本发明专利技术公开一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置及方法，涉及硅片加工技术领域，包括加工箱，加工箱的两侧通过气缸固定连接有盖板，且加工箱的内部固定连接有加工池，盖板的下表面固定连接有分隔架，分隔架的下表面转动连接有原料架，原料架的侧面安装有若干个原料卡板，原料架的内部安装有与若干个原料卡板相对应的锁紧架，分隔架的内部安装有水平调整结构，水平调整结构的输出端安装有驱动调整结构。本发明专利技术通过驱动调整结构，可以将装置在锁紧硅片和带动原料价旋转之间进行切换，并且在切换成旋转状态后，可以将硅片与加工池之间的清洗液之间发生旋转，从而可以实现扰动的目的，进而可以方便调整硅片氧化膜的腐蚀速率。进而可以方便调整硅片氧化膜的腐蚀速率。进而可以方便调整硅片氧化膜的腐蚀速率。
【技术实现步骤摘要】
一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置及方法
[0001]本专利技术涉及硅片加工
，具体为一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置及方法。
技术介绍
[0002]在硅片的加工过程中，需要通过清洗工艺将硅片的氧化膜进行去除，在清洗工艺中，通常采用各种酸充当清洗液对氧化膜进行反应，在清洗的过程中，通过控制清洗液的温度和扰动程度，从而可以控制氧化膜的腐蚀速率。
[0003]经检索，中国专利公开了一种用于硅片表面制样的表面处理及腐蚀的工艺和装置（公开号：CN103165407B），该专利的工艺中含有臭氧进入密封的腐蚀腔体内，与硅片表面接触，将硅片表面氧化成致密的氧化膜工序。装置中包括：腐蚀腔体(1)、盖罩(2)，腔体内设有硅片台(4)及通臭氧或氮气入口(1
‑
1)、由氮气作为载体的HF气体入口(1
‑
2)、以及排气孔(1
‑
4)，还包括外设的HF容器(5)，所述的通臭氧或氮气的入口(1
‑
1)串接阀门V2、流量调节阀MFC1，MFC1的另一端接三通，三通的一端接氮气管路，三通的另一端接臭氧管路的出口。
[0004]现有的硅片的氧化膜在去除时，所使用的装置不方便在清洗液和硅片之间制造扰动，导致不方便针对需求调节氧化膜的调节速率，并且现有装置的硅片安装部位较少，并且安装硅片的效率较慢。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置及方法，解决以下技术问题：如何在清洗液与硅片之间制造可调节的扰动，从而提高硅片养护膜的腐蚀速率；如何快速将多个硅片与装置进行组装，进而提高装置的加工效率。
[0006]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置，包括加工箱，所述加工箱的两侧均固定连接有若干个气缸，且加工箱的内部固定连接有加工池，所述加工箱内部靠近加工池的侧面安装有清洗液供应结构和清洗液排放结构，用于将清洗液注入到加工池中，若干个所述气缸的输出端之间固定连接有盖板，所述盖板的下表面固定连接有分隔架，所述分隔架的下表面转动连接有延伸至加工池内部的原料架，所述原料架的侧面安装有若干个原料卡板，所述原料架的内部安装有锁紧架，锁紧架与对应的原料卡板相配合，可以将硅片进行夹持，所述分隔架的内部安装有水平调整结构，所述水平调整结构的输出端安装有驱动调整结构，所述驱动调整结构可在原料架与锁紧架之间进行调节，在与锁紧架相连接时，用于将硅片与原料卡板和锁紧架进行拆卸，在与原料架相连接时，用于带动原料架进行转动，从而在清洗液与硅片之间制造可控的扰动。
[0007]作为本专利技术进一步的方案：该腐蚀装置还包括若干个支撑架，所述支撑架包括组装板，所述组装板的侧面固定连接有若干个竖直分布的衬托板，且组装板的侧面固定连接
有把手，所述衬托板的上表面均嵌入连接有吸附件。
[0008]作为本专利技术进一步的方案：若干个所述原料卡板呈若干列等距分布在原料架的外侧，支撑架中的衬托板通过吸附件与每列原料架的下表面吸附连接，从而将各个原料架的下侧空间进行阻隔，并且方便将硅片进行放置。
[0009]作为本专利技术进一步的方案：所述驱动调整结构包括与水平调整结构输出端相连接的液压杆，液压杆的输出端朝下且固定连接有驱动电机，所述驱动电机的输出端固定连接有第三驱动轴，所述第三驱动轴的外侧滑动连接有连接轴，且第三驱动轴与连接轴之间固定连接有第一弹性件。
[0010]作为本专利技术进一步的方案：所述驱动调整结构还包括第一驱动轴和第二驱动轴，所述第一驱动轴与原料架固定连接，所述第二驱动轴与锁紧架相连接，分别方便驱动调整结构操控原料架和锁紧架的转动，所述第一驱动轴和第二驱动轴的顶端均开设有卡槽。
[0011]作为本专利技术进一步的方案：所述第三驱动轴和两组卡槽均为棱柱形，且第三驱动轴的尺寸与两组卡槽的尺寸相适配。
[0012]作为本专利技术进一步的方案：所述锁紧架包括与第二驱动轴相连接的连接辊和若干个滑动卡板，若干个所述滑动卡板均与原料架滑动连接且分别设置在对应原料卡板的一侧。
[0013]作为本专利技术进一步的方案：所述连接辊的侧面转动连接有若干个传动杆，所述传动杆远离连接辊的一端均转动连接有转动管，若干个所述转动管分别滑动连接在对应滑动卡板的外侧，且若干个转动管与对应的滑动卡板之间均固定连接有第二弹性件，通过设置转动管和第二弹性件，可以在各个传动杆运动轨迹相同时，改变对应滑动卡板的滑动轨迹。
[0014]作为本专利技术进一步的方案：若干个所述滑动卡板位于原料架内部一端的外侧均固定连接有限位件，限位件用于限制滑动卡板的移动长度，从而方便将硅片进行夹持。
[0015]作为本专利技术进一步的方案：所述加工箱内部靠近加工池的一侧固定连接有输送机构，所述输送机构的输出端固定连接有连接管，所述连接管的顶端固定连接有耐腐蚀管，所述耐腐蚀管的底端延伸至加工池内部底端的一侧，从而方便将加工池内部的清洗液进行扰动，将其转换为螺旋流动的状态，从而提高氧化膜腐蚀的速率。
[0016]作为本专利技术进一步的方案：所述加工池的内部设置有梯形的裙板，用于减少加工池内壁上的清洗液滞留，所述裙板的侧面开设有若干个汇聚槽，且汇聚槽侧面位于两组汇聚槽之间的部位均设置向两侧倾斜的倾斜面，用于将清洗液进行汇聚。
[0017]本专利技术还公开了一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的方法，包括以下步骤：步骤一：将各个支撑架分别与每列的原料卡板进行组装，再将各个硅片放置在支撑架与原料卡板之间；步骤二：将驱动调整结构中的连接轴与第二驱动轴进行组装，带动各个滑动卡板移动，将硅片夹持在滑动卡板与原料卡板之间，再将支撑架与各个原料卡板进行分离；步骤三：将驱动调整结构中的连接轴与第一驱动轴进行组装，再启动气缸，将原料架下降至加工池中；步骤四：将清洗液输送至加工池中，启动输送机构和驱动调整结构，将清洗液与硅片之间制造旋转扰动。
[0018]本专利技术的有益效果：
本专利技术中装置设置有若干个原料卡板和滑动卡板，可以同时将若干个硅片进行夹持，从而方便同时对多个硅片进行处理，并且本专利技术中还设置有与原料卡板配对的支撑架，支撑架可以将各个原料卡板的下侧进行支撑，从而方便将若干个硅片与原料卡板进行组装，并且在组装完成后，通过将驱动调整结构与第二驱动轴进行组装，即可带动各个滑动卡板将硅片进行夹持，综上所述，本专利技术可以更加方便同时对多个硅片进行组装，并且在组装时，可以防止硅片与装置脱落；另一方面，通过驱动调整结构，可以将装置在锁紧硅片和带动原料价旋转之间进行切换，结构简单，切换方便，并且在切换成旋转状态后，可以将硅片与加工池之间的清洗液之间发生旋转，从而可以实现扰动的目的，进而可以方便调整硅片氧化膜的腐蚀速率；进一步的，在加工池的内部一侧设置有耐腐蚀管，可以带动加工池内部的清洗液发生旋转，从而可以进一步的增大扰动幅度，并且扰动幅度均在可控范围内，调节更加方便。
附图说明
[0019]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0020]图1是本专利技术的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置，包括加工箱（1），所述加工箱（1）的两侧均固定连接有若干个气缸（2），且加工箱（1）的内部固定连接有加工池（9），若干个所述气缸（2）的输出端之间固定连接有盖板（3），其特征在于，所述盖板（3）的下表面固定连接有分隔架（4），所述分隔架（4）的下表面转动连接有延伸至加工池（9）内部的原料架（7），所述原料架（7）的侧面安装有若干个原料卡板（8），且原料架（7）的内部安装有与若干个原料卡板（8）相对应的锁紧架（10），所述分隔架（4）的内部安装有水平调整结构（5），所述水平调整结构（5）的输出端安装有驱动调整结构（6）。2.根据权利要求1所述的提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置，其特征在于，该腐蚀装置还包括若干个支撑架（15），所述支撑架（15）包括组装板（151），所述组装板（151）的侧面固定连接有若干个竖直分布的衬托板（152），且组装板（151）的侧面固定连接有把手（154），所述衬托板（152）的上表面均嵌入连接有对应原料卡板（8）连接的吸附件（153）。3.根据权利要求1所述的提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置，其特征在于，所述驱动调整结构（6）包括与水平调整结构（5）输出端相连接的液压杆，液压杆的输出端朝下且固定连接有驱动电机（61），所述驱动电机（61）的输出端固定连接有第三驱动轴（62），所述第三驱动轴（62）的外侧滑动连接有连接轴（63），且第三驱动轴（62）与连接轴（63）之间固定连接有第一弹性件（64）。4.根据权利要求3所述的提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置，其特征在于，所述驱动调整结构（6）还包括第一驱动轴（66）和第二驱动轴（67），所述第一驱动轴（66）与原料架（7）固定连接，所述第二驱动轴（67）与锁紧架（10）相连接，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：高洪涛，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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