本实用新型专利技术涉及真空烧结炉技术领域，公开了一种真空烧结炉温度自适应控制装置，包括主壳体，设置在主壳体外表面上的显示器，以及设置在主壳体内部的处理器，主壳体的一侧设置有背板，背板的外表面上设置有温检机构和外接机构，通过温度接收模块接收温度检测计传输的温度信号，通过阶段温度输入模块提前输入真空烧结炉不同阶段所需要的温度值，通过比对模块进行炉内温度与预设温度进行比对，当炉内温度高于或低于预设温度值时，通过高温调节模块或低温调节模块来自动调节真空烧结炉内温度的高低，从而实现自适应调节的目的，延迟性较低。延迟性较低。延迟性较低。
【技术实现步骤摘要】
一种真空烧结炉温度自适应控制装置
[0001]本技术涉及真空烧结炉
，具体为一种真空烧结炉温度自适应控制装置。
技术介绍
[0002]真空烧结炉是指在真空环境中对被加热物品进行保护性烧结的炉子，其加热方式比较多，如电阻加热、感应加热、微波加热等。真空烧结炉是利用感应加热对被加热物品进行保护性烧结的炉子，可分为工频、中频、高频等类型，可以归属于真空烧结炉的子类。
[0003]目前的真空烧结炉在控制温度上难以做到自适应控制，均是通过控制面板进行手动调控，从而导致在温度控制上具有一定的延迟性，局限性较高，且目前的控制装置难以固定在真空烧结炉上，且真空烧结炉外壁的余热对控制装置整体也有不利的影响，影响其使用寿命。
[0004]为此，我们提出了一种真空烧结炉温度自适应控制装置。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种真空烧结炉温度自适应控制装置，采用本装置进行工作，从而解决了上述背景中在控制温度上难以做到自适应控制，均是通过控制面板进行手动调控，从而导致在温度控制上具有一定的延迟性，局限性较高，且目前的控制装置难以固定在真空烧结炉上，且真空烧结炉外壁的余热对控制装置整体也有不利的影响，影响其使用寿命的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种真空烧结炉温度自适应控制装置，包括主壳体，设置在主壳体外表面上的显示器，以及设置在主壳体内部的处理器，主壳体的一侧设置有背板，背板的外表面上设置有温检机构和外接机构；
[0007]所述主壳体的一侧开设有放置槽，放置槽的内壁上设置有插孔，背板的两侧均设置有弹簧插杆，背板通过弹簧插杆与插孔相连接。
[0008]进一步地，所述温检机构包括设置在背板外表面上的支杆，套接在支杆外表面上的隔热管，以及设置在支杆一侧的内槽。
[0009]进一步地，所述内槽的内部设置有安装杆，安装杆的一端设置有温度检测计，温度检测计通过支杆设置在真空烧结炉内部。
[0010]进一步地，所述外接机构包括设置在背板一侧的条形板，设置在条形板外表面上的磁吸块，以及设置在条形板一侧的辅助杆，磁吸块与真空烧结炉外壁磁性连接。
[0011]进一步地，所述辅助杆的一端设置有隔热套，辅助杆通过隔热套与背板相连接。
[0012]进一步地，所述处理器包括设置在处理器内部的中央处理模块，设置在中央处理模块一侧的温度接收模块，以及设置在温度接收模块一侧的阶段温度输入模块，温度接收模块与温度检测计信号连接。
[0013]进一步地，所述处理器还包括信号连接在阶段温度输入模块一侧的比对模块，设
置在比对模块一侧的高温调节模块，以及设置在高温调节模块一侧的低温调节模块，通过温度接收模块接收温度检测计传输的温度信号，通过阶段温度输入模块提前输入真空烧结炉不同阶段所需要的温度值，通过比对模块进行温度比对，通过高温调节模块和低温调节模块来调节真空烧结炉内温度的高低。
[0014]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0015]1.本技术提出的一种真空烧结炉温度自适应控制装置，处理器的内部设置有中央处理模块，中央处理模块的一侧设置有温度接收模块，温度接收模块的一侧设置有阶段温度输入模块，温度接收模块与温度检测计信号连接，阶段温度输入模块的一侧设置有比对模块，比对模块的一侧设置有高温调节模块，高温调节模块的一侧设置有低温调节模块，通过温度接收模块接收温度检测计传输的温度信号，通过阶段温度输入模块提前输入真空烧结炉不同阶段所需要的温度值，通过比对模块进行炉内温度与预设温度进行比对，当炉内温度高于或低于预设温度值时，通过高温调节模块或低温调节模块来自动调节真空烧结炉内温度的高低，从而实现自适应调节的目的，延迟性较低。
[0016]2.本技术提出的一种真空烧结炉温度自适应控制装置，背板的一侧设置有条形板，条形板的外表面上设置有磁吸块，条形板的一侧设置有辅助杆，磁吸块与真空烧结炉外壁磁性连接，辅助杆的一端设置有隔热套，辅助杆通过隔热套与背板相连接，且在背板外表面上设置有支杆，支杆的外表面上设置有隔热管，隔热管可以阻挡真空烧结炉内的高温，降低支杆的温度，同时也降低了背板的温度，且隔热套也能够降低温度传递，进一步阻止高温传递到处理器上，提高处理器的使用寿命。
附图说明
[0017]图1为本技术的整体结构示意图；
[0018]图2为本技术的主壳体结构示意图；
[0019]图3为本技术的温检机构结构示意图；
[0020]图4为本技术的外接机构局部结构示意图；
[0021]图5为本技术的处理器工作程序框图。
[0022]图中：1、主壳体；11、放置槽；12、插孔；2、显示器；3、处理器；31、中央处理模块；32、温度接收模块；33、阶段温度输入模块；34、比对模块；35、高温调节模块；36、低温调节模块；4、温检机构；41、支杆；42、隔热管；43、内槽；44、安装杆；45、温度检测计；5、背板；51、弹簧插杆；6、外接机构；61、条形板；62、磁吸块；63、辅助杆；64、隔热套。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]为了解决如何实现自适应调节的技术问题，如图1、图2和图5所示，提供以下优选技术方案:
[0025]一种真空烧结炉温度自适应控制装置，包括主壳体1，设置在主壳体1外表面上的
显示器2，以及设置在主壳体1内部的处理器3，主壳体1的一侧设置有背板5，背板5的外表面上设置有温检机构4和外接机构6，主壳体1的一侧开设有放置槽11，放置槽11的内壁上设置有插孔12，背板5的两侧均设置有弹簧插杆51，背板5通过弹簧插杆51与插孔12相连接。
[0026]处理器3包括设置在处理器3内部的中央处理模块31，设置在中央处理模块31一侧的温度接收模块32，以及设置在温度接收模块32一侧的阶段温度输入模块33，温度接收模块32与温度检测计45信号连接，处理器3还包括信号连接在阶段温度输入模块33一侧的比对模块34，设置在比对模块34一侧的高温调节模块35，以及设置在高温调节模块35一侧的低温调节模块36。
[0027]具体的，通过温度接收模块32接收温度检测计45传输的温度信号，通过阶段温度输入模块33提前输入真空烧结炉不同阶段所需要的温度值，通过比对模块34进行炉内温度与预设温度进行比对，当炉内温度高于或低于预设温度值时，通过高温调节模块35或低温调节模块36来自动调节真空烧结炉内温度的高低，从而实现自适应调节的目的，延迟性较低。
[0028]为了解决如何提高处理器3使用寿命的技术问题，如图2
‑<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种真空烧结炉温度自适应控制装置，包括主壳体(1)，设置在主壳体(1)外表面上的显示器(2)，以及设置在主壳体(1)内部的处理器(3)，其特征在于：所述主壳体(1)的一侧设置有背板(5)，背板(5)的外表面上设置有温检机构(4)和外接机构(6)；所述主壳体(1)的一侧开设有放置槽(11)，放置槽(11)的内壁上设置有插孔(12)，背板(5)的两侧均设置有弹簧插杆(51)，背板(5)通过弹簧插杆(51)与插孔(12)相连接。2.根据权利要求1所述的一种真空烧结炉温度自适应控制装置，其特征在于：所述温检机构(4)包括设置在背板(5)外表面上的支杆(41)，套接在支杆(41)外表面上的隔热管(42)，以及设置在支杆(41)一侧的内槽(43)。3.根据权利要求2所述的一种真空烧结炉温度自适应控制装置，其特征在于：所述内槽(43)的内部设置有安装杆(44)，安装杆(44)的一端设置有温度检测计(45)，温度检测计(45)通过支杆(41)设置在真空烧结炉内部。4.根据权利要求1所述的一种真空烧结炉温度自适应控制装置，其特征在于：所述外接机构(6)包括设置在背板(5)一侧的条形板(61)，设置在条形板(61)外表面上的磁吸块(62)，以及设置在条形...
【专利技术属性】
技术研发人员：文金旋，杨晨，
申请(专利权)人：南京国祺新能源设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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