ＩＣ插座制造技术

本发明专利技术涉及片式电容和用它的ＩＣ插座、片式电容的制造方法。本发明专利技术的片式电容具有在嵌入ＩＣ的连接用插头的贯通孔中在需要与上述ＩＣ的连接用插头电连接的贯通孔内形成的接触部分、和与该接触部分连接的电容元件。又本发明专利技术的片式电容具有绝缘基板和安装在该绝缘基板上的电容元件。绝缘基板分别在上面具有与ＩＣ连接用的接合面，在下面具有与印刷电路配线板连接用的接合面。电容元件与绝缘基板上下的各连接用接合面电连接。用任何一种构成，通过直接在ＩＣ近旁连接大电容量低ＥＳＬ的电容元件，能够增大ＩＣ的周边电路的安装面积。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于高速IC和处理器的噪声吸收或滤波器等的片式电容和用它的IC插座以及片式电容的制造方法。
技术介绍
近年来，个人计算机和通信设备的高速化正在进展中，要求用于它们的电子部件实现小型化和高频响应。与此相伴也需要作为一个电子部件的电容实现大电容量化、低阻抗化。特别是，用于驱动计算机CPU的电源电路，在电路设计上，作为高频响应要求具有噪声和脉动电流的吸收性。因此，强烈要求具有低ESR(等效串联电阻)、低ESL(等效串联阻抗)、耐高脉动电流的大电容量的电解电容。为了与这种要求对应，现状中将多个小形的芯片型电容配置在CPU周边的接近CPU的位置上。图53表示根据上述已有构成的CPU的周边。将连接用插头(以下，称为插头)402设置在以CPU为代表的IC401的下面。将IC插座(以下，称为插座)403焊接在印刷电路配线板(以下，称为基板)404上。接近这样构成的IC401地安装芯片式电容(以下，称为电容)405。与取代电容而用电阻的上述安装状态类似的结构例如在日本昭和60年公布的60-130150号专利公报中揭示的。在IC401中具有478个插头402，并且在插座403的基板404上设置从IC401引出用的配线图案(图中未画出)。因此，在这种安装状态中，随着安装部件的增加，IC401周边的电容405和图中未画出的其它电子部件的安装位置远离IC401，并且使安装面积不足。另一方面，CPU的工作频率正在上升，为了吸收噪声和供给电流必须使大电容量的低ESR并且低ESL的芯片型电容尽可能接近CPU。因此在上述的现行技术中正在失去这种频率响应。具体地说，因为插座403的高度约为3mm，从插座403到电容405的距离约为数十mm，所以对于CPU，ESL上升，频率越高阻抗越上升。因此，在高频区域不能够充分发挥低ESL的电容性能。
技术实现思路
本专利技术中的IC插座，是使IC与印刷电路配线板连接的IC插座，备有滑动部分，在与上述IC之间搭载片式电容，该片式电容具有接触部分，形成在嵌入上述IC的连接用插头的第1贯通孔中需要与上述连接用插头电连接的贯通孔内，与所述连接用插头相接触；以及，电容元件，与上述接触部分连接；覆盖部分，具有设置上述连接用插头嵌入的第2贯通孔，在上述第2贯通孔中需要与上述连接用插头电连接的上述第2贯通孔内形成的固定接点部分、和包含上述固定接点部分的配线图案，与上述印刷电路配线板接合；和驱动机构，设置在上述覆盖部分上，使上述滑动部分相对上述覆盖部分滑动。附图说明图1是表示根据本专利技术的实施形态1的片式电容及其使用状态的分解立体图。图2是表示使IC与图1的片式电容连接的状态的截面图。图3A～图3D是表示图1中的接触部分的构成的平面图。图4是表示根据本专利技术的实施形态2的片式电容的构成的分解立体图。图5是图4的使用片式电容的电容元件的截面图。图6是表示图4的片式电容的使用状态的分解立体图。图7是表示使IC与图4的片式电容连接的状态的截面图。图8是表示根据本专利技术的实施形态3的片式电容的构成的分解立体图。图9是图8的片式电容的截面图。图10是表示根据本专利技术的实施形态4的片式电容的构成的分解立体图。图11是图10的片式电容的截面图。图12是表示根据本专利技术的实施形态5的片式电容的构成的分解立体图。图13是图12的片式电容的截面图。图14是表示根据本专利技术的实施形态6的片式电容及其使用状态的截面图。图15是表示根据本专利技术的实施形态7的片式电容及其使用状态的分解立体图。图16是图15的片式电容及其周边的截面图。图17是表示图15的片式电容的构成的分解立体图。图18是表示根据本专利技术的实施形态8的片式电容的构成的截面图。图19是表示根据本专利技术的实施形态9的片式电容的构成的截面图。图20是图19的片式电容的分解立体图。图21A，图21B是表示根据本专利技术的实施形态10的片式电容的接触部分的构成的平面图。图22A，图22B是表示根据本专利技术的实施形态10的片式电容的接触部分的其它例子的平面图。图22C，图22D分别是图22A，图22B的截面图。图23是表示根据本专利技术的实施形态11的片式电容的构成的分解立体图。图24是表示使IC与图23的片式电容连接的状态的截面图。图25是表示图23的设有片式电容、表示与IC的连接用插头(pin)和非接触的贯通孔的平面图。图26是表示根据本专利技术的实施形态12的片式电容的构成的分解立体图。图27是表示图26的片式电容的截面图。图28是表示使IC与图26的片式电容连接的状态的截面图。图29是表示图26的片式电容的接触部分的构成的平面图。图30是表示多层层积图26的片式电容的电极箔时的构成的分解立体图。图31是表示根据本专利技术的实施形态13的片式电容的构成的截面图。图32是表示根据本专利技术的实施形态14的片式电容的构成的截面图。图33是表示根据本专利技术的实施形态15的片式电容的构成的截面图。图34是表示根据本专利技术的实施形态16的片式电容的构成的分解斜视图。图35是表示图34的片式电容的截面图。图36是表示使IC与图34的片式电容连接的状态的截面图。图37是表示图34的片式电容的接触部分的构成的平面图。图38是表示多层层积图34的片式电容的电极箔时的构成的分解立体图。图39是表示根据本专利技术的实施形态17的片式电容的构成的截面图。图40是表示根据本专利技术的实施形态18的片式电容的构成的截面图。图41是表示根据本专利技术的实施形态19的片式电容的构成的截面图。图42是表示用根据本专利技术的实施形态20的片式电容的IC插座及其使用状态的分解立体图。图43是构成图42中IC插座的滑动部分的分解立体图。图44是表示用图42的IC插座的正面截面图。图45A，图45B是表示用根据本专利技术的实施形态21的片式电容的IC插座的接触部分的构成的平面图。图46A，图46B是表示用根据本专利技术的实施形态21的IC插座的接触部分的其它例子的平面图。图46C，46D分别是图46A，图46B的截面图。图47A是表示根据本专利技术的实施形态22的片式电容的制造方法中从原材料到冲压加工工序的阳极片的制造工序图。图47B是根据本专利技术的实施形态22的片式电容的绝缘片的制造工序图。图47C是根据本专利技术的实施形态22的片式电容的绝缘片的制造工序图。图48A是用平面图表示根据本专利技术的实施形态22的片式电容的制造方法中从完成加工的阴极片、绝缘片和阳极片的贴合到凹部形成工序的制造工序图。图48B是用正面图表示图48A的制造工序图。图48C是用下面图表示图48A的制造工序图。图49A是用平面图表示根据本专利技术的实施形态22的片式电容的制造方法中在完成加工的配线层叠片上形成接触部分，安装电容元件的工序的制造工序图。图49B是用正面图表示图49A的制造工序图。图49C是用下面图表示图49A的制造工序图。图50是表示根据本专利技术的实施形态22的片式电容的接触部分的平面图。图51是表示根据本专利技术的实施形态22的片式电容的电容元件的构成的截面图。图52A是用平面图表示根据本专利技术的实施形态22的片式电容的制造方法中从保护安装在完成加工的配线层叠片上的电容元件的盖片的贴附工序到切断成最终的各个片的工序的制造工序图。图52B是用正面图表示图52A的制造工序图。图53是表示根据已有构成的CPU周边本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＩＣ插座，其特征是：它是使ＩＣ与印刷电路配线板连接的ＩＣ插座，备有：滑动部分，在与上述ＩＣ之间搭载片式电容，该片式电容具有：接触部分，形成在嵌入上述ＩＣ的连接用插头的第１贯通孔中需要与上述连接用插头电连接的贯通孔内，与所述连接用插头相接触；以及，电容元件，与上述接触部分连接；覆盖部分，具有设置上述连接用插头嵌入的第２贯通孔，在上述第２贯通孔中需要与上述连接用插头电连接的上述第２贯通孔内形成的固定接点部分、和包含上述固定接点部分的配线图案，与上述印刷电路配线板接合；和驱动机构，设置在上述覆盖部分上，使上述滑动部分相对上述覆盖部分滑动。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：滕山辉己，福永一生，福田守弘，桑田义明，森浩雅，桥本芳郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]