本实用新型专利技术提供了一种RF发射芯片的电源及上电复位电路，其特征在于，包括主路电源供电接口，主路电源供电接口经由电压转换芯片一为RF发射芯片供电；主路电源失效后，由备用电源单元经由电压转换芯片二为RF发射芯片供电；RF发射芯片的I/O口与电压采样接口相连，复位口与复位电路单元相连。在本实用新型专利技术所公开的技术方案中，当主路电源失效后，由备用电源单元继续为RF发射芯片供电。而当主路电源恢复后，利用复位电路单元将RF发射芯片重新复位，确保了RF发射芯片能够长期稳定工作。更进一步，在本实用新型专利技术所公开的技术方案中，利用RF发射芯片自身对主路电源是否失效进行监测，无须添加额外的告警电路，节约了电路的硬件成本。本。本。
【技术实现步骤摘要】
一种RF发射芯片的电源及上电复位电路
[0001]本技术涉及一种用于RF发射芯片的供电及上电复位电路。
技术介绍
[0002]现有的电源电路大多仅考虑了在主供电回路失效的情况下，利用电容等元件实现辅助供电。例如：公开号为CN211166739U、公开日为2020年8月4日的中国技术专利公开了一种电源电路及应用该电源电路的供电装置，电源电路包括分别与负载相连接的主电源和辅助电源，所述辅助电源包括控制单元、电流采集单元、超级电容单元、第一电源单元和第二电源单元；所述超级电容单元、第一电源单元和第二电源单元分别与所述控制单元相连接；所述电流采集单元分别与所述控制单元和所述负载相连接；所述超级电容单元、第一电源单元和第二电源单元分别与所述主电源相连接。
[0003]在上述电源电路中，若主电源失效则由辅助电源维持供电。但对于诸如RF发射芯片之类的电路芯片而言，不仅需要确保其能够持续供电，而且当主电源恢复后，需要将RF发射芯片重启，以确保其能长时间正常工作。而现有的电源电路大多不具备上述功能。并且现有的电源电路在实现主电源失效报警时，需要采用额外的告警电路或者芯片来实现，增加了电路成本。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种即能够确保主供电回路失效后也能为RF发射芯片供电，且在主供电回路恢复正常后，又能将RF发射芯片重启的电路。
[0005]为了达到上述目的，本技术的一种RF发射芯片的电源及上电复位电路，其特征在于，包括主路电源供电接口，主路电源供电接口分别连接延时单元、二极管D91的阳极、MOS管Q18的栅极、双PMOS管Q17的一个漏极以及电压转换芯片一的输入端；
[0006]二极管D91的阴极连接双PMOS管Q15的两个栅极；双PMOS管Q15的两个源极短接；双PMOS管Q15的一个漏极连接RF发射芯片供电接口，双PMOS管Q15的另一个漏极连接电压转换芯片二的输出端；电压转换芯片二的输入端连接备用电源单元，备用电源电路连接电阻R251的一端；电阻R251的另一端分别连接MOS管Q18的漏极、双PMOS管Q17的两个栅极以及双PMOS管Q3的两个栅极；
[0007]MOS管Q18的源极接地，在MOS管Q18的源极与栅极之间跨接电阻R252；
[0008]双PMOS管Q17的两个源极短接，双PMOS管Q17的另一个漏极连接二极管D92的阳极，二极管D92的阴极连接备用电源单元；
[0009]电压转换芯片一的输出端分别连接电压采样接口以及双PMOS管Q3的一个漏极，双PMOS管Q3的两个源极短接，双PMOS管Q3的另一端漏极连接RF发射芯片供电接口；
[0010]RF发射芯片供电接口与RF发射芯片的电源输入端相连；
[0011]RF发射芯片的一个I/O口与电压采样接口相连；
[0012]RF发射芯片的复位口与复位电路单元相连。
[0013]优选地，所述延时单元包括串联的电阻R254及电容C310，电阻R254与所述主路电源供电接口相连，电容C310的一端同时连接电阻R254以及所述双PMOS管Q15的两个栅极。
[0014]优选地，所述备用电源单元采用阻容电路。
[0015]优选地，所述阻容电路由电阻R247和储能电容CN19组成，电阻R247的一端连接所述二极管D92的阴极，另一端连接储能电容CN19；储能电容CN19还连接所述电压转换芯片二的输入端以及所述电阻R251的一端。
[0016]优选地，还包括状态指示电路单元，状态指示电路单元与所述RF发射芯片供电接口相连。
[0017]优选地，所述状态指示电路单元包括两路状态指示电路，两路状态指示电路分别包括两个发出不同颜色光的发光二极管，两个发光二极管的阳极分别连接所述RF发射芯片供电接口，两个发光二极管的阴极分别与所述RF发射芯片的不同I/O口相连。
[0018]优选地，所述复位电路单元包括MOS管Q19，MOS管Q19的漏极连接所述RF发射芯片的复位口、源极接地、栅极分别连接电阻R256的一端及MOS管Q20的漏极，电阻R256的另一端连接所述主路电源供电接口，所述主路电源供电接口还连接二极管D93的阴极、电阻R255的一端，二极管D93的阳极及电阻R255的另一端连接MOS管Q20的栅极，MOS管Q20的源极接地，在MOS管Q20的栅极与源极之间跨接电容C311。
[0019]在本技术所公开的技术方案中，当主路电源失效后，由备用电源单元继续为RF发射芯片供电。而当主路电源恢复后，利用复位电路单元将RF发射芯片重新复位，确保了RF发射芯片能够长期稳定工作。更进一步，在本技术所公开的技术方案中，利用RF发射芯片自身对主路电源是否失效进行监测，无须添加额外的告警电路，节约了电路的硬件成本。
附图说明
[0020]图1为实施例公开的一种电源电路中主电源供电电路以及备用储能供电电路的电路原理图；
[0021]图2为为实施例公开的一种电源电路中主电源电源检测和重新上电自动复位电路的电路原理图。
具体实施方式
[0022]下面结合具体实施例，进一步阐述本技术。应理解，这些实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围。此外应理解，在阅读了本技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
[0023]本技术提供的一种RF发射芯片的电源及上电复位电路如图1及图2所示，图中：VDD_5V表示主路电源供电接口；VDD_RF表示RF发射芯片供电接口；Q17、Q3及Q15均为双PMOS管；U18及U56为电压转换芯片，用于将5V电压转换为3.3V电压；CN19为储能电容；U49为RF发射芯片，RF发射芯片在MCU控制下收/发无线数据。
[0024]当主路电源正常工作时，通过主路电源供电接口VDD_5V提供5V电压。电压转换芯片U18正常工作，将5V电压转换为+3.3V电压输出至双PMOS管Q3。同时，电压转换芯片U18输
出的+3.3V电压直接输入RF发射芯片U49的一个I/O，由此RF发射芯片U49可以检测电压转换芯片U18是否正常工作。
[0025]由于MOS管Q18的栅极与主路电源供电接口VDD_5V相连，因此，主路电源正常工作时MOS管Q18处于导通状态，MOS管Q18的漏极与源极导通，为接地状态，从而将后续电路的双PMOS管Q17和双PMOS管Q3的栅极拉为低电平，使得双PMOS管Q17和双PMOS管Q3都处于导通状态。
[0026]双PMOS管Q17的导通让主路电源供给的5V电压通过二极管D92给由电阻R247和储能电容CN19组成的阻容电路充电，由储能电容CN19当做备用电源。由于主路电源供给的5V电压通过二极管D91供给至双PMOS管Q15，使得双PMOS管Q15的栅极拉为高电平，双PMOS管Q15处于断开状态，因此确保阻容电路处于充电状态，无法向外提供输出本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种RF发射芯片的电源及上电复位电路，其特征在于，包括主路电源供电接口VDD_5V，主路电源供电接口VDD_5V分别连接延时单元、二极管D91的阳极、MOS管Q18的栅极、双PMOS管Q17的一个漏极以及电压转换芯片一U18的输入端；二极管D91的阴极连接双PMOS管Q15的两个栅极；双PMOS管Q15的两个源极短接；双PMOS管Q15的一个漏极连接RF发射芯片供电接口VDD_RF，双PMOS管Q15的另一个漏极连接电压转换芯片二U56的输出端；电压转换芯片二U56的输入端连接备用电源单元，备用电源电路连接电阻R251的一端；电阻R251的另一端分别连接MOS管Q18的漏极、双PMOS管Q17的两个栅极以及双PMOS管Q3的两个栅极；MOS管Q18的源极接地，在MOS管Q18的源极与栅极之间跨接电阻R252；双PMOS管Q17的两个源极短接，双PMOS管Q17的另一个漏极连接二极管D92的阳极，二极管D92的阴极连接备用电源单元；电压转换芯片一U18的输出端分别连接电压采样接口以及双PMOS管Q3的一个漏极，双PMOS管Q3的两个源极短接，双PMOS管Q3的另一端漏极连接RF发射芯片供电接口VDD_RF；RF发射芯片供电接口VDD_RF与RF发射芯片的电源输入端相连；RF发射芯片的一个I/O口与电压采样接口相连；RF发射芯片的复位口与复位电路单元相连。2.如权利要求1所述的一种RF发射芯片的电源及上电复位电路，其特征在于，所述延时单元包括串联的电阻R254及电容C310，电阻R254与所述主路电源供电接口VDD_5V相连，电容C310的一端同时连接电阻R254...
【专利技术属性】
技术研发人员：何生利，孙石民，
申请(专利权)人：上海助院科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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