一种无功发生器调节电路制造技术

本实用新型专利技术属于无功发生器技术领域，公开了一种无功发生器调节电路，包括第一绝缘栅双极晶体管组、第二绝缘栅双极晶体管组、直流电容组、开关滤波器和限流电抗器，所述第一绝缘栅双极晶体管组和所述第二绝缘栅双极晶体管组与所述直流电容组并联，所述限流电抗器的输入端与所述第一绝缘栅双极晶体管组电性连接，所述限流电抗器的输出端分别与所述开关滤波器的一端和火线L电性连接，所述第二绝缘栅双极晶体管组、所述直流电容组和所述开关滤波器的另一端与零线N电性连接。本实用新型专利技术简化无功电路结构，提高电无功路可控制性，提高无功补偿容量。补偿容量。补偿容量。

【技术实现步骤摘要】
一种无功发生器调节电路


[0001]本技术属于无功发生器
，尤其涉及一种无功发生器调节电路。

技术介绍

[0002]无功发生器应用于电力系统中来提高电网的经济效益和改善供电质量，特别是对于低压配电系统，以非线性整流负载及大量的感性负载为主，负荷输出变化频繁，需要快速响应的可调无功功率来补偿负荷需要，维持系统的无功平衡，保证系统运行在高功率因数状态下，减少损耗，提高系统的运行效率。
[0003]现有技术的无功发生器在电网系统的应用运行中，电路结构复杂且占用空间大，可控性较差，补偿容量较低，这种情况需要改变。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种无功发生器调节电路，以解决上述
技术介绍
中所提到的问题。
[0005]为实现以上技术目的，采用的技术方案为：
[0006]一种无功发生器调节电路，包括第一绝缘栅双极晶体管组、第二绝缘栅双极晶体管组、直流电容组、开关滤波器和限流电抗器，所述第一绝缘栅双极晶体管组和所述第二绝缘栅双极晶体管组与所述直流电容组并联，所述限流电抗器的输入端与所述第一绝缘栅双极晶体管组电性连接，所述限流电抗器的输出端分别与所述开关滤波器的一端和火线L电性连接，所述第二绝缘栅双极晶体管组、所述直流电容组和所述开关滤波器的另一端与零线N电性连接。
[0007]本技术进一步设置为：所述第一绝缘栅双极晶体管组包括两个串联的第一IGBT晶体管和第二IGBT晶体管，所述第二绝缘栅双极晶体管组包括两个串联的第三IGBT晶体管和第四IGBT晶体管，所述直流电容组包括两个串联的第一直流电容和第二直流电容。
[0008]本技术进一步设置为：所述第一IGBT晶体管和所述第二IGBT晶体管的串联结点X与所述限流电抗器的输入端电性连接，所述第三IGBT晶体管和所述第四IGBT晶体管的串联结点Y以及所述第一直流电容和所述第二直流电容的串联结点Z与零线N电性连接。
[0009]本技术进一步设置为：所述开关滤波器包括RC低通滤波器和LC谐振滤波器，所述RC低通滤波器和所述LC谐振滤波器并联。
[0010]本技术进一步设置为：所述RC低通滤波器包括相串联的第一滤波电容和滤波电阻，所述LC谐振滤波器包括相串联的第二滤波电容和滤波电感。
[0011]本技术进一步设置为：所述LC谐振滤波器的谐振频率与所述第一绝缘栅双极晶体管组和所述第二绝缘栅双极晶体管组的开关频率相同。
[0012]本技术进一步设置为：所述限流电抗器由铁硅磁粉芯软磁材料制成，所述第一直流电容和所述第二直流电容为牛角铝电解电容器。
[0013]本技术进一步设置为：所述第一绝缘栅双极晶体管组和所述第二绝缘栅双极
晶体管组一体封装成形。
[0014]综上所述，与现有技术相比，本技术公开了一种无功发生器调节电路，第一绝缘栅双极晶体管组和第二绝缘栅双极晶体管组与直流电容组并联，限流电抗器的输入端与第一绝缘栅双极晶体管组电性连接，限流电抗器的输出端分别与开关滤波器的一端和火线L电性连接，第二绝缘栅双极晶体管组、直流电容组和开关滤波器的另一端与零线N电性连接。即通过此设置，简化电路结构，提高电路可控制性，提高无功补偿容量。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1是本实施例提供的一种无功发生器调节电路的电路图。
[0017]附图标记：1、第一绝缘栅双极晶体管组；11、第一IGBT晶体管；12、第二IGBT晶体管；2、第二绝缘栅双极晶体管组；21、第三IGBT晶体管；22、第四IGBT晶体管；3、直流电容组；31、第一直流电容；32、第二直流电容；4、开关滤波器；41、RC低通滤波器；411、第一滤波电容；412、滤波电阻；42、LC谐振滤波器；421、第二滤波电容；422、滤波电感；5、限流电抗器；6、补偿开关组；61、电感补偿支路开关；62、电容补偿支路开关。
具体实施方式
[0018]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0019]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0020]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0021]此外，上面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0022]一种无功发生器调节电路，如图1所示，包括第一绝缘栅双极晶体管组1、第二绝缘栅双极晶体管组2、直流电容组3、开关滤波器4和限流电抗器5，第一绝缘栅双极晶体管组1和第二绝缘栅双极晶体管组2与直流电容组3并联，限流电抗器5的输入端与第一绝缘栅双极晶体管组1电性连接，限流电抗器5的输出端分别与开关滤波器4的一端和火线L电性连
接，第二绝缘栅双极晶体管组2、直流电容组3和开关滤波器4的另一端与零线N电性连接。
[0023]在具体实施过程中，第一绝缘栅双极晶体管组1和第二绝缘栅双极晶体管组2一体封装成形，即通过此，缩短晶体管间的排布距离，节约了占用空间，保证其工作电压尖峰最小，降低了电压变化率和电流变化率，提高了抗干扰能力。
[0024]进一步的，通过第一绝缘栅双极晶体管组1和第二绝缘栅双极晶体管组2与直流电容组3并联，且直流电容组3包括两个串联的第一直流电容31和第二直流电容32，来降低电容间的等效串并联电阻，在减小空间占比的效果下，进一步的降低了电路损耗，从侧面提高了无功补偿容量。
[0025]在本实施例中，第一绝缘栅双极晶体管组1包括两个串联的第一IGBT晶体管11和第二IGBT晶体管12，第二绝缘栅双极晶体管组2包括两个串联的第三IGBT晶体管21和第四IGBT晶体管22，第一IGBT晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无功发生器调节电路，其特征在于：包括第一绝缘栅双极晶体管组、第二绝缘栅双极晶体管组、直流电容组、开关滤波器和限流电抗器，所述第一绝缘栅双极晶体管组和所述第二绝缘栅双极晶体管组与所述直流电容组并联，所述限流电抗器的输入端与所述第一绝缘栅双极晶体管组电性连接，所述限流电抗器的输出端分别与所述开关滤波器的一端和火线L电性连接，所述第二绝缘栅双极晶体管组、所述直流电容组和所述开关滤波器的另一端与零线N电性连接。2.如权利要求1所述的一种无功发生器调节电路，其特征在于，所述第一绝缘栅双极晶体管组包括两个串联的第一IGBT晶体管和第二IGBT晶体管，所述第二绝缘栅双极晶体管组包括两个串联的第三IGBT晶体管和第四IGBT晶体管，所述直流电容组包括两个串联的第一直流电容和第二直流电容。3.如权利要求2所述的一种无功发生器调节电路，其特征在于，所述第一IGBT晶体管和所述第二IGBT晶体管的串联结点X与所述限流电抗器的输入端电性连接，所述第三IGBT晶体管和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾纪海，
申请(专利权)人：深圳市雅鑫达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：