一种光致抗蚀剂的剥离液组合物制造技术

本发明专利技术涉及抗蚀剂技术领域，且公开了一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，包括以下含量的原料组成：有机碱1％

【技术实现步骤摘要】
一种光致抗蚀剂的剥离液组合物


[0001]本专利技术涉及抗蚀剂
，具体为一种光致抗蚀剂的剥离液组合物。

技术介绍

[0002]堆叠封装技术可显著提高半导体电子元器件集成密度，满足电子封装的小型化、薄型化及高传输性的需求，其中铜柱结构封装基板是一项新技术路线，其优点主要有：
[0003]1、采取铜柱互联能实现高性能的封装，主要表现在铜柱具有比焊球更低的电阻率，更有利于信号传输，铜柱互联具有比焊球互联更高的平均失效时间(铜柱结构的平均失效时间是焊球互联的2.3倍)；
[0004]2、铜具有极高的热导率，从而实现芯片向基板上迅速散热；
[0005]3、对于给定的基板表面焊盘节距，采用铜柱互联具有比焊球互联更大的间隙，从而获得更好的可制造性和可靠性；
[0006]4、可以实现基板上更高密度的布线,从而减小基板的层数和尺寸。
[0007]但随之而来的是厚干膜选择和剥离问题，在高阶IC载板和晶圆制作过程中，厚干膜的使用起着至关重要的作用，在“成像”完成后，干膜能否顺利完全去除，直接影响着蚀刻等后工序，IC载板铜柱制程中还采用厚度为100um 以上的厚膜，总厚度达200-300um厚度，对于厚干膜的剥离，大于100μm的厚干膜，用现有的剥离方法，难以完全退除干净，即便通过延长接触时间，提高工作温度，或者增加溶液的攻击性可以使剥离效果得到改善，但是仍然不能满足要求，也带来新问题，线路腐蚀、介电层腐蚀加重，为此我们提出了一种光致抗蚀剂的剥离液组合物。

技术实现思路

[0008]针对现有技术存在的上述不足，本专利技术提供了一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，尤其适用于IC载板或是晶圆制作时厚度为100μm以上的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。
[0009]本专利技术提供如下技术方案：一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，包括以下含量的原料组成：
[0010]有机碱
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1％-25％
[0011]加速剂
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0.1-30％
[0012]表面活性剂
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0.1-15％
[0013]渗透剂
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0.1-10％
[0014]护铜剂
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0.1-8％
[0015]干膜收缩剂
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0.1-5％
[0016]优选的，有机碱是乙二胺类、烷基胺类、烷基醇胺类，比如有乙二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺，异丙醇胺，甲醇二乙醇胺、丙醇乙醇胺、丙醇二乙醇胺的一种或两种以上混合。
[0017]优选的，加速剂主要为醚类，可以是甲醚、乙醚，大防白、小防白等的一种或其中两
种以上混合。
[0018]优选的，护铜剂优选芳香族羟基化合物和唑类化合物中的至少一种，且芳香族羟基化合物优选没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种，唑类化合物选择三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。
[0019]优选的，渗透剂主要为低分子量耐酸碱表面活性剂。
[0020]优选的，干膜收缩剂主要为低分子量合成物质。
[0021]与现有技术对比，本专利技术具备以下有益效果：
[0022]该光致抗蚀剂的剥离液组合物，具有以下作用：
[0023]1、低温，50-60℃；
[0024]2、低咬铜；
[0025]3.、不攻击介电层；
[0026]4、处理时间段短，5-10min；
[0027]如此可以在最短时间内促使干膜碎裂并变性，已最大限度减少对介电层攻击，甚至不攻击，适用于IC载板或是晶圆制作时厚度为100μm以上的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。
具体实施方式
[0028]为了使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，因此对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明，以避免不必要地混淆本专利技术的概念。
[0029]一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，包括以下含量的原料组成：
[0030]有机碱
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1％-25％
[0031]加速剂
ꢀꢀ
0.1-30％
[0032]表面活性剂
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0.1-15％
[0033]渗透剂
ꢀꢀ
0.1-10％
[0034]护铜剂
ꢀꢀ
0.1-8％
[0035]干膜收缩剂
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0.1-5％
[0036]有机碱是乙二胺类、烷基胺类、烷基醇胺类，比如有乙二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺，异丙醇胺，甲醇二乙醇胺、丙醇乙醇胺、丙醇二乙醇胺的一种或两种以上混合。
[0037]加速剂主要为醚类，可以是甲醚、乙醚，大防白、小防白等的一种或其中两种以上混合。
[0038]护铜剂优选芳香族羟基化合物和唑类化合物中的至少一种，且芳香族羟基化合物优选没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种，唑类化合物选择三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。
[0039]渗透剂主要为低分子量耐酸碱表面活性剂，可以和铜单质形成稳定的结合键，可以快速打断干膜某些成分形成共价键，达到干膜和铜面快速分离的效果。
[0040]干膜收缩剂主要为低分子量合成物质，退膜收缩为含有氧取代环状有机物，或是含有卤素取代基的环状含氧有机物，在一定温度、压力、压强条件下加成反应所得，卤素反应前体可以为HCl溶液，氯化钠溶液，溴化钠溶液， HBr溶液中的一种或几种，含氧环状有机
物可以为呋喃衍生物，吡喃衍生物，吗啉衍生物，糠醛衍生物，该加速剂一方面可以和铜形成稳定的共价键，同时可以和充分打断树脂结合键，同时反映所得特性基团可以促使干膜碎在一定程度上收缩，三者同时作用，促使干膜迅速剥离。
[0041]试验表格：
[0042][0043][0044][0045]将试验编号1-12中的组合物配置出，并对厚膜进行剥离，其实验数据如下：
[0046]试验编号退膜品质铜面防护膜渣1OK铜面光亮粉状2OK铜面光亮粉状3OK铜面光亮粉状4OK铜面光亮粉状5OK铜面光亮粉状6OK铜面光亮粉状7OK铜面光亮粉状8OK铜面光亮粉状9OK铜面光亮粉状10OK铜面光亮粉状11OK铜面光亮粉状12OK铜面光亮粉状
[0047]由此可看出该光致抗蚀剂的剥离液组合物，适用于IC载板或是晶圆制作时的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。
[0048]以上实施例仅为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于，包括以下含量的原料组成：2.根据权利要求1所述的一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于：所述有机碱是乙二胺类、烷基胺类、烷基醇胺类，比如有乙二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺，异丙醇胺，甲醇二乙醇胺、丙醇乙醇胺、丙醇二乙醇胺的一种或两种以上混合。3.根据权利要求1所述的一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于：所述加速剂主要为醚类，可以是甲醚、乙醚，大防白、小防白等的一种或其中两种以上混合。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建平，陈亮周，刘元，尹红桥，
申请(专利权)人：珠海市丹尼尔电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：