同轴连接器型衰减器制造技术

本发明专利技术涉及一种同轴连接器型衰减器，其包括基板、信号输入端、信号输出端、同轴连接器、金属体、一体制作在该基板上的膜状串联电阻、膜状第一并联电阻和膜状第二并联电阻组成的至少一级Ｐｉ型网络。所述金属体将该Ｐｉ型网络的膜状第一并联电阻的第一连接端以及膜状第二并联电阻的第二连接端相连接后，将该Ｐｉ型网络安装在所述同轴连接器内组成一个同轴连接器型衰减器。本发明专利技术在适合于各种高频及微波电路及系统，其具有频带宽、精度高、体积小、易于制造、成本低的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子及通信的同轴连接器型衰减器，尤其涉及一种可用于 各种高频和微波电路及系统的同轴连接器型衰减器。
技术介绍
在电子部件家族里，衰减器是电路和系统中常用的基本部件之一。同轴连 接器型的固定衰减器也已广泛地被使用。要制作出高精度衰减量、低反射系数 的衰减器，需要能方便地制作出高精度的串联电阻和并联电阻。现有的衰减片 是用厚膜工艺一次印刷后烧制而成或用薄膜工艺一次溅射后烧制而成， 一般采 用激光调阻来实现串联电阻、并联电阻的精确匹配，从而可提高衰减片的精度。 由于衰减片(衰减器)要求并联电阻的接地端是同一端，共地对一个衰减片(衰减器)是至关重要，现有的衰减片(Pi型衰减器)的两个并联电阻的接地端(电 极)是烧制在一起的，但对这样的衰减片(器)的串联、并联电阻作激光调阻 难度大，因为调完一个电阻，会影响另外一个电阻的等效阻值，它们是一个环 状结构，很难实现衰减器的精确匹配，即如何实现高精度衰减量、低反射系数 的衰减器是一个课题。为了克服激光调阻的问题，可以在基板上直接封贴高精度的分离器件的电 阻，来实现精确匹配，请参阅美国专利6,903,621。但衰减器所需的特殊阻值的电 阻需要定制，成本高，若采用相近阻值的标准分离器件的电阻，会降低衰减器 的精度。另外，分离器件的电阻， 一般其额定功率较小(一般的额定功率0. 25W)， 市场上一般很难买到大功率、小尺寸、高精度的分离器件的电阻，而对于一个衰减器来讲，要做到很高的射频特性， 一般还要求衰减器的尺寸要小，用分离器件来做衰减器，很难实现大功率(比如几十瓦)、高频率(10GHz以上)。专利技术内容本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种具有良好宽频带特性，低反射系 数的适合高频和微波电路及系统中的同轴连接器型衰减器。为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是提供一种同轴连接器 型衰减器，其包括基板、信号输入端、信号输出端、同轴连接器、金属体、 一体制作在该基板上的膜状串联电阻、膜状第一并联电阻和膜状第二并联电阻组成的至少一级Pi型网络、该膜状串联电阻的两端作为该Pi型网络的信号输入端和信号输出端、该膜状第一并联电阻的一端与该信号输入端相连接、该膜状第一并联电阻的另一端与第一连接端相连接；该膜状第二并联电阻的一端与信 号输出端相连接、该膜状第二并联电阻的另一端与第二连接端相连接、其特征在于用所述金属体将该Pi型网络的第一连接端与第二连接端相连接后，将该Pi型网络安装在所述同轴连接器内、该同轴连接器的内部同轴信号线经该pi型网络的信号输入端和信号输出端后分别与该同轴连接器的外部信号端相连接，该pi型网络的第一连接端和第二连接端经该金属体与该同轴连接器的壳体相连接。该膜状串联电阻、该膜状第一并联电阻和该膜状第二并联电阻是烧结在该 基板上的厚膜电阻。该膜状串联电阻、该膜状第一并联电阻、该膜状第二并联电阻是溅射在该 基板的薄膜电阻。该金属体可以是金属垫片、金属套或金属焊锡。该同轴连接器可以是SMA型同轴连接器、N型同轴连接器或BNC型同轴连接器。本专利技术的有益效果是由于Pi型网络的并联电阻的连接端相互独立，可实 现串联电阻、并联电阻的独立激光调阻。用金属体将并联电阻的第一连接端和 第二连接端相连接，并安装在同轴连接器内，可实现高精度、更高频率的同轴 连接器型衰减器。因此本专利技术具有以下优点a. 可对串联电阻、并联电阻独立激光调阻；b. 衰减量的精度高，反射系数小。C.耐高温，可实现大额定功率的衰减器。d. 与分离器件的电阻制作的衰减器相比频率范围更高，DC到几十GHz。e. 适用于各种隔离电路或需要衰减射频功率的场合。附图说明图1是第一实施例的Pi ( n )型网络的结构示意图。图2是第一实施例的Pi ( Ji )型网络的等效电路图。图3是第一实施例的Pi ( 型网络的实际设计参数。图4是第一实施例的金属体的结构示意图。图5是第一实施例的金属体安装位置示意图。图6是第一实施例的内部空心金属柱体的示意图。图7是第一实施例的金属接头的结构示意图。图8是第一实施例的将Pi型网络制作在SMA型同轴连接器内的组合结构示 意图。图9是第一实施例的将Pi型网络制作在SMA型同轴连接器内的截面结构示 意图。图10是第二实施例的组合结构示意图。图ll是本专利技术的第三实施例的Pi (n)型网络的结构示意图。 图12是本专利技术的第三实施例的Pi (iO型网络的等效电路图。具体实施方式对于一个衰减器来讲，为了理解方便， 一般把串联于信号输入输出回路上 的电阻称为串联电阻，把并联于信号输入输出回路与共同接地端之间的电阻称 为并联电阻。这里把膜状电阻又分为厚膜电阻和薄膜电阻，厚膜电阻是通过将 厚膜电阻浆料印制在陶瓷基板上，经高温烧制而成；薄膜电阻是通过将薄膜电 阻浆料溅射到陶瓷基板上，经过高温烧结而成；薄膜电路的射频特性更好，可 工作到几十GHz，但造价较贵。请参阅图1，它是本专利技术的同轴连接器型衰减器的第一实施例的Pi ( ^ ) 型网络的结构示意图。在基板l的表层上，用厚膜工艺印制上电极和厚膜电阻， 经过高温烧结，制成一个一体的Pi型网络，该基板1是陶瓷基板或其它耐高温 的基板。该Pi型网络的信号输入端2 (电极)与该膜状(厚膜)串联电阻4的 一端相连接，该膜状串联电阻4的另一端与该Pi型网络的信号输出端3相连接; 该膜状(厚膜)第一并联电阻51的一端与信号输入端2相连接，该膜状第一并 联电阻51的另一端与第一连接端61相连接；该膜状(厚膜)第二并联电阻62 的一端与信号输出端3相连接，该膜状第二并联电阻62的另一端与第二连接端 相连接。这样的电路结构易于对各个电阻做激光调阻(修阻)，因为每个电阻从 其两端看都是独立的电阻。然后通过一个金属体7 (图4会详细描述)将第一连接端与第二连接端连接，使其为共同接地端，这样，该Pi型网络就是一个高精 度的典型的Pi型衰减器。衰减器要求并联电阻要共地，若第一连接端与第二连接端直接印刷烧制在一起，串联电阻4、并联电阻51， 52会形成一个环路，即 使采用激光调阻，调一个电阻，会影响其它电阻的等效阻值，较难实现衰减器 的匹配关系，图1的电路结构也可以用薄膜工艺来实现，即信号输入输出端用薄膜工艺、 膜状串联电阻、膜状并联电阻改用薄膜电阻来实现，但电路结构完全相同，这 里不重复说明。另外，将两个或多个这样的Pi型网络串联连接，即前一级的信号输出端与 后一级的信号输入端相连接，各级的第一连接端和第二连接端以及这些连接端 间用一个金属体相连接，组成一个有共同接地端，可实现高精度大衰减量的衰 减器。比如30dB以上的衰减器，用一级的衰减器很实现更高的频率特性，用多 级比如3个10dB的衰减器相串联，其频率特性更好。(此段说明无图示)请参阅图2，它示出了本专利技术的同轴连接器型衰减器的第一实施例的Pi型 网络的等效电路。此电路的特点是并联电阻51的端子61 (第一连接端)，没有 与并联电阻52的端子62(第二连接端)相连，这样，串联电阻4、并联电阻51、 并联电阻52之间不构成一个环路，对这三个电阻，可独立地测量其阻值，也就 是说可对它们进行独立地激光条阻，从而达到很高匹配精度。若将第一连接端 与第二连接端先连接(烧结)在一起，在其后的工艺作激光调阻，三本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同轴连接器型衰减器，其包括：基板、信号输入端、信号输出端、同轴连接器、金属体、一体制作在该基板上的膜状串联电阻、膜状第一并联电阻和膜状第二并联电阻组成的至少一级Ｐｉ型网络、该膜状串联电阻的两端作为该Ｐｉ型网络的信号输入端和信号输出端、该膜状第一并联电阻的一端与该信号输入端相连接、该膜状第一并联电阻的另一端与第一连接端相连接；该膜状第二并联电阻的一端与信号输出端相连接、该膜状第二并联电阻的另一端与第二连接端相连接、其特征在于：用所述金属体将该Ｐｉ型网络的第一连接端与第二连接端相连接后，将该Ｐｉ型网络安装在所述同轴连接器内、该同轴连接器的内部同轴信号线经该Ｐｉ型网络的信号输入端和信号输出端后分别与该同轴连接器的外部信号端相连接，该Ｐｉ型网络的第一连接端和第二连接端经该金属体与该同轴连接器的壳体相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阎跃军，
申请(专利权)人：深圳市研通高频技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]