用于分子污染物及颗粒缓解的真空致动器容器制造技术

本发明专利技术公开一种用于真空环境中的光学安装座的致动器，其包含围绕致动器隔室的波纹管。所述波纹管提供围绕所述致动器的密封。过滤器组合件定位于所述致动器隔室与真空室的内部之间。所述过滤器组合件包含第一颗粒过滤器、第二颗粒过滤器及所述第一颗粒过滤器与所述第二颗粒过滤器之间的净化剂介质。所述致动器隔室中的真空条件可由所述真空室的泵实现，但来自所述致动器或致动器隔室的颗粒及污染物由所述过滤器组合件捕获。物由所述过滤器组合件捕获。物由所述过滤器组合件捕获。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于分子污染物及颗粒缓解的真空致动器容器
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案主张2019年8月12日申请且让与第62/885,798号美国申请案的临时专利申请案的优先权，所述案的公开内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本公开涉及用于半导体检验或计量的光学设备。

技术介绍

[0004]半导体制造产业的演进对良率管理及尤其是计量及检验系统提出更高要求。临界尺寸不断缩小，但产业需要减少实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测到良率问题到解决所述问题的总时间决定了半导体制造商的投资回报率。
[0005]制作例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用大量制造过程来处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是涉及将图案从分划板转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造过程。半导体制造过程的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。制作于单个半导体晶片上的多个半导体装置的布置可被分离成个别半导体装置。
[0006]集成电路装置的设计几何形状的不断缩小需要不断改进光学检验及计量工具。例如，光刻系统的光源长期以来一直朝向越来越小波长演进以借此允许建构越来越小结构。例如，使用可见波长光(例如400nm)让位于近紫外光(例如300nm)，近紫外光接着让位于深紫外(DUV)光(例如200nm)。接着，近来，DUV光源已让位于极紫外(EUV)源(例如13.5nm)。
[0007]随着半导体技术中的特征大小日益变小，光的波长已变成用于半导体过程中的光学过程(其包含光刻及晶片及掩模检验及计量)的限制因子。先进光学技术使用EUV光(例如11nm到15nm的范围内的波长及更具体来说，13.5nm的波长)来解决由日益变小特征大小导致的问题，且无碎片的明亮EUV光源在追求下一代半导体过程中是非常宝贵的。开专利技术亮EUV光源的挑战性方面是缓解来自等离子体产生过程的碎片，同时最小化由等离子体产生的EUV光的损失。
[0008]在EUV方案中操作的检验工具的缺点在于颗粒保护装置(例如薄膜，其常用于较长波长的工具中)无法用于EUV设置中，因为保护装置不透射EUV波长。此外，希望在EUV工具上受检验的分划板的临界尺寸会因太小而致使存在于分划板表面上的几乎任何颗粒将引起不可接受问题。举例来说，污染物颗粒可源自用于将检验光导引到分划板的附近光学器件。另外，用于在检验期间移动分划板的分划板台还可为污染物颗粒源。
[0009]此外，由于对准原因，需要致动EUV或其它真空环境检验系统中的一些光学器件。此需要一或多个自由度的精确(例如亚纳米级)准确移动。另外，一些光学器件很大(例如几公斤)且需要致动力来移动。这些光学器件在真空中移动。曝露的光学表面对来自挥发性有机化合物(VOC)及颗粒两者的污染物敏感。VOC可为污染物。移动光学器件所需的致动器可使挥发性烃释气。此致动可产生会落于系统内的临界表面上的颗粒。
[0010]目前，基于光的分划板检验系统中的颗粒控制由在已知方向上推动颗粒的流动空气实施。在真空系统中(例如在电子束检验系统中)，颗粒控制一般由经设计以减少颗粒的数目的少量正压及颗粒减少方法完成。先前方法具有若干缺点。例如，其未展示消除直径低到10nm的颗粒的能力。另外，先前方法已仅用于在检验之后允许分划板清洁的过程中。然而，EUV分划板检验工具必须应对较小颗粒，因为在检验之后不允许清洁。
[0011]差动泵浦可用于分离含有释气部分的真空环境。差动泵浦真空区域需要连接到泵浦系统。此对于较大组合件内的真空室来说可能难以实现。另外，真空泵会产生不利于精确对准光学器件的振动。
[0012]清洁过程会降低组件的释气率。大多数致动器含有释气且决不可能被完全缓解的润滑剂或其它材料。另外，在移动期间产生无法由清洁完全移除的额外分子及颗粒污染物。
[0013]因此，需要颗粒缓解的改进系统及方法。

技术实现思路

[0014]在第一实施例中，提供一种系统。所述系统包含：真空室；光学安装座，其安置于所述真空室中；光学组件，其安置于所述真空室中的所述光学安装座上；基底；波纹管，其安置于所述基底与所述光学安装座之间；致动器，其安置于所述致动器隔室中；及过滤器组合件，其安置成流体连通于所述致动器隔室与所述真空室的内部之间。所述波纹管、所述基底及所述光学安装座之间界定致动器隔室。所述波纹管提供所述基底与所述光学安装座之间的密封。所述致动器经配置以使所述光学安装座相对于所述基底移动。所述过滤器组合件包含第一颗粒过滤器、第二颗粒过滤器及安置于所述第一颗粒过滤器与所述第二颗粒过滤器之间的净化剂介质。
[0015]所述过滤器组合件可安置于所述基底中。
[0016]在例子中，所述系统进一步包含安置于所述基底上的气体路径。所述气体路径流体连通于所述致动器隔室与所述真空室之间。所述过滤器组合件安置于所述气体路径中。
[0017]所述波纹管可由不锈钢或其它材料制作。
[0018]所述第一颗粒过滤器及所述第二颗粒过滤器中的至少一者可为金属网或烧结金属。所述净化剂介质可包含活性碳、沸石、硅胶或聚合物中的至少一者。在例子中，所述第一颗粒过滤器及所述第二颗粒过滤器是金属网且所述净化剂介质包含活性碳。
[0019]所述系统可包含在与所述致动器隔室对置的所述波纹管的侧上安置于所述光学安装座上的多个挡板。所述挡板朝向所述基底延伸。
[0020]所述过滤器组合件可捕获具有3nm或更大的直径的颗粒的90％以上。
[0021]所述光学组件可经配置用于极紫外波长。
[0022]极紫外半导体检验工具可包含所述第一实施例的所述系统。
[0023]在第二实施例中，提供一种方法。在真空室中的光学安装座上提供光学组件。提供安置于所述光学安装座与基底之间的致动器。在所述基底与所述光学安装座之间安置波纹管。所述波纹管、所述基底及所述光学安装座之间界定致动器隔室。所述波纹管提供所述基底与所述光学安装座之间的密封。
[0024]由真空泵减小所述真空室及所述致动器隔室中的压力。从所述致动器隔室抽空的气体通过所述致动器隔室与所述真空室之间的过滤器组合件。所述过滤器组合件包含第一
过滤器、净化剂介质及第二过滤器。
[0025]所述过滤器组合件可安置于所述基底或安置于所述基底上的气体路径中。
[0026]所述第一过滤器及/或所述第二过滤器可为由金属制成的网。所述净化剂介质可包含活性碳、沸石、硅胶或聚合物中的至少一者。在例子中，所述第一过滤器及所述第二过滤器是由金属制成的网且所述净化剂介质包含活性碳。
[0027]所述方法可进一步包含使用所述致动器来使所述光学安装座相对于所述基底移动。
[0028]所述方法可进一步包含导引一束极紫外光通过所述真空室而到所述光学组件。
[0029]所述过滤器组合件可捕获具有3nm或更大的直径的颗粒的90％以上。
[0030]所述压力可小于10
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统，其包括：真空室；光学安装座，其安置于所述真空室中；光学组件，其安置于所述真空室中的所述光学安装座上；基底；波纹管，其安置于所述基底与所述光学安装座之间，其中所述波纹管、所述基底及所述光学安装座之间界定致动器隔室，其中所述波纹管提供所述基底与所述光学安装座之间的密封；致动器，其安置于所述致动器隔室中，其中所述致动器经配置以使所述光学安装座相对于所述基底移动；及过滤器组合件，其安置成流体连通于所述致动器隔室与所述真空室的内部之间，其中所述过滤器组合件包含第一颗粒过滤器、第二颗粒过滤器及安置于所述第一颗粒过滤器与所述第二颗粒过滤器之间的净化剂介质。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述过滤器组合件安置于所述基底中。3.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括安置于所述基底上的气体路径，其中所述气体路径流体连通于所述致动器隔室与所述真空室之间，且其中所述过滤器组合件安置于所述气体路径中。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述波纹管由不锈钢制作。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一颗粒过滤器及所述第二颗粒过滤器中的至少一者是金属网。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一颗粒过滤器及所述第二颗粒过滤器中的至少一者是烧结金属。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述净化剂介质包含活性碳、沸石、硅胶或聚合物中的至少一者。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一颗粒过滤器及所述第二颗粒过滤器是金属网，且其中所述净化剂介质包含活性碳。9.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括在与所述致动器隔室对置的所述波纹管的侧上安置于所述光学安装座上的多个挡板，其中所述挡板朝向所述基底延伸。10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：Z，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：