一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，属于半导体加工领域。靶盘包括靶盘本体、设置在靶盘本体上的若干个大盘以及与大盘转动连接的压环；所述大盘表面设置有限位柱；所述压环设置有与所述限位柱相适应的限位孔；所述压环内壁设置有围挡环，所述围挡环用于固定晶圆薄片。通过上述靶盘结构，在晶圆薄片加工时，减小晶圆薄片边缘局部压强，降低离子注入工序中的碎片率。降低离子注入工序中的碎片率。降低离子注入工序中的碎片率。

【技术实现步骤摘要】
一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构


[0001]本技术涉及半导体加工，具体涉及一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构。

技术介绍

[0002]离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型，进行离子注入的离子注入机是集成电路制造工艺中极为重要的设备。离子注入机中设置靶盘用于承载晶圆薄片，传统的靶盘通常以两侧点压式的薄片夹具为固定装置，由于两侧点压式的薄片夹具与晶圆薄片的接触受力面较小，在离子注入时靶盘高速旋转，容易导致晶圆薄片两侧缺角或裂纹，产生碎片，进而影响靶盘使用寿命。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是降低离子注入工序中的碎片率，目的在于提供一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，解决晶圆薄片因靶盘固定压力易碎片的问题。
[0004]本技术通过下述技术方案实现：
[0005]一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，包括靶盘本体，安装在所述靶盘本体上的若干个大盘，以及与所述大盘转动连接的压环；所述大盘表面设置有限位柱；所述压环设置有与所述限位柱相适应的限位孔；所述压环内壁设置有围挡环，所述围挡环用于固定晶圆薄片。
[0006]本技术，大盘用于承载晶圆薄片，限位柱与限位孔相配合限制晶圆薄片移动，压环用于固定晶圆薄片，通过在压环上设置围挡环，增加压环与晶圆薄片的接触受力面，减小晶圆薄片在固定过程中受到的压力，在离子注入时，能有效的降低晶圆薄片的碎片率。
[0007]进一步的，所述围挡环直径与晶圆薄片相适应，所述围挡环与晶圆薄片边缘线接触。以线接触的方式增大晶圆薄片的接触受力面。
[0008]进一步的，所述围挡环中心与所述压环中心相重合。
[0009]进一步的，所述大盘包括转动连接座和工作台，所述转动连接座设置在所述靶盘本体上，所述工作台用于承载晶圆薄片。
[0010]进一步的，所述压环包括转动连接槽和围挡环，所述转动连接槽与所述转动连接座相配合。
[0011]本技术中，所述转动连接座侧壁设置有转动连接内孔，所述转动连接内孔内壁设置有内螺纹；所述转动连接槽侧壁设置有转动连接外孔，所述转动连接外孔与所述转动连接内孔相适应，所述压环通过所述转动连接外孔与所述转动连接内孔转动连接于所述大盘。实现压环与大盘可拆卸式的转动连接。
[0012]进一步的，为便于晶圆薄片的安装，在所述工作台远靶盘本体端侧壁设置有安装槽，所述压环远靶盘本体端侧壁设置有安装脚架。
[0013]进一步的，为实现大盘与压环的压紧配合，所述大盘的工作台从远靶盘本体端至近靶盘本体端厚度逐渐降低，所述压环从远靶盘本体端至压环中部厚度逐渐增加。
[0014]进一步的，为了增大靶盘的利用率，所述靶盘本体设置为中空的圆盘结构，所述大盘设置为八个，所述大盘周向分布在所述靶盘本体上。
[0015]进一步的，为了防止压环晃动，让晶圆薄片稳定的固定于大盘工作台，所述限位柱与限位孔各设置为四个，周向分布在晶圆薄片边缘，呈对角分布。
[0016]本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
[0017]1.本技术一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，晶圆薄片采用压环固定在大盘的工作台上，通过围挡环与晶圆薄片的接触，增大晶圆薄片的接触受力面，进而减小晶圆薄片的边缘局部压强，降低离子注入工序中的碎片率。
[0018]2.本技术一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，压环与大盘为转动连接，且通过大盘上的限位柱和压环上相适应的限位孔实现压环以及晶圆薄片的固定，使用时一步固定晶圆薄片。
[0019]3.本技术一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，压环上设置有安装脚架，大盘上设置有安装槽，便于实际使用时对晶圆薄片的处理。
附图说明
[0020]此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定。在附图中：
[0021]图1为压环与大盘配合图；
[0022]图2为压环结构图；
[0023]图3为大盘连接图；
[0024]图4为靶盘本体与大盘连接图。
[0025]附图中标记及对应的零部件名称：
[0026]1‑
靶盘本体，2
‑
压环，3
‑
大盘，21
‑
转动连接槽，22
‑
转动连接外孔，23
‑
限位孔，24
‑
围挡环，25
‑
安装脚架，31
‑
转动连接座，32
‑
转动连接内孔，33
‑
限位柱，34
‑
工作台，35
‑
安装槽。
具体实施方式
[0027]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。
[0028]实施例
[0029]本实施例提供一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，如图1
‑
4所示，靶盘本体1，安装在靶盘本体上的若干个大盘3，以及与大盘转动连接的压环2；大盘3表面设置有限位柱33；压环2设置有与限位柱33相适应的限位孔23；压环2内壁设置有围挡环24，围挡环24用于固定晶圆薄片。
[0030]本实施例的核心思路是通过围挡环24增大晶圆薄片在固定过程中的接触受力面，减小边缘局部压强从而降低离子注入工序中的碎片率。
[0031]为了进一步的说明本实施例的工作过程，围挡环24直径与晶圆薄片相适应，与晶圆薄片边缘线接触；围挡环24中心与压环2中心相重合。
[0032]本实施例实施时，大盘3用于承载晶圆薄片，压环2用于固定晶圆薄片，压环2转动连接于大盘3。
[0033]为了进一步的说明本实施例的工作过程，大盘3包括转动连接座31和工作台34，转动连接座31设置在靶盘本体1上，工作台34用于承载晶圆薄片。压环2转动连接于大盘3用于固定晶圆薄片。压环2包括转动连接槽21和围挡环24，转动连接槽21与转动连接座31相配合。
[0034]压环2与大盘3的转动连接通过转动连接座31、转动连接槽21、转动安装内孔32以及转动安装外孔22相配合完成的。转动连接座31侧壁设置有转动连接内孔32，转动连接内孔32内壁设置有内螺纹；转动连接槽21侧壁设置有转动连接外孔22，转动连接外孔22与转动连接内孔32相适应，压环2通过转动连接外孔22与转动连接内孔32转动连接于大盘3。
[0035]本实施例实施时，为了便于操作人员固定晶圆薄片，大盘3和压环2上设置有安装槽35和安装脚架25。
[0036]为了进一步的说明本实施例的工作过程，工作台34远靶盘本体端侧壁设置有安装槽35，压环2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，其特征在于，包括，靶盘本体(1)，设置在所述靶盘本体上的若干个大盘(3)，以及与所述大盘转动连接的压环(2)；所述大盘(3)表面设置有限位柱(33)；所述压环(2)设置有与所述限位柱(33)相适应的限位孔(23)；所述压环(2)内壁设置有围挡环(24)，所述围挡环(24)用于固定晶圆薄片。2.根据权利要求1所述的一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，其特征在于，所述围挡环(24)直径与晶圆薄片相适应，所述围挡环(24)与晶圆薄片边缘线接触。3.根据权利要求1所述的一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，其特征在于，所述围挡环(24)中心与所述压环(2)中心相重合。4.根据权利要求1所述的一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，其特征在于，所述大盘(3)包括转动连接座(31)和工作台(34)，所述转动连接座(31)设置在靶盘本体(1)上，所述工作台(34)用于承载晶圆薄片。5.根据权利要求4所述的一种可降低离子注入工序薄片碎片率的靶盘结构，其特征在于，所述压环(2)包括转动连接槽(21)和围挡环(24)，所述转动连接槽(21)与所述转动连接座(31)相配合。6.根据权利要求5所述的一种可降低离子注入工序薄片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李智，任福国，钟永业，
申请(专利权)人：四川广义微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：