一种蚀刻背镀DBR层的方法技术

本发明专利技术提出了一种蚀刻背镀DBR层的方法，所述方法包括：将晶圆背镀DBR层朝上，对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层；将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆。本发明专利技术所提出的蚀刻背镀DBR层的方法，工序流程简单方便。首先对DBR层进行气体蚀刻形成凹凸不平的DBR层。然后可通过蚀液对凹凸不平的DBR层进行充分蚀刻，达到剥离DBR层的效果。整个过程人工参与度较低，减少机械与人工成本。也减小了因人工造成破片的几率。也减小了因人工造成破片的几率。也减小了因人工造成破片的几率。

【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻背镀DBR层的方法


[0001]本申请涉及电子元件加工领域，尤其涉及一种蚀刻背镀DBR层的方法。

技术介绍

[0002]随着LED(发光二极管)发光效率的不断提高，LED已成为近年来最受重视的光源之一。目前业内竞争日益加剧，如何提升良率降低成本成为了各个公司的工作重点。在正装LED芯片制程中有道背镀DBR的工艺，以此来提升亮度。而目前芯片制作过程中涉及到的DBR返工，由于目前几乎找不到有效的溶液来溶解DBR中的TiO，故DBR返工目前业内还是采用研磨的方式将其返工。
[0003]目前较常用的返工方法是：wafer正面用上蜡机上粘贴蜡
→
用软抛机软抛背面DBR层
→
下蜡
→
清洗。
[0004]但是在实际应用时，上述方式存在如下缺陷：
[0005]1)在上蜡压蜡过程中，薄片由于存在一定的曲翘，故容易被压破；
[0006]2)经过再次软抛后，wafer的会越来越曲翘，导致后面的工序的破片概率增加；
[0007]3)有无返工干净，需要人为目视镜检，容易带来主观上的判定失误。容易出现返工不干净再次返工；
[0008]4)整个过程工序较繁琐，机械与人为成本较高。

技术实现思路

[0009]为解决上述技术问题之一，本专利技术提供了一种蚀刻背镀DBR层的方法。
[0010]本专利技术实施例第一方面提供了一种蚀刻背镀DBR层的方法，所述方法包括：
[0011]将晶圆背镀DBR层朝上，对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层；
[0012]将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆。
[0013]优选地，对所述DBR层进行气体蚀刻的气体为含氟气体。
[0014]优选地，所述对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层的过程为：
[0015]将所述晶圆背镀DBR层朝上置于ICP机台中；
[0016]采用所述含氟气体对所述DBR层进行气体蚀刻；
[0017]在所述含氟气体对所述DBR层进行气体蚀刻过程中，改变所述含氟气体或ICP机台的参数形成凹凸不平的DBR层。
[0018]优选地，所述改变所述含氟气体参数形成凹凸不平的DBR层的过程为：
[0019]在所述含氟气体对所述DBR层进行气体蚀刻过程中，关闭或降低所述含氟气体中氩气和/或氮气的流量，以形成均匀性为10％以上的凹凸不平的DBR层。
[0020]优选地，所述改变所述含氟气体的参数形成凹凸不平的DBR层的过程为：
[0021]在所述含氟气体对所述DBR层进行气体蚀刻过程中，改变所述含氟气体在流动过程中的压力，以形成均匀性为10％以上的凹凸不平的DBR层。
[0022]优选地，所述改变所述含氟气体的参数形成凹凸不平的DBR层的过程为：
[0023]在所述含氟气体对所述DBR层进行气体蚀刻过程中，改变ICP机台的解离功率或偏压功率，以形成均匀性为10％以上的凹凸不平的DBR层。
[0024]优选地，将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻的液体为BOE溶液或HF酸溶液。
[0025]优选地，所述将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆的过程为：
[0026]将所述气体蚀刻后的晶圆置于所述BOE溶液或HF酸溶液中；
[0027]通过所述BOE溶液或HF酸溶液对所述DBR层上暴露的SiO2进行蚀刻，并渗透至其他成分中继续蚀刻，直至所述DBR层完全从晶圆的背面剥离，形成剥离DBR层的晶圆。
[0028]优选地，在所述将晶圆背镀DBR层朝上，对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层之前，所述方法还包括：
[0029]在所述晶圆的正面涂覆光刻胶。
[0030]优选地，在所述将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆之后，所述方法还包括：
[0031]去除所述光刻胶；
[0032]将去除光刻胶的晶圆烤干。
[0033]本专利技术的有益效果如下：本专利技术所提出的蚀刻背镀DBR层的方法，工序流程简单方便。首先对DBR层进行气体蚀刻形成凹凸不平的DBR层。然后可通过蚀液对凹凸不平的DBR层进行充分蚀刻，达到剥离DBR层的效果。整个过程人工参与度较低，减少机械与人工成本。也减小了因人工造成破片的几率。
附图说明
[0034]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0035]图1为本专利技术实施例所述的蚀刻背镀DBR层的方法的流程示意图；
[0036]图2为本专利技术实施例所述的凹凸不平的DBR层的结构示意图；
[0037]图3为本专利技术实施例所述的对DBR层进行液体蚀刻的示意图；
[0038]图4为本专利技术实施例所述的剥离DBR层的晶圆的示意图；
[0039]图5为本专利技术实施例所述的涂覆有光刻胶的晶圆的示意图。
具体实施方式
[0040]为了使本申请实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0041]如图1所示，本实施例提出了一种蚀刻背镀DBR层的方法，该方法具体包括：
[0042]S101、将晶圆背镀DBR层朝上，对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层；
[0043]S102、将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆。
[0044]具体的，本实施例中，首先将晶圆置于ICP机台中，对DBR层进行气体蚀刻形成凹凸
不平的DBR层，如图2所示。然后可通过蚀液对凹凸不平的DBR层进行充分蚀刻，达到剥离DBR层的效果。其中，对DBR层进行气体蚀刻的气体为含氟气体。在该含氟气体进行气体蚀刻的过程中，通过改变含氟气体或ICP机台的参数即可形成凹凸不平的DBR层。本实施例中，形成凹凸不平的DBR层实际上相当于需要获得均匀性较差的DBR层。而为了获得均匀性较差的DBR层，则需要通过能够通过改变含氟气体或ICP机台参数实现均匀性较差的程序。本实施例提出三种可形成凹凸不平的DBR层的方案。
[0045]方案一
[0046]在含氟气体对DBR层进行气体蚀刻过程中，关闭或降低含氟气体中氩气和/或氮气的流量，以形成均匀性为10％以上的凹凸不平的DBR层。
[0047]具体的，气体流量中氩气和氮气的扩散作用对于气体蚀刻的一致性起到重要作用。那么，若要均匀性较差，则需关闭或降低氩气或氮气的流量。
[0048]方案二
[0049]在含氟气体对DBR层进行气体蚀刻过程中，改变含氟气体在流动过程中的压力，以形成均匀性为10％以上的凹凸不平的DBR层。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻背镀DBR层的方法，其特征在于，所述方法包括：将晶圆背镀DBR层朝上，对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层；将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述DBR层进行气体蚀刻的气体为含氟气体。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层的过程为：将所述晶圆背镀DBR层朝上置于ICP机台中；采用所述含氟气体对所述DBR层进行气体蚀刻；在所述含氟气体对所述DBR层进行气体蚀刻过程中，改变所述含氟气体或ICP机台的参数形成凹凸不平的DBR层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述改变所述含氟气体参数形成凹凸不平的DBR层的过程为：在所述含氟气体对所述DBR层进行气体蚀刻过程中，关闭或降低所述含氟气体中氩气和/或氮气的流量，以形成均匀性为10％以上的凹凸不平的DBR层。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述改变所述含氟气体的参数形成凹凸不平的DBR层的过程为：在所述含氟气体对所述DBR层进行气体蚀刻过程中，改变所述含氟气体在流动过程中的压力，以形成均匀性为10％以上的凹凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚钦，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：