一种无痕式网版及其制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种无痕式网版及其制作工艺，包括隔离环体；本发明专利技术在丝印网纱放置于底部连接网和上下承接环网共同围成的下沉式容置槽内之前，预先将聚四氟乙烯材质的隔离环体安装于下沉式容置槽的底部四周，如此当丝印网纱放置于下沉式容置槽内时，丝印网纱的下端四周会与隔离环体的上端四周抵接，如此将底部连接网下端四周的切割位置沿着隔离环体的下端中间进行环形切割，如此由于隔离环体的阻隔使得丝印网纱不会被切割到。得丝印网纱不会被切割到。得丝印网纱不会被切割到。

【技术实现步骤摘要】
一种无痕式网版及其制作工艺


[0001]本专利技术涉及一种无痕式网版及其制作工艺。

技术介绍

[0002]网版是网版印刷的重要工具，也可以说是网版印刷的重要基础，随着太阳能电池追求低成本、高效率的发展，印刷时所使用的网版日益精进；如图1所示，现有的网版结构一般包括环形框体11、聚酯网层13、热熔膜粘接层14、钢丝网层12、PI膜层15，现有的工艺一般是将聚酯网层连接于环形框体11的上端，然后将钢丝网层12铺设于聚酯网层13的上端中间，然后将钢丝网层12的四周与下方的聚酯网层通过环形的热熔膜粘接层14进行热压连接，一般热熔膜的热压温度为160至175℃，然后将聚酯网层的底部中间进行切割形成环形的聚酯网层13，最后再将PI膜层15铺设于钢丝网层12的上端，通过热压复合工艺将PI膜层15热压于钢丝网层12上，然而PI膜层15的热压温度为190至210℃，如此在热压PI膜层时由于温度较高，部分热熔膜粘接层14会受到中间高温影响熔化掉落，如此影响钢丝网层12和聚酯网层13的粘接强度，另外由于需要减弱PI膜层15热压的高温对热熔膜粘接层14的影响，一般会在PI膜层15和热熔膜粘接层14之间留有比较大的隔热空隙16，如此使得PI膜层15不会过大的铺设于钢丝网层12上，PI膜层15的面积受到限制，进而使得PI膜层15的印刷图案面积受到限制，如此本专利技术需要对整个制作方法和结构进行重新设计；另外现有技术中在对聚酯网层底部四周进行切割时如果把握不好就会切割到丝印网纱，使得丝印网纱上留下切割痕迹，严重时会使得丝印网纱被切割开，如此一般需要有经验的作业人员进行切割，如此使得制作难度增加。

技术实现思路

[0003]针对上述现有技术的不足之处，本专利技术解决的问题为：提供一种防止留痕切开、粘接性好和印刷面积大的无痕式网版及其制作工艺。
[0004]为解决上述问题，本专利技术采取的技术方案如下：一种无痕式网版，包括环形框体、环形连接网、丝印网纱、环形粘接层、高分子雕刻膜、隔离环体；所述环形连接网包括底部环网、上下承接环网、上部环网；所述上下承接环网安装于上部环网和底部环网之间；所述上下承接环网的下端四周连接于底部环网的四周外侧；所述上下承接环网的上端四周连接于上部环网的四周内侧；所述底部环网和上下承接环网共同围成下沉式容置槽；所述隔离环体安装于下沉式容置槽的底部四周；所述隔离环体由聚四氟乙烯材料制成；所述上部环网的下端四周连接于环形框体的上端四周；所述丝印网纱安装于下沉式容置槽内；所述丝印网纱的下端四周与隔离环体的上端四周抵接；所述隔离环体的内侧四周延伸至底部环网的上端四周内侧；所述丝印网纱的上端中间连接高分子雕刻膜；所述丝印网纱的上端四周和上部环网的上端四周内侧之间通过环形粘接层进行连接。
[0005]进一步，所述环形粘接层的上端面位于高分子雕刻膜的上端面的上方。
[0006]进一步，所述环形框体为铝合金框体。
[0007]进一步，所述环形连接网为聚酯网材质。
[0008]进一步，所述丝印网纱为钢丝网材质。
[0009]进一步，所述环形粘接层为热熔膜。
[0010]进一步，所述高分子雕刻膜为PI雕刻膜。
[0011]一种无痕式网版的制作工艺，步骤如下：S1、丝网编织：将多条金属纬线和多条金属经线以上下交错的方式进行编织，如此形成一丝印网纱；S2、第一次热压：取一张高分子雕刻膜，将高分子雕刻膜覆盖于丝印网纱上端面的中间区域，然后通过热压工艺将高分子雕刻膜复合于丝印网纱上端面的中间；S3、铺网：取一个环形框体和一个连接网，连接网包括底部连接网、上下承接环网、上部环网；所述上下承接环网安装于上部环网和底部连接网之间；所述上下承接环网的下端四周连接于底部连接网的四周外侧；所述上下承接环网的上端四周连接于上部环网的四周内侧；所述底部连接网和上下承接环网共同围成下沉式容置槽，将连接网的上部环网的四周下端连接于环形框体的上端四周，将上下承接环网和底部连接网放置于环形框体的内部；S4、下沉隔离放置：取一个聚四氟乙烯材质的隔离环体，将隔离环体安装于下沉式容置槽的底部四周，步骤S2中经过热压复合的高分子雕刻膜和丝印网纱放置于底部连接网和上下承接环网共同围成的下沉式容置槽内，同时丝印网纱的下端四周与隔离环体的上端四周抵接，此时高分子雕刻膜的上端面与上部环网的上端面齐平；S5、第二次热压：在丝印网纱的上端四周和上部环网的上端四周内侧之间铺设环形粘接层，将环形粘接层通过热压工艺粘接于丝印网纱和上部环网之间；S6、剪切雕刻：将底部连接网的下端四周进行切割，底部连接网下端四周的切割位置沿着隔离环体的下端中间进行环形切割，使得底部连接网形成底部环网，在高分子雕刻膜上通过激光进行雕刻所需图案，如此制作完毕。
[0012]进一步，所述步骤S2和步骤S5中，均通过压合机进行热压复合。
[0013]进一步，所述步骤S3中，上部环网的四周下端和环形框体的上端四周通过粘接方式进行固定。
[0014]本专利技术的有益效果如下：1.本专利技术在丝印网纱放置于底部连接网和上下承接环网共同围成的下沉式容置槽内之前，预先将聚四氟乙烯材质的隔离环体安装于下沉式容置槽的底部四周，如此当丝印网纱放置于下沉式容置槽内时，丝印网纱的下端四周会与隔离环体的上端四周抵接，如此将底部连接网下端四周的切割位置沿着隔离环体的下端中间进行环形切割，如此由于隔离环体的阻隔使得丝印网纱不会被切割到。
[0015]2.本专利技术改变了传统先热压热熔膜再热压PI膜的作业方式，本专利技术是先热压PI膜再热压热熔膜的作业方式，本专利技术先将PI膜材质的高分子雕刻膜与丝印网纱进行在先热压，然后将高分子雕刻膜与丝印网纱热压后放置于聚酯材质的连接网上，再将连接网与丝印网纱通过热熔膜材质的环形粘接层进行热压，如此在后热压的热熔膜材质的环形粘接层不会被高温进行熔化滴落，而且PI膜材质的高分子雕刻膜在热压于丝印网纱上端的面积更
大；而在实际作业时由于环形粘接层的高度小于高分子雕刻膜的高度，所以在热压板向下热压环形粘接层时会被高分子雕刻膜阻挡，使得环形粘接层热压不到位，所以本专利技术将聚酯网材质的连接网进行了结构重新设计，将连接网设计呈底部连接网、上下承接环网、上部环网的连接结构，将上下承接环网的下端四周连接于底部连接网的四周外侧，将上下承接环网的上端四周连接于上部环网的四周内侧，并且底部连接网和上下承接环网共同围成下沉式容置槽，如此将经过热压复合的高分子雕刻膜和丝印网纱放置于底部连接网和上下承接环网共同围成的下沉式容置槽内，如此就降低了高分子雕刻膜的高度，此时高分子雕刻膜的上端面与上部环网的上端面齐平，如此在上部环网上端的环形粘接层在热压时就不会被高分子雕刻膜阻挡，实现充分的热压，如此克服了对换热压顺序的技术壁垒。
附图说明
[0016]图1为现有技术的网版结构示意图。
[0017]图2为本专利技术丝印网纱和高分子雕刻膜的热压复合结构示意图。
[0018]图3为本专利技术环形框体和连接网的结构示意图。
[0019]图4为本专利技术隔离环体安装于下沉式容置槽内的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无痕式网版，其特征在于，包括环形框体、环形连接网、丝印网纱、环形粘接层、高分子雕刻膜、隔离环体；所述环形连接网包括底部环网、上下承接环网、上部环网；所述上下承接环网安装于上部环网和底部环网之间；所述上下承接环网的下端四周连接于底部环网的四周外侧；所述上下承接环网的上端四周连接于上部环网的四周内侧；所述底部环网和上下承接环网共同围成下沉式容置槽；所述隔离环体安装于下沉式容置槽的底部四周；所述隔离环体由聚四氟乙烯材料制成；所述上部环网的下端四周连接于环形框体的上端四周；所述丝印网纱安装于下沉式容置槽内；所述丝印网纱的下端四周与隔离环体的上端四周抵接；所述隔离环体的内侧四周延伸至底部环网的上端四周内侧；所述丝印网纱的上端中间连接高分子雕刻膜；所述丝印网纱的上端四周和上部环网的上端四周内侧之间通过环形粘接层进行连接。2.根据权利要求1所述的无痕式网版，其特征在于，所述环形粘接层的上端面位于高分子雕刻膜的上端面的上方。3.根据权利要求1所述的无痕式网版，其特征在于，所述环形框体为铝合金框体。4.根据权利要求1所述的无痕式网版，其特征在于，所述环形连接网为聚酯网材质。5.根据权利要求1所述的无痕式网版，其特征在于，所述丝印网纱为钢丝网材质。6.根据权利要求1所述的无痕式网版，其特征在于，所述环形粘接层为热熔膜。7.根据权利要求1所述的无痕式网版，其特征在于，所述高分子雕刻膜为PI雕刻膜。8.一种根据权利要求1所述的无痕式网版的制作工艺，其特征在于，步骤如下：S1、丝网编织：将多条金属纬线和多条金属经线以上下交错的方式进行编织，如此形成一丝印网纱；S2、第一次热压：取一张高分子雕...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘国虎，
申请(专利权)人：江苏盛矽电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：