实施方式提供一种能够实现高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1、第2、第3导电层，在第1方向上延伸且在第2方向上排列；多个第1半导体层及第1、第2电荷蓄积部，设置在第1、第2导电层之间；第2、第3绝缘层，设置在相邻2个第1、第2电荷蓄积部之间；多个第2半导体层及第3、第4电荷蓄积部，设置在第2、第3导电层之间；以及第5、第6绝缘层，设置在相邻2个第3、第4电荷蓄积部之间。在第1导电层的与第2绝缘层的对向面、及第2导电层的与第3绝缘层的对向面，设置有包含氮(N)及钛(Ti)中至少一种的势垒导电膜。在第2导电层的与第5绝缘层的对向面、及第3导电层的与第6绝缘层的对向面，未设置包含氮(N)及钛(Ti)中至少一种的势垒导电膜。少一种的势垒导电膜。少一种的势垒导电膜。
【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001][相关申请的交叉参考][0002]本申请享有以日本专利申请2020
‑
154168号(申请日：2020年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
[0003]以下所记载的实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
[0004]已知有一种半导体存储装置，具备：衬底、在与该衬底表面交叉的方向上积层的多个栅极电极、与这多个栅极电极对向的半导体层、以及设置在栅极电极与半导体层之间的栅极绝缘层。栅极绝缘层例如具备诸如氮化硅(Si3N4)等绝缘性电荷蓄积部或浮栅等导电性电荷蓄积部之类的能够存储数据的存储器部。
技术实现思路
[0005]本专利技术要解决的问题是提供一种能够实现高集成化的半导体存储装置。
[0006]一实施方式的半导体存储装置具备在第1方向上延伸且在与第1方向交叉的第2方向上排列的第1导电层、第2导电层及第3导电层。另外，半导体存储装置具备：多个第1半导体层，设置在第1导电层与第2导电层之间，在第1方向上排列；多个第1电荷蓄积部，设置在第1导电层与多个第1半导体层之间；多个第2电荷蓄积部，设置在第2导电层与多个第1半导体层之间；第1绝缘层，设置在第1导电层与第2导电层之间，位于在第1方向上相邻的2个第1半导体层之间；第2绝缘层，设置在第1导电层与第1绝缘层之间，位于在第1方向上相邻的2个第1电荷蓄积部之间；以及第3绝缘层，设置在第2导电层与第1绝缘层之间，位于在第1方向上相邻的2个第2电荷蓄积部之间。另外，半导体存储装置具备：多个第2半导体层，设置在第2导电层与第3导电层之间，且在第1方向上排列；多个第3电荷蓄积部，设置在第2导电层与多个第2半导体层之间；多个第4电荷蓄积部，设置在第3导电层与多个第2半导体层之间；第4绝缘层，设置在第2导电层与第3导电层之间，位于在第1方向上相邻的2个第2半导体层之间；第5绝缘层，设置在第2导电层与第4绝缘层之间，位于在第1方向上相邻的2个第3电荷蓄积部之间；以及第6绝缘层，设置在第3导电层与第4绝缘层之间，位于在第1方向上相邻的2个第4电荷蓄积部之间。另外，将第1导电层的第2方向上的侧面中与第2绝缘层对向的面设为第1面，将第2导电层的第2方向上的侧面中与第3绝缘层对向的面设为第2面，将第2导电层的第2方向上的侧面中与第5绝缘层对向的面设为第3面，将第3导电层的第2方向上的侧面中与第6绝缘层对向的面设为第4面，在第1面及第2面上设置有包含氮(N)及钛(Ti)中至少一种的势垒导电膜，在第3面及第4面上未设置包含氮(N)及钛(Ti)中至少一种的势垒导电膜。
[0007]一实施方式的半导体存储装置具备：衬底；多个第1导电层，在与衬底表面交叉的第1方向上排列，在与第1方向交叉的第2方向上延伸；多个存储单元，分别连接于多个第1导
电层；多个第2导电层，在第1方向上排列，在第2方向上延伸，且分别连接于多个第1导电层的第2方向的端部；以及多个接点电极，在第1方向上延伸，且分别连接于多个第2导电层。多个第2导电层具备包含金属的第1金属膜。多个第1导电层不具备包含金属的膜、或者具备第2金属膜，所述第2金属膜包含金属并且第1方向上的厚度小于第1金属膜在第1方向上的厚度。
附图说明
[0008]图1是第1实施方式的半导体存储装置的示意性等效电路图。
[0009]图2是第1实施方式的半导体存储装置的示意性俯视图。
[0010]图3是第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。
[0011]图4是第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。
[0012]图5是第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。
[0013]图6是第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。
[0014]图7是第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。
[0015]图8是第1实施方式的半导体存储装置的示意性俯视图。
[0016]图9是第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。
[0017]图10是第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。
[0018]图11是第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。
[0019]图12是第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。
[0020]图13是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0021]图14是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0022]图15是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0023]图16是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0024]图17是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0025]图18是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0026]图19是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0027]图20是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0028]图21是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0029]图22是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0030]图23是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0031]图24是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0032]图25是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0033]图26是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0034]图27是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0035]图28是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0036]图29是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0037]图30是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0038]图31是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0039]图32是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0040]图33是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0041]图34是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0042]图35是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0043]图36是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0044]图37是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[0045]图38是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性剖视图。
[00本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：第1导电层、第2导电层及第3导电层，在第1方向上延伸，在与所述第1方向交叉的第2方向上排列；多个第1半导体层，设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间，在所述第1方向上排列；多个第1电荷蓄积部，设置在所述第1导电层与所述多个第1半导体层之间；多个第2电荷蓄积部，设置在所述第2导电层与所述多个第1半导体层之间；第1绝缘层，设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第1半导体层之间；第2绝缘层，设置在所述第1导电层与所述第1绝缘层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第1电荷蓄积部之间；第3绝缘层，设置在所述第2导电层与所述第1绝缘层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第2电荷蓄积部之间；多个第2半导体层，设置在所述第2导电层与所述第3导电层之间，在所述第1方向上排列；多个第3电荷蓄积部，设置在所述第2导电层与所述多个第2半导体层之间；多个第4电荷蓄积部，设置在所述第3导电层与所述多个第2半导体层之间；第4绝缘层，设置在所述第2导电层与所述第3导电层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第2半导体层之间；第5绝缘层，设置在所述第2导电层与所述第4绝缘层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第3电荷蓄积部之间；以及第6绝缘层，设置在所述第3导电层与所述第4绝缘层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第4电荷蓄积部之间；且将所述第1导电层的所述第2方向上的侧面中与所述第2绝缘层对向的面设为第1面，将所述第2导电层的所述第2方向上的侧面中与所述第3绝缘层对向的面设为第2面，将所述第2导电层的所述第2方向上的侧面中与所述第5绝缘层对向的面设为第3面，将所述第3导电层的所述第2方向上的侧面中与所述第6绝缘层对向的面设为第4面，在所述第1面及所述第2面上设置有包含氮(N)及钛(Ti)中至少一种的势垒导电膜，在所述第3面及所述第4面上未设置包含氮(N)及钛(Ti)中至少一种的势垒导电膜。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1导电层具备：第1金属膜，在所述第1方向上延伸；及第1势垒导电膜，设置在所述第1金属膜的与所述第2绝缘层的对向面；所述第2导电层具备：第2金属膜，在所述第1方向上延伸；及第2势垒导电膜，设置在所述第2金属膜的与所述第3绝缘层的对向面；所述第3导电层具备在所述第1方向上延伸...
【专利技术属性】
技术研发人员：楢崎亮太，蔡伟立，永嶋贤史，石川贵之，嶋田裕介，韩业飞，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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