射频（RF）器件和采用它的通信装置制造方法及图纸

一种ＲＦ器件，它包括第一基板，由相对低介电常数的材料制成，且在基板中间或表面上制成高频电路；以及第二基板，由相对较高介电常数的材料制成，其中至少部分滤波器是在所述第二基板中间、其表面上或其附近提供的，且连接着所述高频电路，以及所述高频电路由除了所述部分滤波器之外的元件组成。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及主要用于诸如蜂窝电话的高频无线电装置的RF器件。
技术介绍
近来，随着移动通信用户的增加以及移动通信系统的全球化，RF器件已经变成关注的焦点，它使图18所示各个频率的EGSM、DCS和UMTS系统与一个蜂窝电话联用。以下参照附图，来讨论第一个常规RF器件。图19是第一个常规RF器件的剖视图。在图19中，标号1101表示具有相对低介电常数的低温共同烧结陶瓷体。标号1102表示构成RF电路部分的多层引线导体。标号1103表示层间通孔，以及标号1104表示分离的元件，例如，分离电阻、分离电容器、分离电感器、以及封装半导体。图20是第一个常规RF器件的电路图。RF器件是用于三波段(上述EGSM，DCS和UMTS)的器件，它包括一个同向双工器1201，同向双工器将发射/接收开关电路1202和发射/接收开关电路1203连接到天线(ANT)。接着将讨论上述第一个常规RF器件结构的工作原理。多层引线导体1102电气互连多个分离元件1104，以及，在低温共同烧结陶瓷所制成的基板1101上，形成在该基板上制成的电容器和在该基板上制成的电感器。这类电容器和电感器与分离元件1104一起构成了RF电路，RF电路可作为RF器件使用，例如，RF多层开关。同向双工器1201直接与天线端(ANT)相连接，它将通过天线接收到的信号分配给发射/接收开关电路1202和1203。双工机1204与发射/接收开关电流1203相连接。发射/接收开关电路1202具有一个用于EGSM发射的发射端Tx1和一个用于EGSM接收的接收端Rx1。发射/接收开关电路1203具有一个用于DCS发射的发射端Tx2和一个用于DCS接收的接收端Rx2。双工机1204具有一个用于UMTS发射的发射端Tx3和一个用于UMTS接收的接收端Rx3。接收端Rx2通过二极管1205与天线相连接，该二极管在利用发射端Tx2的发射期间处于截止状态。传输线1206a和1206b用于电长度校准，双工发射所必需的发射滤波器1207和接收滤波器1208连接在发射端Tx3和接收端Rx3之间。现在来讨论第二个常规RF器件，它是发射/接收开关电路直接与天线相连接的另一个例子。图21是第二个常规RF器件的分解透视图。RF器件具有六个相对高介电常数的介质基板1301a至1301f。介质基板1301b在其上表面制成了屏蔽电极1302a，介质基板1301c在其上表面制成了级间耦合电极1303，介质基板1301d在其上表面制成了谐振器电极1304a和1304b，介质基板1301e在其上表面制成了输入/输出耦合电容器电极1305a和1305b，介质基板1301f在其上表面制成了屏蔽电极1302b，将这些介质基板层叠起来。在层叠的介质基板的左面和右面提供端面电极1306a和1306b，这两个电极与屏蔽电极1302a和1302b相连接，形成接地端。在层叠的介质基板的背后提供了端面电极1307，这个电极与屏蔽电极1302a和1302b的接地面相连接，是微带谐振器电极1304a和1304b的共同开端。在层叠的介质基板的前面提供端面电极1308，它与谐振腔电极1304a和1304b的短路端以及屏蔽电极1302a和302b相连接。在层叠的介质基板的左面和右面的端面电极1309a和1309b与输入/输出耦合电极1305a和1305b相连接，形成输入/输出端。图22是第二个常规RF器件的电路图。输入/输出耦合电极1305a和谐振器电极1304a构成了输入/输出耦合电容器1401a，输入/输出耦合电极1305b和谐振器电极1304b构成了输入/输出耦合电容器1401b。另外，输入/输出耦合电极1305a和级间耦合电极1303构成了级间耦合电容器1402a，输入/输出耦合电极1305b和级间耦合电极1303构成了级间耦合电容器1402b。这些元件构成了如图22所示的二级带通滤波器。图23是天线双工机1503的框图，这是第二个常规RF器件，它包括发射滤波器1501，接收滤波器1502，由带通滤波器构成的滤波器，以及其中的匹配电路。然而，上述构成的第一个常规RF器件，发射滤波器1206和接收滤波器1027是由低品质因数的电感器或电容器所组成，因此，作为滤波器来说就会具有高的损耗。此外，要提高品质因数，微带谐振器结构存在着一些问题，其中，包括具有相对低介电常数的低温共同烧结陶瓷材料制成的基板1101的RF器件会变大，因为谐振器的体积与频率和相对介电常数的平方根成反比。于是对微带谐振器结构来说，由于它也受到具有相对低介电常数的基板1101的影响，所以品质因数不能明显地提高，例如，为CDMA模式提供的电路仍旧存在滤波器损耗的问题。在上述讨论所构成的第二个常规RF器件中，如果处处都存在着引线的话，引线的阻抗就会增加，因为构成RF多层器件的基板是由相对高介电常数的低温共同烧结陶瓷制成的，于是就很难在各层基板上制成复杂的电路。另外，也很难在第二个常规RF器件上实现分离元件，例如，分离电阻器、分离电容器、分离电感器、以及封装半导体，因为增加了分离元件自身的引线阻抗。
技术实现思路
从上述讨论的问题出发，本专利技术的一个目的是提供具有低滤波器损耗且不受引线阻抗问题影响的RF器件，或提供不受引线阻抗问题影响的紧凑RF器件。本专利技术的第一专利技术是一种RF器件，它包括第一基板，由相对低介电常数的材料制成，且在基板中间或表面上制成高频电路；以及第二基板，由相对较高介电常数的材料制成，其中至少部分滤波器是在所述第二基板中间、其表面上或其附近提供的，且连接着所述高频电路，以及所述高频电路由除了所述部分滤波器之外的元件组成。本专利技术的第二专利技术是根据第一专利技术的RF器件，其中，所述至少一部分滤波器形成用于CDMA模式的高频电路。本专利技术的第三专利技术是根据第一专利技术的RF器件，其中，所述第二基板部分层叠在所述第一基板上，在所述第二基板未层叠的所述第一基板的表面区域上提供半导体器件或无源器件，以及在所述第一基板中制成由铜或银制成的多层引线图形，从而制成所述高频电路。本专利技术的第四专利技术是根据第三专利技术的RF器件，其中，所述半导体器件包括PIN二极管器件、GaAs半导体器件、场效应晶体管(FET)器件、以及变容二极管器件中的任何一种器件，在多个频段之间的变换是通过所述器件中任意一种的操作实现的。本专利技术的第五专利技术是一种RF器件，它包括 第一基板，由相对较低介电常数的材料制成，且在基板中间或表面上制成适用于较低频段的第一高频电路；以及第二基板，由相对较高介电常数的材料制成，其中适用于较高频段的第二高频电路的至少部分滤波器是在所述第二基板中间、其表面上或其附近提供的，且所述第一高频电路和所述第二高频电路是相互连接的。本专利技术的第六专利技术是根据第五专利技术的RF器件，其中，所述第二基板层叠在所述第一基板上，以及所述部分滤波器夹在所述第一基板和所述第二基板之间。本专利技术的第七专利技术是根据第六专利技术的RF器件，其中，所述第二基板部分层叠在所述第一基板上，在所述第二基板未层叠的所述第一基板的表面区域上提供半导体器件或无源器件，以及在所述第一基板中制成由铜或银制成的多层引线图形，从而制成所述高频电路。本专利技术的第八专利技术是根据第七专利技术的RF器件，其中，所述第二基板由以相互分开的方式沉积在所述第一基板上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＲＦ器件，其特征在于，它包括：第一基板，由相对低介电常数的材料制成，且在基板中间或表面上制成高频电路；以及第二基板，由相对较高介电常数的材料制成，其中至少部分滤波器是在所述第二基板中间、其表面上或其附近提供的，且连接着所述高 频电路，以及所述高频电路由除了所述部分滤波器之外的元件组成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山川岳彦，山田彻，石崎俊雄，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]