铁，包括双工位防爆电磁铁，双工位防爆电磁铁的磁轭内装有两套电磁铁，每套电磁铁具有一个线圈，在磁轭本体上固定连接有引线罩，其特征在于：在引线罩内封装有电路芯片，所述的电路芯片上具有两个相同的电路单元A、电路单元B，所述的电路单元A包括正极、负极，正极有供电磁铁线圈一端连接的端子L1，电阻R1的一端连接在正极上，另一端串联有电阻R2，电阻R2的另一端连接在负极上，三极管Q1的基极连接在电阻R1和电阻R2之间、集电极连接在电阻R3的一端、发射极连接在负极上，电阻R3的另一端连接正极，三极管Q1的基极与负极之间连接有电容C1，MOS管I1的栅极与三极管Q1的集电极相连、源极连接负极、漏极通过二极管D1的连接正极，供电磁铁线圈另一端连接的端子L2连接在MOS管I1的漏极上，在MOS管I1的漏极与负极之间连接有电阻；电路单元B上有供另一个线圈连接的端子L3、端子L4。2.根据权利要求1所述的一种快响应、低温升双工位防爆电磁铁，其特征在于：电路单元A、电路单元B的正极共用。3.根据权利要求1所述的一种快响应、低温升双工位防爆电磁铁，其特征在于：电路单元A中所述的三极管Q1为NPN型，MOS管I1为NPN型， 电路单元B中有与三极管Q1对应的三极管Q2、与MOS管I1对应的MOS管I2，三极管Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄猛，郝艳军，
申请(专利权)人：安阳凯地磁力科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：