微型发光二极管显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种微型发光二极管显示装置及其制作方法，该微型发光二极管显示装置包括基板和形成于所述基板上的可独立工作的多个LED单元，每个所述LED单元包括：可导电的键合层，形成于所述基板上；反射器层，形成于所述键合层上，反射器层上开设有贯穿其上下表面的电极连接孔；以及LED半导体层，形成于所述反射器层上；所述LED半导体层包括：第一掺杂型半导体层，形成于所述反射器层上，所述的键合层透过所述电极连接孔与所述的第一掺杂型半导体层电性连接；有源层，形成于所述第一掺杂型半导体层上；第二掺杂型半导体层，形成于所述有源层上。本发明专利技术通过在反射器层上设置电极连接孔，实现键合层与第一掺杂型半导体层之间的电性连接。性连接。性连接。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示装置及其制作方法


[0001]本专利技术是属于微显示领域，特别是关于一种具有反射器结构的微型发光二极管显示装置及其制作方法。

技术介绍

[0002]微显示领域的显示器件多被用于产生高亮度的微缩显示图像，通过光学系统进行投影从而被观察者感知，投影目标可以是视网膜(虚像)，或者投影幕布(实相)。可应用于AR(增强现实)、HUD(汽车抬头显示)等各个方面。
[0003]新兴技术主要是Micro
‑
LED，其原理是通过高精密图形曝光显影刻蚀的方式，将LED外延片刻蚀成一个个独立的像素，通常像素的大小在微米量级(0.1
‑
100μm)。
[0004]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种微型发光二极管显示装置及其制作方法，其通过图案化的反射器层，使得导电的键合层可以直接与微型发光二极管显示装置的其中一个电极层直接电性连接，简化了微型发光二极管显示装置的电极连接结构。
[0006]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种微型发光二极管显示装置，包括基板和形成于所述基板上的可独立工作的多个LED单元，多个LED单元阵列排布，每个所述LED单元包括：
[0007]可导电的键合层，形成于所述基板上；
[0008]反射器层，形成于所述键合层上，反射器层上开设有贯穿其上下表面的电极连接孔；
[0009]以及LED半导体层，形成于所述反射器层上；
[0010]所述LED半导体层包括：
[0011]第一掺杂型半导体层，形成于所述反射器层上，所述的键合层透过所述电极连接孔与所述的第一掺杂型半导体层电性连接；
[0012]有源层，形成于所述第一掺杂型半导体层上；
[0013]第二掺杂型半导体层，形成于所述有源层上。
[0014]本专利技术的实施例还提供了一种微型发光二极管显示装置的制作方法，包括：
[0015]提供基板；
[0016]提供衬底，所述衬底上依次形成有第二掺杂型半导体层、有源层以及第一掺杂型半导体层，所述第二掺杂型半导体层、有源层以及第一掺杂型半导体层共同构成LED半导体层；
[0017]在所述第一掺杂型半导体层上形成反射器层，所述反射器层上开设有贯穿其上下表面的电极连接孔；
[0018]在所述基板和/或所述反射器层上设置可导电的键合层；
[0019]将所述基板与所述反射器层通过所述键合层键合，所述键合层透过电极连接孔与所述的第一掺杂型半导体层电性连接；
[0020]剥离去除所述衬底；
[0021]加工所述LED半导体层并形成可独立工作的多个LED单元，多个LED单元阵列排布。
[0022]与现有技术相比，通过在反射器层上设置电极连接孔，这样可以实现键合层直接与第一掺杂型半导体层之间的电性连接，简化了微型发光二极管显示装置的电极连接结构。
附图说明
[0023]图1是根据本专利技术第一实施方式的发光二极管显示装置的结构示意图；
[0024]图2a
‑
图2j是根据本专利技术第一实施方式的处于制造过程的不同阶段的例证性发光二极管显示装置结构的横截面图；
[0025]图3a是根据本专利技术第二实施方式的发光二极管显示装置的俯视图；
[0026]图3b是图3a中A
‑
A的剖视图；
[0027]图3c是图3a中B
‑
B的剖视图；
[0028]图4a是根据本专利技术第二实施方式的发光二极管显示装置的俯视图；
[0029]图4b是图4a中C
‑
C的剖视图；
[0030]图4c是图4a中D
‑
D的剖视图。
具体实施方式
[0031]尽管讨论了具体的配置和布置，但是应理解，这样做仅出于说明的目的。因此，在不脱离本专利技术的范围的情况下，可以使用其他配置和布置。而且，本专利技术也可以在多种其他应用中采用。在本专利技术中描述的功能和结构特征可以彼此并以附图中未具体示出的多种方式结合、调整和修改，使得这些组合、调整和修改在本专利技术的范围内。
[0032]通常，可以至少部分地根据上下文的用法来理解术语。例如，本文所使用的术语“一个或多个”至少部分地取决于上下文，可以用于以单数形式描述任何部件、结构或特征，或者可用于以复数形式描述部件、结构或特征的组合。类似地，诸如“一”、“一个”或“该”的术语也可以至少部分地取决于上下文理解为传达单数用法或传达复数用法。另外，术语“基于...”可以理解为不一定旨在传达一组排他的因素，而是至少部分地取决于上下文可以代替地允许存在不一定必须明确描述的附加因素。
[0033]应容易理解，本专利技术中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”，并且“在某物之上”或“在某物上面”不仅意味着“在某物之上”或“在某物上面”的含义，而且也包括不存在两者之间的中间部件或层的“在某物之上”或“在某物上面”的含义(即，直接在某物上)。
[0034]此外，为了便于描述，本文中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中
的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90
°
或以其他定向)，并且在本文中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
[0035]本文中所使用的术语“层”是指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个下层或上层结构上延伸，或者可以具有小于下层或上层结构的范围的程度。此外，层可以是均质或不均质连续结构的区域，其厚度小于连续结构的厚度。例如，层可以位于连续结构的顶表面和底表面之间或在其之间的任何一对水平平面之间。层可以水平地、垂直地和/或沿着锥形表面延伸。基板可以是一层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以在其上、之上和/或之下具有一个或多个层。一层可以包括多层。例如，半导体层可以包括一个或多个掺杂或未掺杂的半导体层，并且可以具有相同或不同的材料。
[0036]实施例1
[0037]如图1所示，根据本专利技术第一实施方式的微型发光二极管显示装置100，采用晶圆级的制作工艺并经切割获得该微型发光二极管显示装置100，每一微型发光二极管显示装置100包括基板110和形成于所述基板110上的可独立工作的多个LED单元120。
[0038]每个所述LED单元120分别包括可导电的键合层121、反射器层122、第一掺杂型半导体层123、第二掺杂型半导体层124以及设置于第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示装置，其特征在于，包括基板和形成于所述基板上的可独立工作的多个LED单元，多个LED单元阵列排布，每个所述LED单元包括：可导电的键合层，形成于所述基板上；反射器层，形成于所述键合层上，反射器层上开设有贯穿其上下表面的电极连接孔；以及LED半导体层，形成于所述反射器层上；所述LED半导体层包括：第一掺杂型半导体层，形成于所述反射器层上，所述的键合层透过所述电极连接孔与所述的第一掺杂型半导体层电性连接；有源层，形成于所述第一掺杂型半导体层上；第二掺杂型半导体层，形成于所述有源层上。2.如权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述基板包括驱动电路以及与所述驱动电路电性连接的多个触点，每个所述触点分别单独驱动一个所述LED单元。3.如权利要求2所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，相邻的所述LED单元之间形成有隔离槽，所述隔离槽将LED半导体层、反射器层和键合层划分为多个LED台面。4.如权利要求3所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述触点位于所述LED台面的下方，所述触点通过所述键合层与所述第一掺杂型半导体层电性连接。5.如权利要求3所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述LED台面的侧壁形成有用于电性隔离的钝化层。6.如权利要求2所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，相邻的所述LED单元之间形成有隔离材料，所述隔离材料至少穿透所述第二掺杂型半导体层，并将第二掺杂型半导体层划分为多个LED台面，所述触点位于相邻LED单元之间且与其中一个LED单元的第二掺杂型半导体层电性连接。7.如权利要求2所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，相邻的所述LED单元之间形成有隔离槽，所述隔离槽至少穿透所述第二掺杂型半导体层，并将第二掺杂型半导体层划分为多个LED台面，所述触点位于相邻LED单元之间且与其中一个LED单元的第二掺杂型半导体层电性连接。8.如权利要求7所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述LED台面的侧壁形成有用于电性隔离的钝化层。9.如权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述LED单元还包括形成于所述反射器层和第一掺杂型半导体层之间的透明导电层，所述键合层透过所述电极连接孔后与所述透明导电层接触。10.如权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述反射器层为分布式布拉格反射器。11.一种微型发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，包括：提供基板；
提供衬底，所述衬底上依次形成有第二掺杂型半导体层、有源层以及第一掺杂型半导体层，所述第二掺杂型半导体层、有源层以及第一掺杂型半导体层共同构成LED半导体层；在所述第一掺杂型半导体层上形成反射器层，所述反射器层上开设有贯穿其上下表面的电极连接孔；在所述基板和/或所述反射器层上设置可导电的键合层；将所述基板与...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄永漳，仉旭，胡双元，
申请(专利权)人：镭昱光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：