一种改善划片崩边的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善划片崩边的方法，包括以下步骤:步骤一：晶圆准备：选取MCZ硅单晶片，5寸晶向<111>，电阻率5.0

【技术实现步骤摘要】
一种改善划片崩边的方法


[0001]本专利技术涉及半导体芯片设计及制造
，具体涉及一种改善划片崩边的方法。

技术介绍

[0002]常规划片道典型结构如图1所示，在半导体晶圆在制造完成后，需要采用砂轮切割的方式将一颗颗芯片分离开，而切割用的砂轮是由硬质的金刚砂和粘合物构成的，砂轮高速旋转对晶圆切割道进行研磨切割。由于晶圆是由硅材料构成，硬度高，脆性也高，会在切割过程中出现崩缺的现象，如图2所示，业内将这一现象称为“崩边”。
[0003]由于单晶硅是硅原子是按晶格顺序连续排列的，故崩边现象会将晶格损伤延伸至硅芯片内部，如果延伸至芯片有效工作区，就会导致芯片电参数失效，所以崩边是导致芯片划片后损耗的一大因素。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种改善划片崩边的方法，是对芯片功能区进行掺杂工序的同时，对划片道区域也同时作掺杂工序，能够在设计光刻图形时，对划片道也设计掺杂区域，即不单独新增对划片道的掺杂工序，也不增加产品成本。
[0005]本专利技术所解决的技术问题为：
[0006]如何降低晶圆切割崩边现象的影响，从而提高芯片的良品率。
[0007]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0008]一种改善划片崩边的方法，包括以下步骤:
[0009]步骤一：晶圆准备
[0010]选取MCZ硅单晶片，5寸晶向<111>，电阻率5.0
‑
6.5Ω/cm，厚度220μm
±/>10％；
[0011]步骤二：划片道掺杂
[0012]在炉温1120℃，氧气2L/min、氮气3L/min、携源氮气1.2L/min的工况下进行磷液态源淀积；
[0013]沉积后，在炉温1140℃，氧气2.5L/min、氮气4L/min的工况下进行磷源推进；
[0014]使用四探针测试扩散方块电阻0.6Ω
±
10％，结深12μm
±
10％。
[0015]作为本专利技术进一步的方案：步骤二中划片道掺杂采用磷掺杂。
[0016]作为本专利技术进一步的方案：步骤二中磷液态源淀积的时间为25min。
[0017]作为本专利技术进一步的方案：步骤二中磷源推进的时间为150min。
[0018]本专利技术的有益效果：
[0019](1)本专利技术中是对划片道区域作高浓度的杂质掺杂工序，让划片道变得“疏松”，从而降低划片崩边以及由此所造成的晶格损伤的严重度，提高晶圆的划片质量；
[0020](2)本专利技术中是对芯片功能区进行掺杂工序的同时，对划片道区域也同时作掺杂工序，能够在设计光刻图形时，对划片道也设计掺杂区域，既不单独新增对划片道的掺杂工
序，也不增加产品成本。
附图说明
[0021]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0022]图1是现有技术中常规划片道的结构示意图；
[0023]图2是现有技术中晶圆崩边损伤的结构示意图；
[0024]图3是本专利技术划片道掺杂的结构示意图；
[0025]图4是本专利技术划片道的结构示意图；
[0026]图5是本专利技术双向裁剪台的立体图；
[0027]图6是本专利技术双向裁剪台的主视图。
[0028]图7是本专利技术驱动腔体内部结构示意图。
[0029]图中：1、双向裁剪台；101、晶圆裁切台；102、Y向丝杆；103、移动基座；2、龙门架；201、横向导向块；202、X向丝杆；203、驱动腔体；204、Z向丝杆；205、纵向导向块；206、裁切安装板；207、裁切电机。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]请参阅图3所示，本专利技术为一种改善划片崩边的方法，包括以下步骤:
[0032]步骤一：晶圆准备
[0033]选取MCZ硅单晶片，5寸晶向<111>，电阻率5.0
‑
6.5Ω/cm，厚度220μm
±
10％；
[0034]步骤二：划片道掺杂
[0035]采用磷掺杂，在炉温1120℃，氧气2L/min、氮气3L/min、携源氮气1.2L/min的工况下进行磷液态源淀积，磷液态源淀积的时间为25min；在炉温1140℃，氧气2.5L/min、氮气4L/min的工况下进行磷源推进，磷源推进的时间为150min；并使用四探针测试扩散方块电阻0.6Ω
±
10％，结深12μm
±
10％。
[0036]其中，在划片道掺杂前能够对晶圆进行氧化，氧化条件为在炉温1100℃，氧气4L/min，氢气5L/min的工况下制作场氧掩蔽层，氧化层厚度1.5μm
±
10％。
[0037]本方案的基础是单晶硅在无杂质掺杂时，晶格结构最完美，硬度最高，脆性也最高，而随着杂质原子的掺入，会形成杂质缺陷，而杂质缺陷会降低单晶硅材料的脆性，并成为晶格损伤扩展时的终止点，所以高浓度的杂质掺杂，可以让划片道变得“疏松”，从而降低划片崩边以及由此所造成的晶格损伤的严重度。
[0038]参阅图5
‑
图7，步骤一晶圆准备通过双向裁剪台1进行双向裁切，双向裁剪台1呈U型结构，便于块状支撑板的安装，在双向裁剪台1的U型结构两侧的侧板上竖直设置有块状支撑板，两侧的支撑板顶部固定设置有用于放置晶圆原料的晶圆裁切台101；
[0039]其中，块状支撑板的宽度与双向裁剪台1的侧板宽度一致，使整体结构更加美观。
[0040]双向裁剪台1内部两侧的侧板之间设置有Y向丝杆102，且在Y向丝杆102的两侧设
置有导向滑杆，双向裁剪台1内部的移动基座103螺纹连接在Y向丝杆102上，移动基座103滑动设置在导向滑杆上，且移动基座103上固定设置有龙门架2；
[0041]Y向丝杆102两侧的导向滑杆关于Y向丝杆102中心线对称，移动基座103位于螺纹孔两侧的开设有与导向滑杆相适配的通孔，移动基座103通过两侧的通孔滑动连接在导向滑杆上，使移动基座103在双向裁剪台1的内部滑动更加稳定，提高裁切机构对晶圆料的裁切精度。
[0042]晶圆裁切台101贯穿龙门架2设置，且在龙门架2的内部位于晶圆裁切台101的两侧分别设置有裁切机构，两个裁切机构在竖直方向上关于晶圆裁切台101在水平方向上的中线对称，实现两个裁切机构实现对晶圆料的同步裁切，提高裁切稳定性；
[0043]裁切机构包括固定设置在龙门架2内部的横向导向块201，横向导向块201内部在竖直方向上开设有贯穿的条形槽口，横向导向块201的条形槽口上滑动连接有驱动腔体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善划片崩边的方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤一：晶圆准备选取MCZ硅单晶片，5寸晶向<111>，电阻率5.0
‑
6.5Ω/cm，厚度220μm
±
10％；步骤二：划片道掺杂在炉温1120℃，氧气2L/min、氮气3L/min、携源氮气1.2L/min的工况下进行磷液态源淀积；沉积后，在炉温1140℃，氧气2.5L/min、氮气4L/min的工况下进行磷源推进；使用四探针测试扩散方块电阻0.6Ω
±
10％，结深12μm
±
10％。2.根据权利要求1所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，步骤二中划片道掺杂采用磷掺杂。3.根据权利要求1所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，步骤二中磷液态源淀积的时间为25min。4.根据权利要求1所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，步骤二中磷源推进的时间为150min。5.根据权利要求1所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，步骤一中的晶圆准备是通过双向裁剪台...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪侠，邹有彪，张荣，王全，霍传猛，肖海林，
申请(专利权)人：富芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：