防腐蚀的器件和制造防腐蚀的器件的方法技术

说明了一种光电子器件（100），具有载体（1）和布置在所述载体上的半导体芯片（2），其中所述载体具有安装面（1M），所述安装面（1M）设置有反射涂层（4）。防腐蚀层（7）形成在所述半导体芯片上，并且所述半导体芯片在垂直方向上布置在所述反射涂层与所述防腐蚀层之间。所述反射涂层设置有阻挡层（5），所述阻挡层（5）在垂直方向上局部地布置在所述半导体芯片与所述反射涂层之间。所述阻挡层由无机材料形成并且用作所述反射涂层的附加防腐蚀层。尤其是所述阻挡层（5）的垂直层厚度在1nm和100nm之间，包括端值。此外，所述防腐蚀层（7）的垂直层厚度在10nm和5000nm之间，包括端值。此外说明了一种用于制造器件的方法，尤其是用于制造这种器件的方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防腐蚀的器件和制造防腐蚀的器件的方法


[0001]说明了一种器件，尤其是一种光电子器件。还说明了一种用于制造光电子器件的方法。

技术介绍

[0002]用于光电子半导体芯片的载体具有安装面，在所述安装面上布置有一个部件、尤其是一个光电子半导体芯片或多个部件。为了将从光电子半导体芯片发射的电磁辐射有效地反射离开所述载体，所述安装面优选地设置有反射涂层，尤其是银涂层。然而，所述反射涂层可能例如在腐蚀性气体（例如H2S气体）的影响下由于腐蚀而退化并改变其原始颜色。
[0003]例如，银层在H2S气体的影响下将其颜色从反射金属银变为较暗的颜色。由于这种颜色变化，被腐蚀的反射涂层的反射率降低。由于反射率根据波长而不同地改变或退化，因此与未腐蚀的器件相比，由光电子器件发射的光的色度坐标可能以不期望的方式改变。

技术实现思路

[0004]一个任务是说明一种有效且颜色稳定的器件。另一个任务在于说明一种用于制造器件的可靠且成本有利的方法。
[0005]这些任务通过根据独立权利要求的器件以及由于制造器件的方法来解决。所述方法或所述器件的其他设计和扩展是其它权利要求的主题。
[0006]根据器件、尤其是光电子器件的至少一个实施方式，所述器件具有载体和布置在所述载体上的部件。所述部件可以是半导体芯片，尤其是光电子半导体芯片。当器件运行时，所述半导体芯片例如被设置为产生电磁辐射。所述载体具有优选设置有反射涂层的安装面。所述部件可以布置在所述反射涂层上。
[0007]根据所述器件的至少一个实施方式，在所述部件上形成防腐蚀层，其中所述部件在所述反射涂层和所述防腐蚀层之间沿垂直方向布置。在俯视图中，所述防腐蚀层可以完全覆盖所述部件。所述反射涂层的大部分，例如所述反射涂层的至少50％、60％、70％、80％或至少90％，可以被所述防腐蚀层覆盖。可能的是，在所述载体的俯视图中，所述反射涂层被所述防腐蚀层完全覆盖。
[0008]垂直方向通常应理解为垂直于所述载体的主延伸面的方向。相反，横向方向应理解为尤其平行于所述载体的主延伸面分布的方向。所述垂直方向和所述横向方向是彼此横向的，例如彼此正交。
[0009]根据所述器件的至少一个实施方式，所述器件具有阻挡层，所述阻挡层在垂直方向上至少局部地布置在所述部件与所述反射涂层之间。所述阻挡层优选地由无机材料形成并且可以用作所述反射涂层的附加防腐蚀层。所述阻挡层和所述防腐蚀层可以由相同的材料形成或由不同的材料形成。尤其是，所述防腐蚀层被实施为电绝缘的。所述阻挡层可以被实施为电绝缘的或导电的。所述阻挡层尤其是沿垂直方向布置在所述防腐蚀层与所述反射涂层之间。在所述载体的俯视图中，所述阻挡层和所述防腐蚀层的总和可以完全覆盖所述
反射涂层。
[0010]在光电子器件的至少一个实施方式中，所述光电子器件具有载体和布置在所述载体上的半导体芯片。所述载体具有设置有反射涂层的安装面。在所述半导体芯片上形成防腐蚀层，其中所述半导体芯片在垂直方向上布置在所述反射涂层与所述防腐蚀层之间。所述反射涂层设置有阻挡层，其中所述阻挡层在垂直方向上局部地布置在所述半导体芯片与所述反射涂层之间。所述阻挡层由无机材料形成并且用作所述反射涂层的附加防腐蚀层。所述阻挡层可以布置在所述连接层与所述反射涂层之间。所述阻挡层尤其是直接布置在所述反射涂层上。在俯视图中，所述防腐蚀层尤其是布置在被所述阻挡层覆盖的反射层上并且可以部分或完全覆盖反射层。
[0011]所述防腐蚀层和所述阻挡层尤其是被设置为提高所述反射涂层的耐腐蚀性。所述防腐蚀层和/或所述阻挡层可以由具有比诸如硅树脂或其他封装材料的封装材料低的透气性的透明材料形成。尤其是，所述阻挡层和/或所述防腐蚀层被实施为不透气的。例如，选择所述防腐蚀层和/或所述阻挡层的垂直层厚度，使得所述防腐蚀层和/或所述阻挡层被构造为不透气的。
[0012]尤其是，所述阻挡层具有介于1nm和100nm之间、1nm和50nm之间或1nm和25nm之间的层厚度，包括端值。所述阻挡层可以在施加所述部件之前施加到所述载体的安装面上。所述防腐蚀层可以具有例如在10nm和5000nm之间的垂直层厚度，包括端值。尤其是，所述抗腐蚀层在施加了所述部件之后才施加到所述部件和所述载体上。因为所述反射涂层被不透气或几乎不透气的层覆盖两次，所以可以有效地保护反射涂层尤其是免遭有害气体。对于机械应力或热机械应力，例如在加工或焊接所述器件时，可以避免在两个保护层中同时或在相同部位处出现裂纹。因此，可以将有害气体通过裂缝渗入所述反射涂层的风险最小化，由此改善所述器件的长期腐蚀稳定性。
[0013]由于所述阻挡层由无机材料形成，因此与由有机材料或有机化学化合物制成的保护层相比，所述阻挡层可以被设计为特别气密的。例如，可以通过经过验证的涂覆方法以简单的方式调整由无机材料制成的阻挡层的层厚度。此外，所述阻挡层可以形成为特别顺应安装面上可能的不平整，尤其是安装面上可能金属化部的边缘和角落处可能的不平整。
[0014]根据所述器件的至少一个实施方式，所述阻挡层具有三维网络结构。因此，所述阻挡层尤其是实施为独立层。在产生之后，这样的阻挡层可以独立于其他层而存在。例如，所述阻挡层被实施为自支撑层。自支撑层应理解为尤其是自承重的并且不会在其自身重量下分解的层。但在自身重量的作用下，自支撑层可能变形。
[0015]所述三维网络结构可以是聚硅氧烷状、短程有序的晶体状或由相互链接的大分子组成的三维网络。例如，所述阻挡层由非晶材料形成。然而，在短程有序中，尤其是仅在短程有序中，所述阻挡层的无定形材料可以具有规则的三维网络结构。然而，这种材料没有长程有序，即远离短程有序环境的原子或分子没有规则和周期性的排列。
[0016]与由有机化学化合物或有机化学化合物制成的保护层相比，例如与例如在文献DE 10 2016 111 566 A1中描述的硫醇盐涂层相比，由无机材料制成的相同层厚度的阻挡层对常见有害气体具有显著更低的透射率。例如，通过将硫醇施加到表面上来产生硫醇盐涂层，由此在所述表面上形成单层（硫醇盐）。因此硫醇盐涂层不具有三维网络结构，而是具有二维网络结构。
[0017]该单层或多个这样的单层虽然可以防止诸如H2S分子的有害气体分子与所述表面反应。然而，所述单层并没有在所有三个空间方向上形成网络链接，从而所述单层并不构成真正的具有三维网络结构的阻挡层。所述单层或多个这样的单层因此不形成尤其是具有三维网络结构的独立的阻挡层。
[0018]由于硫醇也是有机化学化合物，硫醇单层通常只能在特殊金属上形成。因此，与由无机材料制成的阻挡层不同，硫醇盐涂层不能普遍使用。此外，硫醇盐涂层作为防护层仅适用于少数有害气体。相反，与硫醇盐涂层相比或与由有机化学化合物制成的涂层相比，由无机材料制成的不透气阻挡层可以用作显著更多数量有害气体的合适防护层。
[0019]根据所述器件的至少一个实施方式，所述阻挡层和/或所述防腐蚀层的无机材料是氧化物材料、氮化物材料、氮氧化物材料或氟化物材料。也可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电子器件（100），具有载体（1）和布置在所述载体上的半导体芯片（2），其中
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所述载体具有安装面（1M），所述安装面（1M）设置有反射涂层（4），
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防腐蚀层（7）形成在所述半导体芯片上，并且所述半导体芯片在垂直方向上布置在所述反射涂层与所述防腐蚀层之间，
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所述反射涂层设置有阻挡层（5），所述阻挡层（5）在垂直方向上局部地布置在所述半导体芯片与所述反射涂层之间，
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所述阻挡层由无机材料形成并且用作所述反射涂层的附加防腐蚀层，
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所述阻挡层（5）的垂直层厚度在1nm和100nm之间，包括端值，以及
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所述防腐蚀层（7）的垂直层厚度在10nm和5000nm之间，包括端值。2.根据权利要求1所述的光电子器件（100），其中，所述阻挡层（5）具有三维网络结构并且因此被实施为独立层。3.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述阻挡层（5）的无机材料是氧化物材料、氮化物材料、氮氧化物材料或氟化物材料。4.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述阻挡层（5）的无机材料是基于硅氧烷、基于聚硅氧烷或聚硅氧烷型的材料。5.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述阻挡层（5）的无机材料是辐射可透过且导电的材料。6.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述阻挡层（5）是电绝缘层。7. 根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，
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所述阻挡层（5）的垂直层厚度在1nm和50nm之间，包括端值，以及
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所述防腐蚀层（7）的垂直层厚度在10nm和1000nm之间，包括端值。8. 根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述半导体芯片（2）经由至少一个电连接结构（8）与所述载体（1）导电连接，其中所述电连接结构沿垂直方向穿过所述阻挡层（5）地一直延伸至所述安装面（1M）。9. 根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述载体（1）是外壳（10）的一部分，所述外壳由非金属外壳框架（10G）横向地包围，其中
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所述外壳框架具有空腔（3），在所述空腔（3）的底面（3B）上布置有所述半导体芯片（2），以及
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所述空腔具有被所述阻挡层（5）覆盖的围绕的外表面（3W）。10.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述半导体芯片（2）是体积发射器。11.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述半导体芯片（2）借助于连接层（6）固定在所述阻挡层（5）上，其中所述连接层具有用于反射电磁辐射的反射颗粒（6P）、用于改善导热性的颗粒或导电颗粒（6L）。12. 根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述防腐蚀层（7）和所述阻挡层（5）由相同的材料形成。13.根据权利要求1所述的光电子器件（100），其中
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所述反射涂层（4）是银涂层，
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所述半导体芯片（2）是体积发射器，所述体积发射器借助于连接层（6）固定在所述阻挡层（5）上，
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所述连接层具有粘合基质材料（6A），所述连接层被设置为在所述器件运行期间反射由所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：