本发明专利技术公开了一种半导体工艺设备及其加热装置，所公开的半导体工艺设备包括气源腔室和管路组件，管路组件与气源腔室连通，且位于气源腔室之外；所公开的加热装置包括壳体和加热组件，壳体用于与气源腔室围成封闭的加热腔室，管路组件设于加热腔室，加热组件设于加热腔室，且用于对加热腔室内的管路组件加热。上述方案可以解决管路组件由加热带包覆加热时，在加热带交接的地方容易出现裸露的间隙而造成管路组件内的气体冷凝而堵塞管路组件的问题。题。题。
【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及其加热装置
[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种半导体工艺设备及其加热装置。
技术介绍
[0002]半导体工艺设备对半导体器件的加工，通常需要在工艺腔室内进行。在一些工艺环节中，需要向工艺腔室内充入用于加工半导体器件的反应物(例如反应气体或蒸汽脉冲)，以在工艺腔室内发生反应，进而对半导体器件进行加工。在反应物进入工艺腔室之前，需要预先对反应物进行制备。制备反应物时需要先通过管路组件向气源腔室输入载气，载气携带反应物通过管路组件通入到工艺腔室内。为了使载气和反应物在管路组件内具有良好的热动能，需要对管路组件进行加热。
[0003]由于管路组件通常由多个管件和多个阀门组成，在相关技术中，对管路组件的加热通常是在多个管件和多个阀门上单独加装加热带，以使多个管件和多个阀门通过加热带包覆加热。由于多个管件和多个阀门采用分段单独加热，使得在加热带交接的地方容易出现裸露的间隙而造成载气及反应物冷凝堵塞管路组件的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术公开了半导体工艺设备及其加热装置，以解决管路组件由加热带包覆加热时，在加热带交接的地方容易出现裸露的间隙而造成管路组件内的气体冷凝堵塞管路组件的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请公开一种用于半导体工艺设备的加热装置，所述半导体工艺设备包括气源腔室和管路组件，所述管路组件与所述气源腔室连通，且位于所述气源腔室之外；
[0007]所述加热装置包括壳体和加热组件，所述壳体用于与所述气源腔室围成封闭的加热腔室，所述管路组件设于所述加热腔室，所述加热组件设于所述加热腔室，且用于对所述加热腔室内的所述管路组件加热。
[0008]第二方面，本申请还公开一种半导体工艺设备，包括气源腔室、管路组件、工艺腔室和第一方面所述的加热装置，所述加热装置用于加热所述管路组件；所述管路组件分别与所述气源腔室和所述工艺腔室连通，并用于将所述气源腔室内的反应物输出到所述工艺腔室。
[0009]本专利技术采用的技术方案能够达到以下技术效果：
[0010]本申请通过将加热装置设置成包含壳体和加热组件的结构，使得通过壳体和气源腔室可以围成封闭的加热腔室，从而使得管路组件和加热组件均可以设置于加热腔室内，进而使得通过加热组件可以对加热腔室内的管路组件进行加热。由于壳体和气源腔室围成封闭的加热腔室，在加热组件加热时，可以使得加热腔室内的温度整体处于相对均匀的状态，进而使得位于加热腔室内的管组组件整体受热相对均匀，从而可以有效地避免管路组
件通过加热带包裹加热时在加热带交接的地方容易出现裸露的间隙而造成管路组件内的气体冷凝堵塞管路组件的问题，同时也避免了管路组件通过加热带包裹加热时，由于加热带不连续而存在管路组件受热不均匀的问题。
附图说明
[0011]图1为本专利技术实施例公开的一种半导体工艺设备的结构示意图；
[0012]图2为本专利技术实施例公开的一种半导体工艺设备的剖视图；
[0013]图3为本专利技术实施例公开的第二加热带与壳体抵接时的示意图；
[0014]图4为本专利技术实施例公开的第五壳部的结构示意图；
[0015]图5为本专利技术实施例公开的第三壳部的结构示意图；
[0016]图6为本专利技术实施例公开的第四壳部的结构示意图；
[0017]图7为本专利技术实施例公开的匀热管的结构示意图。
[0018]附图标记说明：
[0019]100
‑
气源腔室、
[0020]200
‑
管路组件、
[0021]300
‑
壳体、310
‑
第三壳部、320
‑
第四壳部、330
‑
第五壳部、
[0022]410
‑
第二加热带、420
‑
第一基座、430
‑
第一调节组件、431
‑
第一调节螺栓、432
‑
锁紧螺母、433
‑
托盘、440
‑
第二基座、450
‑
第二调节组件、
[0023]500
‑
匀热管、510
‑
出气孔、
[0024]600
‑
调节阀、
[0025]700
‑
加热组件、710
‑
第一加热带、720
‑
导热板。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。
[0028]请参考图1至图7，本专利技术实施例公开了一种半导体工艺设备的加热装置。所公开的加热装置可以用于对进入半导体工艺设备的工艺腔室内的反应物在进入工艺腔室前进行加热。
[0029]半导体工艺设备包括气源腔室100和管路组件200，管路组件200与气源腔室100连通，且位于气源腔室100之外。气源腔室100用于储存半导体器件工艺时所使用的反应物，管路组件200包括多个阀门(图2中的圆圈)和多段管路(图2中两个圆圈之间连通的管段)且用于传输气体，具体的，管路组件200用于向气源腔室100输送用于承载反应物的载气，并将气源腔室100内的载气携带的反应物输入到工艺腔室内。
[0030]加热装置包括壳体300和加热组件700，壳体300用于与气源腔室100围成封闭的加热腔室。壳体300可以是与气源腔室100的一个外壁抵接以围成封闭的加热腔室；壳体300也可以是夹设在气源腔室100的外壁，气源腔室100的部分可以位于加热腔室内，以围成封闭
的加热腔室。这里对壳体300和气源腔室100围成加热腔室的具体结构不做限制。加热组件700可以是加热丝，也可以是红外加热灯，这里对加热组件700的结构不做具体的限制。
[0031]管路组件200设于加热腔室，气源腔室100的与管路组件200连通的部位位于围成加热腔室所在的部分。加热组件700设于加热腔室，且用于对加热腔室进行加热。加热组件700对加热腔室加热，以对位于加热腔室内的管路组件200进行加热。
[0032]在具体的实施过程中，壳体300与气源腔室100围成封闭的加热腔室，管路组件200设于加热腔室，加热组件700设于加热腔室以对加热腔室进行加热，加热腔室对管路组件200加热以对管路组件200内的载气及反应物加热。
[0033]本申请通过将加热装置设置成包含壳体300和加热组件700的结构，使得通过壳体300和气源腔室100可以围成本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺设备的加热装置，其特征在于，所述半导体工艺设备包括气源腔室(100)和管路组件(200)，所述管路组件(200)与所述气源腔室(100)连通，且位于所述气源腔室(100)之外；所述加热装置包括壳体(300)和加热组件(700)，所述壳体(300)用于与所述气源腔室(100)围成封闭的加热腔室，所述管路组件(200)设于所述加热腔室，所述加热组件(700)设于所述加热腔室，且用于对所述加热腔室内的所述管路组件(200)加热。2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述壳体(300)包括至少两个壳部，所述至少两个壳部包括第一壳部和第二壳部，所述第一壳部用于与所述第二壳部相连，所述第一壳部和所述第二壳部夹设于所述气源腔室(100)，以使所述壳体(300)与所述气源腔室(100)连接，所述第一壳部、所述第二壳部和所述气源腔室(100)围成至少部分所述加热腔室。3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述加热装置包括第二加热带(410)、第一基座(420)和第一调节组件(430)；所述第二加热带(410)包裹于所述气源腔室(100)的外壁；所述第一调节组件(430)连接于所述第一基座(420)和所述第二加热带(410)之间，所述第一调节组件(430)用于驱动所述第二加热带(410)与所述壳体(300)抵接，以使所述气源腔室(100)位于所述第二加热带(410)和所述壳体(300)围成的封闭空间内。4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，所述第一调节组件(430)包括第一调节螺栓(431)、锁紧螺母(432)和托盘(433)，所述第二加热带(410)支撑于所述托盘(433)，所述第一调节螺栓(431)的第一端与所述托盘(433)固定相连，所述第一调节螺栓(431)的第二端与所述第一基座(420)螺纹连接，所述第一调节螺栓(431)相对所述第一基座(420)转动可调节所述托盘(433)与所述第一基座(420)之间的间距，以驱动所述第二加热带(410)与所述壳体(300)抵接，所述锁紧螺母(432)与所述第一调节螺栓(431)螺纹配合，所述锁紧螺母(432)用于抵接于所述第一基座(420)，以限制所述第一调节螺栓(431)转动。...
【专利技术属性】
技术研发人员：王军帅，魏景峰，赵联波，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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