QLED显示面板的制备方法及QLED显示面板技术

本申请实施例提供一种QLED显示面板的制备方法及QLED显示面板。本申请实施例提供的QLED显示面板的制备方法，通过采用电沉积的方法制备第一传输层、量子点层和第二传输层，能够使第一传输层、量子点层和第二传输层分别形成厚度均匀的膜层，解决了喷墨打印制程中出现的咖啡环效应导致膜层厚度不均匀的问题，并且该制备方法还具有加工方便、节省原材料、加工效率高、成本低等优点。成本低等优点。成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】
QLED显示面板的制备方法及QLED显示面板


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种QLED显示面板的制备方法及QLED显示面板。

技术介绍

[0002]QDs也称半导体纳米晶(nanocrystals，NCs)，是指三维受限的纳米材料，其半径小于或接近于激子波尔半径，具有大小可调的带隙、较长的载流子寿命和可溶液加工的特性，因此QDs是一种很有前景的功能材料，在发展低成本和高性能光电探测器方面具有很大的潜力。
[0003]在众多下一代发光显示器设备中，量子点发光二极管(QLED，Quantum Dot Light Emitting Diodes)具有独特的优势，如色域宽、纯度高、亮度高、电压低、外观极薄等，因此具有极大的发展前景。目前，QLED通常采用喷墨印刷工艺制备，但是该技术还处于刚刚起步阶段，喷墨打印过程中存在咖啡环效应、造成膜层不均匀等问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种QLED显示面板的制备方法及QLED显示面板，以解决喷墨打印制程中出现的咖啡环效应导致膜层厚度不均匀的问题。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种QLED显示面板的制备方法，包括：
[0006]提供驱动基板，所述驱动基板包括基底以及设于所述基底上的第一电极；
[0007]提供第一溶液，所述第一溶液包括第一传输材料和第一溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述第一电极远离所述基底的一侧施加所述第一溶液，在电场作用下，所述第一溶液中的所述第一传输材料沉积在所述第一电极上，形成第一传输层；
[0008]提供第二溶液，所述第二溶液包括量子点材料和第二溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧施加所述第二溶液，在电场作用下，所述第二溶液中的所述量子点材料沉积在所述第一传输层上，形成量子点层；
[0009]提供第三溶液，所述第三溶液包括第二传输材料和第三溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述量子点层远离所述第一传输层的一侧施加所述第三溶液，在电场作用下，所述第三溶液中的所述第二传输材料沉积在所述量子点层上，形成第二传输层；
[0010]在所述第二传输层远离所述量子点层的一侧形成第二电极。
[0011]在一些实施例中，所述第一电极为阴极，所述第一传输材料为电子传输材料，所述第二传输材料为空穴传输材料，所述第二电极为阳极；或者
[0012]所述第一电极为阳极，所述第一传输材料为空穴传输材料，所述第二传输材料为电子传输材料，所述第二电极为阴极。
[0013]在一些实施例中，所述电子传输材料包括ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZnGaO、ZnInO、TiO2和SnO2中的一种或多种，所述空穴传输材料包括NiO、MoO3、V2O5、WO
x
和Cu
x
O中的一种或多种，所述WO
x
和所述Cu
x
O中，x为大于0的数值。
[0014]在一些实施例中，当所述第一传输材料为电子传输材料，所述第二传输材料为空穴传输材料时，所述第一溶液中所述第一传输材料的浓度为5mg/mL～50mg/mL，所述第一传输层的厚度为10nm～100nm；所述第三溶液中所述第二传输材料的浓度为10mg/mL～100mg/mL，所述第二传输层的厚度为20nm～100nm；
[0015]当所述第一传输材料为空穴传输材料，所述第二传输材料为电子传输材料时，所述第一溶液中所述第一传输材料的浓度为10mg/mL～100mg/mL，所述第一传输层的厚度为20nm～100nm；所述第三溶液中所述第二传输材料的浓度为5mg/mL～50mg/mL，所述第二传输层的厚度为10nm～100nm。
[0016]在一些实施例中，所述第二溶液中所述量子点材料的溶度为10mg/mL～50mg/mL，所述量子点层的厚度为10nm～50nm。
[0017]在一些实施例中，所述第一传输材料的表面、所述量子点材料的表面以及所述第二传输材料的表面均修饰有配体，以使所述第一传输材料、所述量子点材料以及所述第二传输材料携带正电荷或负电荷；
[0018]所述配体包括正辛硫醇、三辛基膦、PEG
‑
COOH、聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚硅氧烷、聚硅氧烷衍生物、聚乙烯咔唑、聚乙烯咔唑衍生物、聚乙烯醇、聚乙烯醇衍生物、辛硫醇、十二硫醇、苯硫醇、1，2
‑
苯硫醇、1，3
‑
苯硫醇、1，4
‑
苯硫醇、1，2
‑
乙二硫醇、3
‑
巯基丙酸、油酸、1，2
‑
乙二胺、辛胺、油胺、三正辛基膦、三丁基膦、硫氰酸铵、四丁基碘化铵、四丁基溴化铵、四丁基氯化铵、四丁基氟化铵、有机硫酸盐、十六烷基三甲基溴化铵、金属皂、有机胺、有机磷酸盐和磷酸酯类表面活性剂中的一种或多种。
[0019]在一些实施例中，所述量子点材料包括Ⅳ族量子点、
Ⅱ‑Ⅴ
族量子点、
Ⅳ‑Ⅵ
族量子点、
Ⅲ‑Ⅵ
族量子点、
Ⅰ‑Ⅵ
族量子点、
Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ
族三元量子点、金属卤化物钙钛矿族量子点以及石墨烯量子点中的一种或多种。
[0020]在一些实施例中，所述Ⅳ族量子点包括Si、Ge、GeSn中的一种或多种，所述
Ⅱ‑Ⅴ
族量子点包括InAs和InSb中的一种或多种，所述
Ⅳ‑Ⅵ
族量子点包括PbS、PbSe和PbTe中的一种或多种，所述
Ⅲ‑Ⅵ
族量子点包括HgCdTe、HgSe和HgTe中的一种或多种，所述
Ⅰ‑Ⅵ
族量子点包括Ag2S和Ag2Se中的一种或多种，所述
Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ
族三元量子点包括CuInS2、InGaAs、CuInSe2、AgBiS2和AAgInSe2中的一种或多种，所述金属卤化物钙钛矿量子点包括CsSnI3、CsSn
x
Pb1‑
x
、FAPbI3和Cs
x
FA1‑
x
PbI3中的一种或多种，所述CsSn
x
Pb1‑
x
和所述Cs
x
FA1‑
x
PbI3中，x为大于0小于1的数值。
[0021]在一些实施例中，所述第一溶剂和所述第三溶剂均为极性溶剂，所述第二溶剂为非极性溶剂；或者
[0022]所述第一溶剂和所述第三溶剂均为非极性溶剂，所述第二溶剂为极性溶剂。
[0023]第二方面，本申请实施例提供一种QLED显示面板，采用如上所述的制备方法制得。
[0024]本申请实施例提供的QLED显示面板的制备方法，通过采用电沉积的方法制备第一传输层、量子点层和第二传输层，能够使第一传输层、量子点层和第二传输层分别形成厚度均匀的膜层，解决了喷墨打印制程中出现的咖啡环效应导致膜层厚度不均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种QLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供驱动基板，所述驱动基板包括基底以及设于所述基底上的第一电极；提供第一溶液，所述第一溶液包括第一传输材料和第一溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述第一电极远离所述基底的一侧施加所述第一溶液，在电场作用下，所述第一溶液中的所述第一传输材料沉积在所述第一电极上，形成第一传输层；提供第二溶液，所述第二溶液包括量子点材料和第二溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧施加所述第二溶液，在电场作用下，所述第二溶液中的所述量子点材料沉积在所述第一传输层上，形成量子点层；提供第三溶液，所述第三溶液包括第二传输材料和第三溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述量子点层远离所述第一传输层的一侧施加所述第三溶液，在电场作用下，所述第三溶液中的所述第二传输材料沉积在所述量子点层上，形成第二传输层；在所述第二传输层远离所述量子点层的一侧形成第二电极。2.根据权利要求1所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一电极为阴极，所述第一传输材料为电子传输材料，所述第二传输材料为空穴传输材料，所述第二电极为阳极；或者所述第一电极为阳极，所述第一传输材料为空穴传输材料，所述第二传输材料为电子传输材料，所述第二电极为阴极。3.根据权利要求2所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述电子传输材料包括ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZnGaO、ZnInO、TiO2和SnO2中的一种或多种，所述空穴传输材料包括NiO、MoO3、V2O5、WO
x
和Cu
x
O中的一种或多种，所述WO
x
和所述Cu
x
O中，x为大于0的数值。4.根据权利要求2所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，当所述第一传输材料为电子传输材料，所述第二传输材料为空穴传输材料时，所述第一溶液中所述第一传输材料的浓度为5mg/mL～50mg/mL，所述第一传输层的厚度为10nm～100nm；所述第三溶液中所述第二传输材料的浓度为10mg/mL～100mg/mL，所述第二传输层的厚度为20nm～100nm；当所述第一传输材料为空穴传输材料，所述第二传输材料为电子传输材料时，所述第一溶液中所述第一传输材料的浓度为10mg/mL～100mg/mL，所述第一传输层的厚度为20nm～100nm；所述第三溶液中所述第二传输材料的浓度为5mg/mL～50mg/mL，所述第二传输层的厚度为10nm～100nm。5.根据权利要求1所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第二溶液中所述量子点材料的溶度为10mg/mL～50mg/mL，所述量子点层的厚度为10nm～50nm。6.根据权利要求1所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一传输材料的表面、所述量子点材料的表面以及所述第二传输材料的表面均修饰有配体，以使所述第一传输材料、所述量子点材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵金阳，陈黎暄，石志清，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：