从部件复合体中分离部件的方法及部件技术

说明了一种用于从部件复合体（1）中分离部件（2）的方法，其中所述方法包括以下步骤：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】从部件复合体中分离部件的方法及部件


[0001]说明了一种用于从部件复合体中分离部件的方法。所述部件优选是光电子半导体部件，例如发射辐射或探测辐射的半导体部件。

技术介绍

[0002]为了实现紧凑的部件，例如所谓的QFN（Quad Flat No Leads，四方扁平无引脚）封装——其中由引线框架的引线框架元件形成的电连接端不突出超过塑料护套或外壳本体，而是平面地集成在外壳本体的表面中，作为起始组件可以使用具有塑料护套的大面积衬底。然后必须将由起始组件形成的复合体分离成单独组件。在此，一种常用的方法是借助于锯切进行分离，但这种方法在各个方面都比较费事。一方面，该方法需要锯切膜来支持该过程，所述锯切膜必须在锯切前施加到所述复合体上并在锯切后剥离。另一方面，由于可能形成毛刺，在大多数情况下加工方向是预给定的。

技术实现思路

[0003]在当前情况下，要解决的一个任务是说明一种更简单的用于从部件复合体中分离部件的方法。另一个要解决的任务是说明一种可以通过更简单的方式制造的部件。
[0004]这些任务尤其通过具有独立权利要求的特征的用于分离部件的方法和部件来解决。
[0005]用于从部件复合体中分离部件的方法以及部件的有利扩展是从属权利要求的主题。
[0006]根据用于从部件复合体中分离部件的方法的至少一个实施方式，所述方法具有以下步骤：
‑
提供所述部件复合体，所述部件复合体包括
‑
结构化衬底，所述结构化衬底具有部件载体本体和布置在所述部件载体本体之间的连接区域，
‑
基材，所述结构化衬底的连接区域至少部分地嵌入所述基材中，
‑
去除所述部件复合体的分离区域中的基材，所述分离区域包括所述连接区域，
‑
在所述分离区域处将所述部件复合体分离成部件。
[0007]部件载体本体优选地也至少部分地嵌入在所述基材中。此外可能的是，除了所述连接区域之外，所述分离区域还可以具有基材区域。
[0008]由于在分离区域中去除了基材，所述部件复合体在那里具有更小的厚度，这种更小的厚度使得部件复合体更容易分离。有利地，由此与迄今为止使用的分离方法不同，可以使用不太费事的分离方法，例如冲压方法，这种分离方法本来需要很大的力。
[0009]优选地，向每个部件载体本体或部件分配一个分离区域，其中所分配的分离区域的切断导致部件载体本体或部件从部件复合体隔离出来。特别地，每个分离区域以框架的形式围绕部件载体本体或部件布置。一种可能的实施方式规定，分配给所述部件的分离区
域被构造为连续的，也就是没有过渡。
[0010]结构化衬底可以例如通过将原材料或起始材料结构化成不同的功能区域来制造，所述功能区域包括部件载体本体和连接区域。在结构化期间可以在起始材料中形成空隙，所述空隙导致将起始材料细分为部件载体本体和连接区域，其中所述部件载体本体过渡到所述连接区域中，反之亦然。例如，连接区域可以是部件载体本体之间的窄连接桥。此外，所述空隙可以是起始材料中的穿孔。
[0011]在优选的设计中，使用结构化衬底，其中所述部件载体本体规则地布置。规则地布置在此意味着重复的布置图案。例如，部件载体本体可以布置成行和列。优选地，每两个直接相邻的部件载体本体都通过至少一个连接区域彼此连接。特别地，部件载体本体具有诸如正方形的至少近似矩形的形状。部件载体本体的其他几何形状，特别是三角形结构、六边形结构或圆形结构，在当前情况下也是合适的。
[0012]一种优选的实施方式规定，从器件复合体分离出的部件是光电子半导体部件并且分别具有部件载体本体和布置在所述部件载体本体上的至少一个光电子半导体芯片。有利地，部件载体本体具有至少一个用于固定半导体芯片的芯片安装区域和至少一个与所述半导体芯片导电连接的连接区域。
[0013]半导体芯片可以是发射辐射的半导体芯片，例如发光二极管芯片或激光二极管芯片，或者是探测辐射的半导体芯片，例如光电二极管或光电晶体管。特别地，发射辐射的半导体芯片适用于发射可见、紫外或红外光谱范围内的电磁辐射。
[0014]此外，探测辐射的半导体芯片优选地适用于探测可见、紫外或红外光谱范围内的电磁辐射。此外，可以提供半导体芯片用于探测化学物质，例如气体。发射辐射的或发射辐射的半导体芯片可以具有半导体本体，该半导体本体具有适用于产生辐射或探测辐射的有源区。特别地，有源区是pn结区。在此，有源区可以被构造为一层或多个层的层序列。
[0015]对于半导体本体的各层，优选地分别考虑使用基于氮化物半导体或磷化物半导体的材料。“基于氮化物半导体”在本文中意味着半导体本体的至少一层包括氮化物III/V化合物半导体材料，优选Al
n
Ga
m
In1‑
n
‑
m
N，其中0≤n≤1，0≤m≤1和n+m≤1。对应地，“基于磷化物半导体”意味着半导体本体的至少一层包括Al
n
Ga
m
In1‑
n
‑
m
P，其中0≤n≤1、0≤m≤1和n+m≤1。在此，这种材料不一定必须具有根据上述公式在数学上精确的成分，而是可以具有一种或多种掺杂剂以及附加成分，所述成分基本上不改变Al
n
Ga
m
In1‑
n
‑
m
N
‑
或Al
n
Ga
m
In1‑
n
‑
m
P
‑
的特征性物理特性。然而，为简单起见，上式仅包含晶格的主要成分（Al、Ga、In、N），即使这些主要成分可以部分地被少量其他物质替代。
[0016]此外，所述连接区域特别是厚度减小的衬底区域。相反，所述部件载体本体包括最大厚度的衬底区域，即在其中衬底特别是具有其起始厚度的区域。衬底优选地具有在100μm和300μm之间的最大厚度或垂直伸展，包括端值，其中
±
10％的偏差在公差范围内。优选地，所述部件载体本体在垂直方向上在衬底的正面上至少局部地突出超过所述连接区域。在衬底的背面上，所述部件载体本体也可以在竖直方向上至少局部地突出超过所述连接区域或与所述连接区域齐平。
[0017]在本申请的范围中，所述背面特别是指为成品部件的后续安装提供的侧，而正面是与背面相对的侧，例如用于发射辐射。
[0018]优选地，在衬底正面上的连接区域被所述基材完全覆盖。在背面，特别是在应当实
现与部件载体本体的齐平连接的情况下，所述连接区域可以完全被所述基材覆盖。
[0019]根据至少一个实施方式，借助于光结构化涂层去除在分离区域中的基材。
[0020]在此，首先将光敏涂层施加到所述部件复合体上，并且借助于光刻方法产生光结构化涂层，其中在所述部件复合体的分离区域中去除所述光敏涂层。为了去除光敏涂层，特别是当光敏涂层是光刻胶时，可以使用诸如丙二醇本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于从部件复合体（1）中分离部件（2）的方法，其中所述方法包括以下步骤：
‑
提供所述部件复合体（1），所述部件复合体包括
‑
结构化衬底（3），所述结构化衬底具有部件载体本体（4）和布置在所述部件载体本体（4）之间的连接区域（5），
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基材（6），所述结构化衬底（3）的连接区域（5）至少部分地嵌入所述基材中，
‑
去除所述部件复合体（1）的分离区域（7）中的基材（6），所述分离区域包括所述连接区域（5），
‑
在所述分离区域（7）处将所述部件复合体（1）分离成所述部件（2）。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分离借助于冲压进行。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述部件载体本体（4）从所述衬底（3）中冲压出来。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在去除所述基材（6）时，所述连接区域（5）至少部分地暴露。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，通过在所述连接区域（5）处去除所述基材（6），在所述基材（6）中产生至少一个凹陷（8）。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述凹陷（8）具有对应于所述衬底（3）的起始材料的厚度（d）的横向伸展（e）。7.根据前述两项权利要求中的至少一项所述的方法，其中，所述凹陷（8）的由所述基材（6）形成并横向界定所述凹陷的侧壁在所述分离之后形成所述部件（2）的侧壁的至少一些部分。8.根据前述权利要求中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：