一种半导体晶圆减薄后的去膜设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体晶圆减薄后的去膜设备，涉及晶圆去膜技术领域，包括底板，所述底板的上表面固定连接有两个相对称的支撑竖杆，所述支撑竖杆的上方设有移动横杆，所述移动横杆的上表面开设有通槽，每个所述支撑竖杆与移动横杆之间均设有挤压机构，所述移动横杆的下方设有两个相对称的限位机构，两个所述支撑竖杆之间固定连接有固定夹持板，两个所述支撑竖杆之间设有移动夹持板。本实用新型专利技术能够通过底板、支撑竖杆、移动横杆、通槽、固定夹持板、限位机构和移动夹持板的设置，当将晶圆插入至固定夹持板和移动夹持板之间后，限位机构能够对晶圆起到限位效果，能够使晶圆始终处于固定夹持板和移动夹持板之间。于固定夹持板和移动夹持板之间。于固定夹持板和移动夹持板之间。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆减薄后的去膜设备


[0001]本技术涉及晶圆去膜
，具体是一种半导体晶圆减薄后的去膜设备。

技术介绍

[0002]基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗之后，送到热炉管内，在含氧的环境中，以加热氧化的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000A到2000A的氮化硅层将以化学气相沉积的方式沉积在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影的制程，先在晶圆上上一层光阻，再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用蚀刻技术，将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。
[0003]在专利号为CN106340486A的专利中公开了一种一种晶圆夹持装置，晶圆夹持装置包括：第一夹持件，所述第一夹持件具有第一夹持端和第一活动端；第二夹持件，所述第二夹持件具有第二夹持端和第二活动端；驱动件，所述驱动件设置成同步驱动所述第一活动端和所述第二活动端相向或背向运动，其中，所述第一夹持端与所述第二夹持端相对设置以用于夹持晶圆。通过设置第一夹持件和第二夹持件，两个夹持端可以同步运动夹持住晶圆，从而可以避免晶圆与其他表面相接触，可以避免晶圆表面的磨损，可以提高晶圆的品质。
[0004]但上述专利中当对晶圆去膜操作时，容易造成晶圆的脱落，对晶圆的夹持固定效果不好，容易造成晶圆的损坏；为此，我们提供了一种半导体晶圆减薄后的去膜设备解决以上问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的就是为了弥补现有技术的不足，提供了半导体晶圆减薄后的去膜设备。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种半导体晶圆减薄后的去膜设备，包括底板，所述底板的上表面固定连接有两个相对称的支撑竖杆，所述支撑竖杆的上方设有移动横杆，所述移动横杆的上表面开设有通槽，每个所述支撑竖杆与移动横杆之间均设有挤压机构，所述移动横杆的下方设有两个相对称的限位机构，两个所述支撑竖杆之间固定连接有固定夹持板，两个所述支撑竖杆之间设有移动夹持板，所述移动夹持板的两端均固定连接有滑块，两个所述支撑竖杆相互靠近的一侧面均开设有滑槽，两个所述滑块分别滑动连接在两个滑槽的内部，所述底板的上方设有支撑机构。
[0007]进一步的，所述挤压机构包括固定在移动横杆底面的滑动杆一和开设在所述支撑竖杆上表面的空腔，所述空腔的内壁开设有卡槽，所述空腔的内底壁固定连接有弹簧二。
[0008]进一步的，所述弹簧二的上端固定连接有滑动杆二，所述滑动杆二的上端固定连接有固定块，所述滑动杆一的外表面开设有槽体，所述槽体的内部滑动连接有卡块。
[0009]进一步的，所述卡块位于槽体内部的一端固定连接有弹簧一，所述弹簧一远离卡
块的一端与槽体的内壁固定连接，所述卡块与卡槽相适配。
[0010]进一步的，所述限位机构包括固定在移动横杆底面的连接板，所述连接板的底端固定连接有固定板，所述固定板的外表面滑动连接有活动块。
[0011]进一步的，所述活动块贯穿固定板，所述固定板的外表面固定连接有固定框，所述活动块靠近固定框的一端固定连接有抽拉杆。
[0012]进一步的，所述抽拉杆贯穿固定框并与固定框滑动连接，所述抽拉杆位于活动块和固定框之间的外表面套设有弹簧三。
[0013]进一步的，所述支撑机构包括固定连接在底板上表面的固定筒，所述固定筒的内部滑动连接有插杆，所述插杆的底面固定连接有弹簧四，所述弹簧四的底面与固定筒的内壁固定连接。
[0014]与现有技术相比，该半导体晶圆减薄后的去膜设备具备如下有益效果：
[0015]1、本技术通过底板、支撑竖杆、移动横杆、通槽、固定夹持板、限位机构和移动夹持板的设置，当将晶圆插入至固定夹持板和移动夹持板之间后，限位机构能够对晶圆起到限位效果，能够使晶圆始终处于固定夹持板和移动夹持板之间。
[0016]2、通过挤压机构和支撑竖杆的设置，通过向下按压移动横杆，能够以后挤压机构对移动横杆进行限位，进而能够将晶圆固定在固定夹持板和移动夹持板之间，此时支撑机构会对移动夹持板起到向上的支撑力，进一步增强了对晶圆的夹持固定效果。
附图说明
[0017]图1为本技术立体结构示意图；
[0018]图2为本技术固定板和固定框左视图的内部结构示意图；
[0019]图3为本技术固定筒内部结构示意图；
[0020]图4为本技术支撑竖杆内部结构示意图；
[0021]图5为本技术图1中A处结构放大示意图。
[0022]图中：1、底板；2、支撑竖杆；3、移动横杆；4、通槽；5、挤压机构；51、滑动杆一；52、空腔；53、卡块；54、槽体；55、弹簧一；56、弹簧二；57、滑动杆二；58、固定块；59、卡槽；6、固定夹持板；7、限位机构；71、连接板；72、活动块；73、固定框；74、抽拉杆；75、弹簧三；76、固定板；8、移动夹持板；9、滑槽；10、滑块；11、支撑机构；110、固定筒；111、插杆；112、弹簧四。
具体实施方式
[0023]以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。
[0024]本实施例提供了一种半导体晶圆减薄后的去膜设备，该装置能够对晶圆起到良好的夹持固定效果，能够防止在去膜操作时造成晶圆脱落，不会由于晶圆脱落对晶圆造成损伤。
[0025]参见图1～图5，一种半导体晶圆减薄后的去膜设备，包括底板1，底板1的上表面固定连接有两个相对称的支撑竖杆2，支撑竖杆2的上方设有移动横杆3，移动横杆3的上表面开设有通槽4，通槽4的设置方便晶圆从通槽4的内部穿过。
[0026]每个支撑竖杆2与移动横杆3之间均设有挤压机构5，挤压机构5包括固定在移动横
杆3底面的滑动杆一51和开设在支撑竖杆2上表面的空腔52，滑动杆一51可以在空腔52的内部滑动。
[0027]空腔52的内壁开设有卡槽59，空腔52的内底壁固定连接有弹簧二56，弹簧二56的上端固定连接有滑动杆二57，滑动杆二57可以在空腔52的内部上下滑动。
[0028]滑动杆二57的上端固定连接有固定块58，滑动杆一51的外表面开设有槽体54，槽体54的内部滑动连接有卡块53，卡块53位于槽体54内部的一端固定连接有弹簧一55，弹簧一55远离卡块53的一端与槽体54的内壁固定连接，卡块53与卡槽59相适配。
[0029]当向下挤压滑动杆一51时，滑动杆一51向下移动挤压固定块58，固定块58向下推动滑动杆二57，滑动杆二57向下挤压弹簧二56，此时弹簧二56收缩，当卡块53移动至卡槽59的位置时，弹簧一55伸长，将卡块53插入至卡槽59的内部，进而能够对滑动杆一51起到限位的作用，从而能够对移动横杆3进行限位。
[0030]移动横杆3的下方设有两个相对称的限位机构7，限位机构7包括固定在移动横杆3底面的连接板71，连接板71为L型状，连接板71的底端固定连接有固定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆减薄后的去膜设备，包括底板(1)，其特征在于：所述底板(1)的上表面固定连接有两个相对称的支撑竖杆(2)，所述支撑竖杆(2)的上方设有移动横杆(3)，所述移动横杆(3)的上表面开设有通槽(4)，每个所述支撑竖杆(2)与移动横杆(3)之间均设有挤压机构(5)，所述移动横杆(3)的下方设有两个相对称的限位机构(7)，两个所述支撑竖杆(2)之间固定连接有固定夹持板(6)，两个所述支撑竖杆(2)之间设有移动夹持板(8)，所述移动夹持板(8)的两端均固定连接有滑块(10)，两个所述支撑竖杆(2)相互靠近的一侧面均开设有滑槽(9)，两个所述滑块(10)分别滑动连接在两个滑槽(9)的内部，所述底板(1)的上方设有支撑机构(11)。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆减薄后的去膜设备，其特征在于：所述挤压机构(5)包括固定在移动横杆(3)底面的滑动杆一(51)和开设在所述支撑竖杆(2)上表面的空腔(52)，所述空腔(52)的内壁开设有卡槽(59)，所述空腔(52)的内底壁固定连接有弹簧二(56)。3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆减薄后的去膜设备，其特征在于：所述弹簧二(56)的上端固定连接有滑动杆二(57)，所述滑动杆二(57)的上端固定连接有固定块(58)，所述滑动杆一(51)的外表面开设有槽体(54)，所述槽体(54)的内部滑动连接有卡块(53)。4.根据权利要求3所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：张健，
申请(专利权)人：上海茸晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：