基板处理装置及具备基板处理装置的基板处理系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够改变诸如退火腔室的热处理腔室的数量的基板处理装置及具备基板处理装置的基板处理系统。所述基板处理装置包括：第一腔室，对基板进行热处理；以及第二腔室，以热处理之外的其它方式处理基板，其中，第一腔室的数量根据需要对基板进行热处理的第二腔室的数量而改变。室的数量而改变。室的数量而改变。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及具备基板处理装置的基板处理系统


[0001]本专利技术涉及基板处理装置及具备基板处理装置的基板处理系统。更具体地，涉及设置有热处理腔室的基板处理装置及具备基板处理装置的基板处理系统。

技术介绍

[0002]制造半导体元件的工艺可在半导体制造设备中连续地执行，并且可以分为前工艺和后工艺。半导体制造设备可设置在被定义为工厂(FAB；Fabrication)的空间中以制造半导体元件。
[0003]前工艺是指在晶片(Wafer)上形成电路图案以完成芯片(Chip)的工艺。前工艺可以包括：在晶片上形成薄膜的沉积工艺(Deposition Process)、利用光掩模以将光刻胶(Photo Resist)转印到薄膜上的光刻工艺(Photo
‑
Lithography Process)、利用化学材料或反应性气体选择性地去除不需要的部分以在晶片上形成所期望的电路图案的蚀刻工艺(Etching Process)、去除蚀刻之后残留的光刻胶的灰化工艺(Ashing Process)；将离子注入到与电路图案连接的部分以使其具有电子元件的特性的离子注入工艺(Ion Implantation Process)、以及去除在晶片上的污染源的清洗工艺(Cleaning Process)。
[0004]后工艺是指评价通过前工艺完成的产品的性能的工艺。后工艺可以包括：检查晶片上的各个芯片是否工作以筛选良品和不良品的晶片检查工艺、通过切割(Dicing)、芯片接合(Die Bonding)、引线接合(Wire Bonding)、模塑(Molding)、标记(Marking)等步骤切割和分离各个芯片以使其具有产品形状的封装工艺(Package Process)、以及通过电特性检查、老化(Burn
‑
In)检查等步骤最终检查产品的特性和可靠性的最终检查工艺。

技术实现思路

[0005]半导体制造设备具有工艺腔室(Process Chamber)和退火腔室(Anneal Chamber)以处理基板(例如，晶片)。然而，由于退火腔室的使用频率低于工艺腔室的使用频率，因此半导体制造设备通常具有比工艺腔室更少的数量的退火腔室。因此，尽管退火工艺的工艺时间与其它工艺(例如，蚀刻工艺、清洗工艺等)相比很短，但是当需要退火工艺时，可能会发生因退火腔室的不足而引起的单位设备小时(UPEH：Unit Per Equipment Hour)的降低。
[0006]本专利技术要解决的技术问题是提供能够改变诸如退火腔室的热处理腔室的数量的基板处理装置及具备基板处理装置的基板处理系统。
[0007]本专利技术的技术问题不限于以上提及的技术问题，本领域的技术人员可以通过下面的描述清楚地理解未提及的其它技术问题。
[0008]用于解决上述技术问题的本专利技术的基板处理装置的一个方面包括：第一腔室，对基板进行热处理；以及第二腔室，以热处理之外的其它方式处理所述基板，其中，所述第一腔室的数量根据需要对所述基板进行热处理的所述第二腔室的数量而改变。
[0009]所述第一腔室可以设置为与所述第二腔室相同的数量，或设置为少于所述第二腔室的数量。
[0010]需要对所述基板进行热处理的所述第二腔室的数量可以根据是否产生工艺副产物而确定。
[0011]是否产生所述工艺副产物可以根据工艺温度和待处理物质的种类中的至少一个要素而确定。
[0012]所述基板处理装置还可以包括将所述基板移动到所述第一腔室和所述第二腔室中的任一个腔室的移送腔室，且所述第一腔室可以设置在未设置所述第二腔室的所述移送腔室的侧面。
[0013]所述基板处理装置还可以包括设置在所述移送腔室的第一侧面并且临时储存所述基板的缓冲单元，且所述第一腔室可以设置在所述移送腔室的第一侧面和与所述第一侧面相对的所述移送腔室的第二侧面中的至少一个侧面。
[0014]在所述第一腔室设置在所述第一侧面的情况下，所述第一腔室可以设置在所述缓冲单元的下方。
[0015]在所述第一腔室设置在所述第一侧面和所述第二侧面的情况下，所述第一腔室可以相比于所述第一侧面更多地设置在所述第二侧面。
[0016]在所述第一腔室设置为与所述第二腔室相同的数量的情况下，所述第一腔室可以与所述第二腔室一对一地工艺连接。
[0017]在所述第一腔室与所述第二腔室一对一地工艺连接的情况下，可以考虑到与所述第二腔室的距离而将所述第一腔室与所述第二腔室一对一地工艺连接。
[0018]所述第二腔室可以设置为多个，且所述第一腔室可以根据是否处于空闲状态而与多个第二腔室中的任一个第二腔室临时地工艺连接。
[0019]在多个第一腔室处于空闲状态的情况下，所述第二腔室与考虑到与各个第一腔室的距离而被选择的任一个第一腔室工艺连接。
[0020]所述第一腔室可以利用退火工艺对所述基板进行热处理。
[0021]所述第一腔室可以设置成能够安装和拆卸。
[0022]在不需要对所述基板进行热处理的情况下，所述第二腔室可以包括以金属为材料制造的卡盘。
[0023]所述第二腔室可以对所述基板进行蚀刻处理或清洗处理。
[0024]用于解决上述技术问题的本专利技术的基板处理装置的另一个方面包括：第一腔室，利用退火工艺对基板进行热处理；以及第二腔室，以热处理之外的其它方式处理所述基板，其中，所述第一腔室的数量根据需要对所述基板进行热处理的所述第二腔室的数量而改变，需要对所述基板进行热处理的所述第二腔室的数量根据是否产生工艺副产物而确定，且是否产生所述工艺副产物根据工艺温度和待处理物质的种类中的至少一个要素而确定。
[0025]用于解决上述技术问题的本专利技术的基板处理系统的一个方面包括：基板处理装置，包括对基板进行热处理的第一腔室、和以热处理之外的其它方式处理所述基板的第二腔室；以及控制部，控制所述第一腔室与所述第二腔室之间的工艺连接方法，其中，所述第一腔室的数量根据需要对所述基板进行热处理的所述第二腔室的数量而改变。
[0026]其它实施例的具体事项包括在详细的说明及附图中。
附图说明
[0027]图1是示意性地示出根据本专利技术一实施例的基板处理装置的内部结构的平面图。
[0028]图2是用于说明根据一实施形态的工艺腔室与热处理腔室之间的布置结构的平面图。
[0029]图3是用于说明根据一实施形态的工艺腔室与热处理腔室之间的布置结构的主视图。
[0030]图4是用于说明根据一实施形态的工艺腔室与热处理腔室之间的布置结构的后视图。
[0031]图5是用于说明工艺腔室的设置位置的示例图。
[0032]图6是用于说明根据一实施形态的工艺腔室与热处理腔室之间的各种工艺连接方法的第一示例图。
[0033]图7是用于说明根据一实施形态的工艺腔室与热处理腔室之间的各种工艺连接方法的第二示例图。
[0034]图8是用于说明根据另一实施形态的工艺腔室与热处理腔室之间的布置结构的平面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基板处理装置，包括：第一腔室，对基板进行热处理；以及第二腔室，以热处理之外的其它方式处理所述基板，其中，所述第一腔室的数量根据需要对所述基板进行热处理的所述第二腔室的数量而改变。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一腔室设置为与所述第二腔室相同的数量，或设置为少于所述第二腔室的数量。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，需要对所述基板进行热处理的所述第二腔室的数量根据是否产生工艺副产物而确定。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，是否产生所述工艺副产物根据工艺温度和待处理物质的种类中的至少一个要素而确定。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，还包括将所述基板移动到所述第一腔室和所述第二腔室中的任一个腔室的移送腔室，以及所述第一腔室设置在未设置所述第二腔室的所述移送腔室的侧面。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，还包括设置在所述移送腔室的第一侧面并且临时储存所述基板的缓冲单元，以及所述第一腔室设置在所述移送腔室的第一侧面和与所述第一侧面相对的所述移送腔室的第二侧面中的至少一个侧面。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，在所述第一腔室设置在所述第一侧面的情况下，所述第一腔室设置在所述缓冲单元的下方。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，在所述第一腔室设置在所述第一侧面和所述第二侧面的情况下，所述第一腔室相比于所述第一侧面更多地设置在所述第二侧面。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在所述第一腔室设置为与所述第二腔室相同的数量的情况下，所述第一腔室与所述第二腔室一对一地工艺连接。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，在所述第一腔室与所述第二腔室一对一地工艺连接的情况下，考虑与所述第二腔室的距离而将所述第一腔室与所述第二腔室一对一地工艺连接。11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第二腔室设置为多个，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：严永堤，丘峻宅，朴玩哉，金东勳，李城吉，李知桓，吴东燮，卢明燮，金杜里，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：