薄膜的制备方法和发光二极管技术

本申请涉及显示技术领域，提供了一种薄膜的制备方法和发光二极管。本申请提供的薄膜的制备方法包括：提供干膜和惰性气氛，惰性气氛掺杂有芳香族化合物，且芳香族化合物能溶解干膜；将干膜在惰性气氛下进行静置处理、加热处理或紫外光辐照处理。通过上述方法，使得芳香族化合物在浸润过程中能进一步溶解分散干膜表面的大颗粒物质，从而提高薄膜表面颗粒的均匀度，降低薄膜表面的粗糙度，进而获得表面平整的薄膜。当应用于发光二极管的空穴功能层时，有利于改善空穴功能层的薄膜形貌，降低空穴功能层与发光层的界面电阻，提高器件的空穴传输效率，有效平衡器件的空穴传输效率和电子传输效率，从而提高器件的光电性能和工作寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
薄膜的制备方法和发光二极管


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种薄膜的制备方法，以及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]QLED(Quantum Dots Light-Emitting Diode，量子点发光二极管)，是一种新兴的显示器件，结构与OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光显示器)相似，即主要由空穴传输层、发光层和电子传输层组成的三明治结构。这是一项介于液晶和OLED之间的新型技术，QLED的核心技术为“Quantum Dot(量子点)”，量子点是一种粒子直径不足10nm的颗粒，常由锌、镉、硒和硫原子构成。早在1983年，美国贝尔实验室的科学家就对其进行深入研究，数年后美国耶鲁大学的物理学家马克
·
里德正式将其命名为“量子点”。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定，通过利用这一特性，可以改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可以调节，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的画面更加的清晰明亮。
[0003]对比OLED,QLED的特点在于其发光材料采用性能更加稳定的无机量子点。量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、量子尺寸效应和表面效应使其展现出出色的物理性质,尤其是其光学性能。相对于有机荧光染料，胶体法制备的量子点具有光谱可调，发光强度大、色纯度高、荧光寿命长，单光源可激发多色荧光等优势。此外，QLED的寿命长，封装工艺简单或无需封装，有望成为下一代的平板显示器，具有广阔发展前景。QLED是基于无机半导体量子点的电致发光，理论上说，无机半导体量子点的稳定性要高于有机小分子及聚合物；另一方面，由于量子限域效应，使得量子点材料的发光线宽更小，从而使其具有更好的色纯度。目前，QLED的发光效率已经基本达到商业化的需求。
[0004]然而，实际的现阶段制备的QLED器件工作寿命远没有达到理论应有的长度，并且测试过程中经常会出现荧光猝灭的现象，此种情况的发生极大的制约了量子点发光器件的研发进展。究其原因，上述问题主要是器件的空穴载流子和电子载流子的传输速率不平衡导致的。因而，如何解决器件的空穴传输效率与电子传输速率不平衡的问题是现阶段量子点研发的焦点。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种薄膜的制备方法，以及一种发光二极管的制备方法和发光二极管，旨在解决现有发光二极管的空穴传输效率与电子传输速率不平衡的问题。
[0006]为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请提供一种薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0008]提供干膜和惰性气氛，所述惰性气氛掺杂有芳香族化合物，且所述芳香族化合物能溶解所述干膜；
[0009]将所述干膜在所述惰性气氛下进行静置处理、加热处理或紫外光辐照处理，得到
所述薄膜。
[0010]第二方面，本申请提供了一种发光二极管的制备方法，包括以下制备空穴功能层的步骤：
[0011]提供干膜和惰性气氛，所述惰性气氛掺杂有芳香族化合物，且所述芳香族化合物能溶解所述干膜；
[0012]将所述干膜在所述惰性气氛下进行静置处理、加热处理或紫外光辐照处理，得到所述空穴功能层。
[0013]第三方面，本申请提供一种发光二极管，包括：相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，以及设置在所述阳极和所述发光层之间的空穴功能层；
[0014]其中，所述空穴功能层包括上述制备方法制得的薄膜。
[0015]本申请所提供的薄膜的制备方法，惰性气氛掺杂有能溶解干膜的芳香族化合物，将干膜在掺杂有芳香族化合物的惰性气氛下进行静置处理，使得芳香族化合物在浸润干膜的过程中能进一步溶解分散干膜表面的大颗粒物质，从而提高薄膜表面颗粒的均匀度，降低薄膜表面的粗糙度，进而获得表面平整的薄膜。在发光二极管中，粗糙度是影响空穴功能层的空穴传输效率的关键因素之一，当本申请方法制备的薄膜应用于发光二极管的空穴功能层时，有利于改善空穴功能层的薄膜形貌，一方面，减少了空穴功能层的表面缺陷，降低了载流子在空穴功能层界面的复合概率，另一方面，提高了空穴功能层与发光层间的界面接触性能，降低了空穴功能层与发光层的界面电阻，因而，通过本申请提供的方法可从整体上提高器件的空穴传输效率，从而有效平衡器件的空穴传输效率和电子传输效率，进而提高器件的光电性能和工作寿命。
[0016]本申请所提供的发光二极管的制备方法，其空穴功能层的制备利用了上述薄膜的制备方法，有利于制备表面平整的空穴功能层，改善空穴功能层的薄膜形貌，有助于提高器件的空穴传输效率，从而有效平衡器件的空穴传输效率和电子传输效率，进而提高器件的光电性能和工作寿命。
[0017]本申请所提供的发光二极管，其空穴功能层包括上述制备方法制得的薄膜，具有优异的光电性能和工作寿命。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本申请一实施例提供的一种薄膜的制备方法的流程图；
[0020]图2是本申请一实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
[0021]图3是本申请另一实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
[0022]图4是本申请实施例1中在密闭容器中静置处理方法的示意图；
[0023]图5是本申请实施例3中在密闭容器中加热处理方法的示意图；
[0024]图6是本申请实施例4中在密闭容器中紫外辐照处理方法的示意图；
[0025]图7是实施例1和对比例1的发光二极管的TFB层的粗糙度对比图；
[0026]图8是实施例1-5和实施例2的发光二极管的电学性能对比结果。
具体实施方式
[0027]为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0028]本申请中，“至少一种”是指一种或者多种，是指的这些项中的任意组合，包括单项或复数项的任意组合。例如，“a、b或c中的至少一种”，或，“a、b和c中的至少一种”，均可以表示：a、b、c、a-b(即a和b)、a-c、b-c或a-b-c。
[0029]如图1所示，本申请实施例提供了一种薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0030]S01、提供干膜和惰性气氛，惰性气氛掺杂有芳香族化合物，且芳香族化合物能溶解干膜；
[0031]S02、将干膜在惰性气氛下进行静置处理、加热处理或紫外光辐照处理，得到所述薄膜。
[0032]本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供干膜和惰性气氛，所述惰性气氛掺杂有芳香族化合物，且所述芳香族化合物能溶解所述干膜；将所述干膜在所述惰性气氛下进行静置处理、加热处理或紫外光辐照处理，得到所述薄膜。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述干膜在所述惰性气氛下进行静置处理的步骤中，所述惰性气氛中的所述芳香族化合物的体积浓度为2％-5％。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述静置处理的时间为30-60分钟。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述干膜在所述惰性气氛下进行加热处理的步骤中，所述惰性气氛中的所述芳香族化合物的体积浓度为1％-1.5％。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述加热处理包括：在150℃-200℃下加热3-5分钟。6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述干膜在所述惰性气氛下进行紫外光辐照处理的步骤中，所述惰性气氛中的所述芳香族化合物的体积浓度为1％-1.5％。7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述紫外光辐照处理包括：使用紫外光对所述干膜进行辐照处理，所述紫外光的功率为2-3W，频率0.8-1.2Hz，脉冲宽度为18-22nm，激光能量为4.4-5.5eV，所述辐照处理的时间为50-70秒。8.如权利要求1至7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述芳香族化合物选自氯苯、溴苯和碘苯中的至少一种；和/或所述干膜的材料选自PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，严怡然，杨帆，赖学森，洪佳婷，张建新，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：