一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用，属于真菌育种技术领域。其在富硒地区采集灵芝菌子实体，获得菌丝体培养物，收集其孢子后进行诱变育种，在高硒浓度培养基中进行富集培养，获得耐硒能力提高的灵芝菌丝体。所获得的耐硒能力提高的灵芝突变体命名为Ganoderma sp.ML2613，该突变体的菌丝体培养物已保藏在中国典型培养物保藏中心，保藏编号CCTCC NO：M20211217。与原菌株菌丝体培养物相比，突变体Ganoderma sp.ML2613可以在硒含量为1600mg/L的培养液中维持正常生长，而原菌株的菌丝体在同样的发酵培养液中生长极其缓慢。突变体Ganoderma sp.ML2613更适合在高硒含量环境中培养，具有获得富硒菌丝体的潜力，也有利于在高硒环境中进行灵芝的野外栽培。利于在高硒环境中进行灵芝的野外栽培。利于在高硒环境中进行灵芝的野外栽培。

【技术实现步骤摘要】
一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用


[0001]本专利技术涉及一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用，具体涉及一种采用诱变育种方法获得的在高硒浓度条件能维持较高生长速度的灵芝突变体及应用，属于真菌育种


技术介绍

[0002]灵芝(Ganoderma lucidum)，是一类在自然界中主要在木质材料或树木上腐生或寄生生长的大型子实体真菌，属担子菌门。灵芝以及与灵芝同一属(灵芝属，Ganoderma)的紫芝、树舌等真菌在我国传统医学中大多属于有保健或治疗功能的药用或食用真菌。
[0003]硒是人体多种含硒活性蛋白的组成成分，硒元素在地表含量少，人体从正常食物中得到的硒有时不能完全满足人体的需求，富硒食品是帮助人们“补硒”的重要途径。灵芝有较强的富硒能力，多年来我国科技工作者对采用灵芝富硒进行了较多的研究。我国湖北省利川市、安徽省石台县等地有一些土壤中硒含量较高的小区域，这些小区域中生长的灵芝可能具有较高的耐硒和富硒能力。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是克服上述不足之处，提供一株高耐硒灵芝突变体菌株及其应用，该灵芝菌株耐硒能力较高，能够在高硒浓度环境下有较高生长速度。
[0005]本专利技术的技术方案，一株高耐硒灵芝突变体菌株ML2613，已保藏于中国典型培养物保藏中心CCTCC，地址中国武汉武汉大学，分类命名为灵芝ML2613Ganoderma sp.ML2613，保藏编号CCTCC NO：M 20211217，保藏日期为2021年9月26日。
[0006]所述高耐硒灵芝突变体菌株ML2613，ITS序列如SEQ ID No.1所示。
[0007]所述高耐硒灵芝突变体菌株ML2613的制备方法，采用富硒地区的灵芝进行菌丝体分离培养，筛选出其中耐硒灵芝菌，继续进行培养后收集孢子粉，对孢子粉进行诱变，经过培养获得菌丝体菌落，选取生长速度最快的菌株，最终获得高耐硒灵芝突变体菌株ML2613。
[0008]进一步地，所述诱变方法具体为Co
60
照射。
[0009]进一步地，照射剂量控制在0.4
‑
0.6kGy。
[0010]进一步地，将诱变获得的孢子粉的生理盐水悬液转入高硒含量的PDA液体培养基中进行培养6
‑
8d。
[0011]进一步地，所述高硒含量具体为硒含量为1800mg/L。
[0012]所述菌株的应用，将其应用于高硒环境中进行灵芝的栽培。
[0013]进一步地，提高获得富硒菌丝体的效率。
[0014]进一步地，在硒含量1600mg/L的环境下生长速度快。
[0015]本专利技术的有益效果：本专利技术筛选获得的菌株与原菌株菌丝体培养物相比，突变体Ganoderma sp.ML2613可以在硒含量为1600mg/L的培养液中维持正常生长，而原菌株的菌丝体在同样的发酵培养液中生长极其缓慢。突变体Ganoderma sp.ML2613更适合在高硒含
量环境中培养，具有获得富硒菌丝体的潜力，也有利于在高硒环境中进行灵芝的野外栽培。
[0016]生物材料样品保藏：一株高耐硒灵芝突变体菌株ML2613，已保藏于中国典型培养物保藏中心CCTCC，地址中国武汉武汉大学，分类命名为灵芝ML2613Ganoderma sp.ML2613，保藏编号CCTCC NO：M 20211217，保藏日期为2021年9月26日。
附图说明
[0017]图1ST308在发酵培养基中的菌体量增长曲线。
[0018]图2ST308和ML2613在高硒发酵培养基中的菌体量增长曲线。
[0019]图3Ganoderma sp.ML2613在发酵培养基中的生长曲线。
[0020]图4Ganoderma sp.ML2613与Ganoderma sp.ST308在高硒发酵培养基中的生长曲线。
具体实施方式
[0021]通过实施例对本专利技术作进一步说明，实施例将不以任何方式限制本专利技术的范围。
[0022]实施例1高耐硒灵芝ML2613的制备
[0023](1)灵芝菌子实体的采集与分离培养：在我国湖北省利川县、安徽省石台县等富硒地区寻找腐烂木头、树枝、树根等处生长的灵芝菌，重点采集在腐烂树根上生长的灵芝菌。将采集的灵芝在采样当天运回实验室进行菌丝体的分离培养。取上述子实体根部细长的白色菌索，先用自来水进行长时间冲洗，再用大量无菌水清洗。在质量浓度为3％的双氧水中浸泡5min左右，再用无菌水冲洗。最后将冲洗后的灵芝菌菌索接种PDA培养基培养1周左右。
[0024]若培养物中出现黑色、绿色等有颜色的孢子的判定为霉菌，或被霉菌污染的培养物，不再使用；若菌丝体为纯白色、菌丝粗壮且向四周延展的则初步判定为灵芝菌的菌丝体。
[0025]按照上述培养过程共获得灵芝菌丝体培养物100多个。
[0026](2)耐硒灵芝菌筛选：将上述菌丝体分别接种在含硒量为3200mg/L的PDA固体培养基中。结果显示其中有11株菌在上述培养基上生长旺盛，其他菌则生长缓慢或不能生长。将上述11株菌株的菌丝体培养物接种硒含量为1400mg/L的高硒发酵培养基，观察生长情况，结果显示原始编号为ST308的菌株显然具有更快的生长速度。菌株ST308目前已经分别保藏在江南大学教育部工业微生物资源信息平台和无锡先秦生物科技有限公司菌种库中，保藏编号分别为CICIM F7083和XQ 5258。
[0027](3)灵芝菌的诱变及高耐硒灵芝突变体筛选：
[0028]a、收集：取上述ST308菌株的菌丝体接种木屑培养基。培养约5个月后培养基中的菌丝体靠近三角瓶周边的部分出现灵芝子实体的生长，将子实体取出接种缺水的木屑培养基。大约培养2周左右，部分培养的灵芝周边的铝箔上可以看到少许的孢子粉。将孢子粉取出后收集在无菌离心管中，将多次收集的孢子粉集中后用大约10mL生理盐水悬浮；
[0029]b、诱变：将悬浮的孢子粉进行Co
60
照射，照射剂量控制在0.5kGy左右。将上述经过诱变的孢子悬液转入硒含量为1800mg/L的高硒PDA液体培养基中培养7天；将培养液稀释后，涂布含4000mg/L硒的固体PDA培养基，合计大约涂布了1000个平板。在培养大约1个月后，其中约60块平板的PDA培养基上大约形成300多个微弱生长菌丝体菌落。将上述菌丝体
分别转移到新的硒含量为4000mg/L的高硒PDA平板上。培养大约5天后大约获得120个菌丝体菌落。将上述菌丝体接种硒含量为1600mg/L的高硒PDA液体培养基，在30℃，120r/min摇瓶培养，从48小时起，间隔24小时取样检测菌体干重。结果显示，其中一株编号为ML2613的菌株生长速度明显快于其它菌株，判断为耐硒突变株。
[0030](4)耐硒突变株的鉴定与保藏：上述耐硒突变株ML2613菌丝体培养提取染色体后进行ITS基因序列分析。结果显示ML2613的ITS序列与出发菌ST308的ITS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一株高耐硒灵芝突变体菌株ML2613，已保藏于中国典型培养物保藏中心CCTCC，地址中国武汉武汉大学，分类命名为灵芝ML2613 Ganoderma sp.ML2613，保藏编号CCTCC NO：M 20211217，保藏日期为2021年9月26日。2.权利要求1所述高耐硒灵芝突变体菌株ML2613，其特征是：ITS序列如SEQ ID No.1所示。3.权利要求1所述高耐硒灵芝突变体菌株ML2613的制备方法，其特征是：采用富硒地区的灵芝进行菌丝体分离培养，筛选出其中耐硒灵芝菌，继续进行培养后收集孢子粉，对孢子粉进行诱变，经过培养获得菌丝体菌落，选取生长速度最快的菌株，最终获得高耐硒灵芝突变体菌株ML2613。4.如权利要求3所述高耐硒灵芝突变体菌株ML2613的制备方法，其特征是：所述诱变方法具体为Co<...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨梦莲，沈微，单逸蓝，陈献忠，杨海泉，夏媛媛，陈磊，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：