晶圆刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆刻蚀设备。晶圆刻蚀设备包括：反应室，具有反应腔室、进气孔及排气部，进气孔通过反应腔室与排气部连通；基座，基座设置在反应腔室内，以用于承载待刻蚀晶圆；其中，进气孔的延伸方向呈螺旋状；或者，进气孔包括相互连通的第一孔段和第二孔段，第一孔段的延伸方向和第二孔段的延伸方向之间呈第一预设夹角A设置，第一预设夹角A大于90

【技术实现步骤摘要】
晶圆刻蚀设备


[0001]本技术涉及半导体加工
，具体而言，涉及一种晶圆刻蚀设备。

技术介绍

[0002]目前，在制作集成电路的过程中，需要对晶圆进行一系列的处理，这其中就包括晶圆的刻蚀。具体地，将晶圆放入刻蚀环境(刻蚀腔室)，然后向刻蚀腔室内通入工艺气体，按照需求对晶圆的表面进行刻蚀并最终形成所需要的晶圆形貌。
[0003]然而，在晶圆刻蚀设备对晶圆进行刻蚀的过程中，存在刻蚀腔室内壁上的离子掉落在晶圆上而导致晶圆刻蚀不足的现象，影响晶圆的加工质量。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种晶圆刻蚀设备，以解决现有技术中晶圆刻蚀设备易导致晶圆刻蚀不足而影响晶圆加工质量的问题。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供了一种晶圆刻蚀设备，包括：反应室，具有反应腔室、进气孔及排气部，进气孔通过反应腔室与排气部连通；基座，基座设置在反应腔室内，以用于承载待刻蚀晶圆；其中，进气孔的延伸方向呈螺旋状；或者，进气孔包括相互连通的第一孔段和第二孔段，第一孔段的延伸方向和第二孔段的延伸方向之间呈第一预设夹角A设置，第一预设夹角A大于90
°
。
[0006]进一步地，反应室包括：顶壁，进气孔贯穿顶壁上，顶壁包括相互连接的顶壁体和冷却板，冷却板位于顶壁体的外侧；周壁，周壁的第一侧与顶壁连接；底壁，周壁的第二侧与底壁连接，顶壁、周壁及底壁围绕形成反应腔室；其中，第一侧和第二侧相对设置。
[0007]进一步地，第一孔段和第二孔段的连接处位于顶壁体的内表面和外表面之间，外表面朝向冷却板设置。
[0008]进一步地，进气孔还包括第三孔段，第三孔段通过第二孔段与第一孔段连通，第三孔段的延伸方向与第二孔段的延伸方向之间呈第二预设夹角B设置。
[0009]进一步地，第三孔段的延伸方向与第一孔段的延伸方向相互平行设置。
[0010]进一步地，第二孔段通过第一孔段与反应腔室连通，第一孔段沿竖直方向。
[0011]进一步地，第一孔段和第二孔段均为直孔段，且第一孔段和第二孔段的孔径一致。
[0012]进一步地，沿进气孔的进气方向，进气孔的孔径一致。
[0013]进一步地，进气孔为一个；或者，进气孔为多个，多个进气孔沿反应腔室的长度方向和/或宽度方向间隔设置。
[0014]进一步地，进气孔还包括第四孔段，第四孔段通过第二孔段与第一孔段连通，第四孔段包括相互连通的第一子孔段和第二子孔段，第一子孔段的延伸方向和第二子孔段的延伸方向之间呈第三预设夹角C设置。
[0015]应用本技术的技术方案，在晶圆刻蚀设备对待刻蚀晶圆进行化学刻蚀的过程中，工艺气体通过进气孔进入反应腔室内，以对晶圆的表面进行化学刻蚀。这样，由于进气
孔的延伸方向呈螺旋状；或者，进气孔包括相互连通的第一孔段和第二孔段，第一孔段的延伸方向和第二孔段的延伸方向之间呈第一预设夹角A设置，第一预设夹角A大于90
°
，以使进气孔内具有拐角部，进而能够较大程度地避免反应腔室的腔壁上的离子掉落在晶圆表面上而导致晶圆刻蚀不足，解决了现有技术中晶圆刻蚀设备易导致晶圆刻蚀不足而影响晶圆加工质量的问题，提升了晶圆的加工质量。
附图说明
[0016]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0017]图1示出了根据本技术的晶圆刻蚀设备的实施例一的内部结构示意图；以及
[0018]图2示出了图1中的晶圆刻蚀设备的进气孔的结构示意图。
[0019]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0020]10、反应室；11、进气孔；111、第一孔段；112、第二孔段；113、第三孔段；12、顶壁；121、顶壁体；122、冷却板；13、反应腔室；20、基座。
具体实施方式
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
[0022]需要指出的是，除非另有指明，本申请使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0023]在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下”通常是针对附图所示的方向而言的，或者是针对竖直、垂直或重力方向上而言的；同样地，为便于理解和描述，“左、右”通常是针对附图所示的左、右；“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内、外，但上述方位词并不用于限制本技术。
[0024]为了解决现有技术中晶圆刻蚀设备易导致晶圆刻蚀不足而影响晶圆加工质量的问题，本申请提供了一种晶圆刻蚀设备。
[0025]实施例一
[0026]如图1和图2所示，晶圆刻蚀设备包括反应室10和基座20。反应室10具有反应腔室13、进气孔11及排气部，进气孔11通过反应腔室13与排气部连通。基座20设置在反应腔室13内，以用于承载待刻蚀晶圆。其中，进气孔11包括相互连通的第一孔段111和第二孔段112，第一孔段111的延伸方向和第二孔段112的延伸方向之间呈第一预设夹角A设置，第一预设夹角A大于90
°
。
[0027]应用本实施例的技术方案，在晶圆刻蚀设备对待刻蚀晶圆进行化学刻蚀的过程中，工艺气体通过进气孔11进入反应腔室内，以对晶圆的表面进行化学刻蚀。这样，由于进气孔11包括相互连通的第一孔段111和第二孔段112，第一孔段111的延伸方向和第二孔段112的延伸方向之间呈第一预设夹角A设置，第一预设夹角A大于90
°
，以使进气孔11内具有拐角部，进而能够较大程度地避免反应腔室的腔壁上的离子掉落在晶圆表面上而导致晶圆刻蚀不足，解决了现有技术中晶圆刻蚀设备易导致晶圆刻蚀不足而影响晶圆加工质量的问
题，提升了晶圆的加工质量。
[0028]如图1所示，反应室10包括顶壁12、周壁及底壁。进气孔11贯穿顶壁12上，顶壁12包括相互连接的顶壁体121和冷却板122，冷却板122位于顶壁体121的外侧。周壁的第一侧与顶壁12连接。周壁的第二侧与底壁连接，顶壁12、周壁及底壁围绕形成反应腔室13。其中，第一侧和第二侧相对设置。这样，工艺气体在进气孔11内流动的过程中，进气孔11的上述设置能够避免顶壁体121与冷却板122连接处的表面上的离子掉落在晶圆表面上，进而确保晶圆刻蚀设备能够对晶圆进行充分地刻蚀，提升了晶圆的加工质量。
[0029]在本实施例中，第一孔段111和第二孔段112的连接处位于顶壁体121的内表面和外表面之间，外表面朝向冷却板122设置。这样，顶壁体121的内表面朝向反应腔室设置，上述设置进一步避免顶壁体121的外表面上的离子在晶圆刻蚀设备运行过程中掉落在晶圆的表面上，也能够避免离子和电子进入顶壁体121的外表面上，进而提升了晶圆刻蚀设备的刻蚀效率。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻蚀设备，其特征在于，包括：反应室(10)，具有反应腔室(13)、进气孔(11)及排气部，所述进气孔(11)通过所述反应腔室(13)与所述排气部连通；基座(20)，所述基座(20)设置在所述反应腔室(13)内，以用于承载待刻蚀晶圆；其中，所述进气孔(11)的延伸方向呈螺旋状；或者，所述进气孔(11)包括相互连通的第一孔段(111)和第二孔段(112)，所述第一孔段(111)的延伸方向和所述第二孔段(112)的延伸方向之间呈第一预设夹角A设置，所述第一预设夹角A大于90
°
。2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀设备，其特征在于，所述反应室(10)包括：顶壁(12)，所述进气孔(11)贯穿所述顶壁(12)上，所述顶壁(12)包括相互连接的顶壁体(121)和冷却板(122)，所述冷却板(122)位于所述顶壁体(121)的外侧；周壁，所述周壁的第一侧与所述顶壁(12)连接；底壁，所述周壁的第二侧与所述底壁连接，所述顶壁(12)、所述周壁及所述底壁围绕形成所述反应腔室(13)；其中，所述第一侧和所述第二侧相对设置。3.根据权利要求2所述的晶圆刻蚀设备，其特征在于，第一孔段(111)和第二孔段(112)的连接处位于所述顶壁体(121)的内表面和外表面之间，所述外表面朝向所述冷却板(122)设置。4.根据权利要求3所述的晶圆刻蚀设备，其特征在于，所述进气孔(11)还包括第三孔段(113...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊峰，豆海清，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：