一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支撑件和所述第一边缘环移动。所述第二边缘环被布置于所述顶部边缘环下方并且在所述第一边缘环的径向外侧。径向外侧。径向外侧。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年2月13日申请的美国临时申请No.62/976,088以及于2019年8月5日申请的美国临时申请No.62/882,890的权益。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
[0002]本公开整体涉及等离子体处理系统，更具体地讲具有可移动边缘环的边缘环系统。
技术介绍
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统执行衬底(例如半导体晶片)上的处理。衬底处理的示例包括沉积、灰化、蚀刻、清洁和/或其他处理。处理气体混合物可供应至处理室，以处理衬底。等离子体可用于点燃气体，以增强化学反应。
[0005]在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。边缘环为环形，并且被布置为围绕并邻近衬底的径向外边缘。边缘环可用于使等离子体成形或聚焦至衬底上。在操作期间，衬底及边缘环的暴露表面被等离子体蚀刻。因此，边缘环磨损，且边缘环对等离子体的影响随时间推移而变化。
技术实现思路
[0006]一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支撑件和所述第一边缘环移动。所述第二边缘环被布置于所述顶部边缘环下方并且在所述第一边缘环的径向外侧。
[0007]在其他特征中，所述第二边缘环的所述下部相对于所述中间部径向朝内延伸，以在所述第二边缘环的所述下部与所述衬底支撑件的径向外表面之间限定第一间隙。所述第二边缘环的所述中间部在所述中间部与所述衬底支撑件的所述径向外表面之间限定第二间隙。所述第二间隙大于或等于所述第一间隙的两倍。
[0008]在其他特征中，当所述升降销升高所述第二边缘环和所述顶部边缘环时，所述第二边缘环的所述中间部平行于所述第一边缘环的径向外边缘而移动。所述顶部边缘环具有倒“U”形。所述顶部边缘环由导电材料制成。所述顶部边缘环由介电材料制成。所述第一边缘环由导电材料制成。所述第一边缘环由介电材料制成。所述第二边缘环的所述中间部相对于所述第二边缘环的所述上部径向朝内延伸，以限定第一环形凹部。
[0009]在其他特征中，所述第一边缘环在其上径向外表面上包括第二环形凹部。当所述顶部边缘环在下降位置时，所述顶部边缘环的径向内支脚位于所述第一环形凹部与所述第二环形凹部中。
[0010]在其他特征中，第三边缘环位于所述第一边缘环、所述第二边缘环和所述顶部边缘环下方且在径向外侧。所述第三边缘环在上径向内表面上限定环形凹部。当所述顶部边缘环在下降位置时，所述顶部边缘环的径向外支脚位于该环形凹部中。
[0011]在其他特征中，所述第三边缘环包括竖直孔以容纳所述升降销。所述第二边缘环具有大致矩形的横截面以及平行于所述衬底支撑件的径向外边缘的径向内表面。
[0012]一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括顶部边缘环。第一边缘环由介电材料制成并且包括完全嵌入所述介电材料内的嵌入式导体。所述第一边缘环位于所述顶部边缘环下方。所述顶部边缘环和所述第一边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支撑件移动。
[0013]在其他特征中，第二边缘环被布置于所述顶部边缘环下方。所述第一边缘环包括上部、中间部和下部。所述第一边缘环被布置于所述顶部边缘环下方并且在所述第二边缘环的径向外侧。
[0014]在其他特征中，所述第一边缘环的所述下部相对于所述中间部径向朝内延伸，并且在所述第二边缘环的所述下部与所述衬底支撑件的径向外表面之间限定第一间隙。所述第一边缘环的所述中间部在所述中间部与所述衬底支撑件的所述径向外表面之间限定第二间隙。所述第二间隙大于或等于所述第一间隙的两倍。
[0015]在其他特征中，当所述升降销升高所述第一边缘环和所述顶部边缘环时，所述第一边缘环的所述中间部平行于所述第二边缘环的径向外边缘而移动。所述顶部边缘环具有倒“U”形。
[0016]在其他特征中，所述嵌入式导体包括水平导体，其布置于所述上部中且平行于所述第一边缘环的上表面。所述嵌入式导体还包括竖直导体，其平行于所述第一边缘环的径向内表面布置于所述下部中。所述嵌入式导体还包括连接所述竖直导体与所述水平导体的导体。所述顶部边缘环由导电材料制成。所述顶部边缘环由介电材料制成。所述第二边缘环由介电材料制成。所述第二边缘环由导电材料制成。
[0017]在其他特征中，第三边缘环位于所述第一边缘环、所述第二边缘环和所述顶部边缘环下方并在径向外侧。所述第三边缘环在上径向内表面上限定环形凹部。当所述顶部边缘环在下降位置时，所述顶部边缘环的径向外支脚位于该环形凹部中。所述第三边缘环包括竖直孔以容纳所述升降销。
[0018]在其他特征中，所述第一边缘环由包含有导电迹线和通孔的陶瓷生片所制成。
[0019]一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括顶部边缘环。第一边缘环由介电材料制成，并且包括掺杂区域和未掺杂区域。掺杂区域比未掺杂区域更具导电性。第一边缘环位于顶部边缘环下方。顶部边缘环及第一边缘环被配置成当被升降销向上偏移时而在竖直方向上相对于衬底支撑件移动。
[0020]在其他特征中，第二边缘环布置于顶部边缘环下方。第一边缘环包括上部、中间部和下部。第一边缘环布置于顶部边缘环下方并且在第二边缘环的径向外侧。
[0021]在其他特征中，第一边缘环的下部相对于中间部径向朝内延伸，并在第二边缘环
的下部与衬底支撑件的径向外表面之间限定第一间隙。第一边缘环的中间部在中间部与衬底支撑件的径向外表面之间限定第二间隙。第二间隙大于或等于第一间隙的两倍。
[0022]在其他特征中，当升降销升高第一边缘环及顶部边缘环时，第一边缘环的中间部平行于第二边缘环的径向外边缘移动。掺杂区域布置成沿着第一边缘环的上表面及径向内表面。顶部边缘环具有倒“U”形。顶部边缘环由导电材料制成。顶部边缘环由介电材料制成。第二边缘环由导电材料制成。第二边缘环由介电材料制成。
[0023]在其他特征中，第三边缘环位于第一边缘环、第二边缘环和顶部边缘环下方并且在径向外侧。第三边缘环在上径向内表面上限定环形凹部。当顶部边缘环在下降位置时，顶部边缘环的径向外支脚位于环形凹部中。第三边缘环包括竖直孔以容纳升降销。
[0024]一种用于等离子体处理系统的边缘环包括由介电材料与导电材料中的至少一者所制成的环形体。环形体包括上部、中间部和下部。第一台阶部从上部与中间部之间的环形体的径向内表面径向朝外突出。第二台阶部从中间部与下部之间的环形体的径向内表面径向朝外突出。
[0025]在其他特征中，环形体由介本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统，其包括：顶部边缘环；第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方；以及第二边缘环，其由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部，其中所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支撑件和所述第一边缘环移动，其中所述第二边缘环被布置于所述顶部边缘环下方并且在所述第一边缘环的径向外侧。2.根据权利要求1所述的可移动边缘环系统，其中：所述第二边缘环的所述下部相对于所述中间部径向朝内延伸，以在所述第二边缘环的所述下部与所述衬底支撑件的径向外表面之间限定第一间隙，所述第二边缘环的所述中间部在所述中间部与所述衬底支撑件的所述径向外表面之间限定第二间隙，以及所述第二间隙大于或等于所述第一间隙的两倍。3.根据权利要求1所述的可移动边缘环系统，其中当所述升降销升高所述第二边缘环和所述顶部边缘环时，所述第二边缘环的所述中间部平行于所述第一边缘环的径向外边缘而移动。4.根据权利要求1所述的可移动边缘环系统，其中所述顶部边缘环具有倒“U”形。5.根据权利要求1所述的可移动边缘环系统，其中所述顶部边缘环由导电材料制成。6.根据权利要求1所述的可移动边缘环系统，其中所述顶部边缘环由介电材料制成。7.根据权利要求1所述的可移动边缘环系统，其中所述第一边缘环由导电材料制成。8.根据权利要求1所述的可移动边缘环系统，其中所述第一边缘环由介电材料制成。9.根据权利要求1所述的可移动边缘环系统，其中所述第二边缘环的所述中间部相对于所述第二边缘环的所述上部径向朝内延伸，以限定第一环形凹部。10.根据权利要求9所述的可移动边缘环系统，其中所述第一边缘环在其上径向外表面上包括第二环形凹部，且其中当所述顶部边缘环在下降位置时，所述顶部边缘环的径向内支脚位于所述第一环形凹部与所述第二环形凹部之间。11.根据权利要求1所述的可移动边缘环系统，其还包括第三边缘环，其位于所述第一边缘环、所述第二边缘环和所述顶部边缘环下方且在径向外侧，其中所述第三边缘环在上径向内表面上限定环形凹部，且其中当所述顶部边缘环在下降位置时，所述顶部边缘环的径向外支脚位于该环形凹部中。12.根据权利要求11所述的可移动边缘环系统，其中所述第三边缘环包括竖直孔以容纳所述升降销。13.根据权利要求1所述的可移动边缘环系统，其中所述第二边缘环具有大致矩形的横截面以及平行于所述衬底支撑件的径向外边缘的径向内表面。14.一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统，其包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其由介电材料制成并且包括完全嵌入所述介电材...
【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托弗，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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