双面金属化薄膜电容器制造技术

本实用新型专利技术涉及金属化薄膜电容器制造技术领域，尤其涉及双面金属化薄膜电容器，薄膜芯片、喷金层、电极引线和包封层，所述的薄膜芯片上下两表面通过真空蒸镀上金属化薄膜，薄膜芯片两端分别设置有电极铜引线，两端电极铜引线与薄膜芯片的喷金层通过焊锡焊接后相联结，包封层包裹在薄膜芯片外围。本实用新型专利技术的有益效果为：由于双面金属化塑胶薄膜承载电流能力强，是单面金属化薄膜的2.0倍，使得电容器可工作环境温度提高，抗电强度提高；产品在高温环境下使用不容易发热、短路等，提高了产品工作的可靠性，同时延长了产品的使用寿命。同时延长了产品的使用寿命。同时延长了产品的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
双面金属化薄膜电容器


[0001]本技术涉及一种金属化薄膜电容器制造
，特别是涉及一种由双面金属化薄膜电容芯片制作的高抗电强度和耐高温的金属化薄膜电容器。

技术介绍

[0002]金属化薄膜电容器应用范围非常广，其功能是主要是充放电和储存电能；其中充放电的电流直接通过金属化薄膜电容器，如果金属化薄膜电容器电极引线跟薄膜芯片接著电阻大，电流在电极引线跟薄膜芯片联结点局部产生热量，导致薄膜芯片本体温度瞬间升高，薄膜间的抗电强度降低；当金属化膜电容器长时间工作在高温状态时，极容易出现本体变形、电压击穿爆裂而直接失效。导致金属化薄膜电容器功能失效的原因很多，但多数都是因为薄膜芯片本体高温热击穿所造成的。金属化薄膜电容器失效后，其充放电和储存电能功能相应失效，导致许多电路功能失效而无法正常工作。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于针对已有的技术现状，提供双面金属化薄膜电容器。通过优化金属化薄膜结构，提高金属化薄膜电容器耐温性能，从而延长使用寿命是非常紧迫的工作。
[0004]双面金属化薄膜电容器，薄膜芯片、喷金层、电极引线和包封层，所述的薄膜芯片上下两表面通过真空蒸镀上金属化薄膜，薄膜芯片两端分别设置有电极铜引线，两端电极铜引线与薄膜芯片的喷金层通过焊锡焊接后相联结，包封层包裹在薄膜芯片外围。
[0005]具体的，所述的金属化薄膜的厚度为0.01
‑
0.017umm。
[0006]具体的，所述的薄膜芯片堆叠在一起，第一、第三和第六层的薄膜芯片不镀上金属层，第二和第五层的薄膜芯片的两表面均为两边镀上金属层且中间留空不镀，第四和第七层的薄膜芯片上表面均为镀上金属层。
[0007]本技术的有益效果为：由于双面金属化塑胶薄膜承载电流能力强（是单面金属化薄膜的2.0倍），使得电容器可工作环境温度提高（单面金属化85℃，双面金属化110℃），抗电强度提高（单面金属化630VDC,双面金属化2000VDC）；产品在高温环境下使用不容易发热、短路等，提高了产品工作的可靠性，同时延长了产品的使用寿命（30000小时以上）；通过分析金属化薄膜电容器的结构，同时大量的实际应用试验验证，此款能承载大电流的双面金属化薄膜电容器，使得其能在高温环境、高电压电路上持续工作，具备了更长的使用寿命从而获得较好的应用市场。
附图说明
[0008]附图1为本技术的立体图。
[0009]标注说明：膜芯片1、喷金层2、电极引线3、金属化薄膜4和包封层5。
具体实施方式
[0010]附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。
[0011]如附图1所示，双面金属化薄膜电容器，包括：薄膜芯片、喷金层、电极引线和包封层；所述的薄膜芯片上下两表面通过真空蒸镀上金属化薄膜，薄膜芯片两端分别设置有电极铜引线，两端电极铜引线与薄膜芯片的喷金层通过焊锡焊接后相联结，包封层包裹在薄膜芯片外围。
[0012]上述方案，所述的金属化薄膜的厚度为0.01
‑
0.017umm，所述的薄膜芯片堆叠在一起，第一、第三和第六层的薄膜芯片不镀上金属层，第二和第五层的薄膜芯片的两表面均为两边镀上金属层且中间留空不镀，第四和第七层的薄膜芯片上表面均为镀上金属层。上述所涉及的金属化薄膜是采用真空蒸镀的方法制造的，蒸镀的全过程处于高真空状态，金属镀层通过化学吸附结合在一起。
[0013]本技术的目的主要是推出一种能承载大电流，耐温性能好，能在高压线路上持续工作的双面金属化薄膜电容器，能有效解决市场上普通单面金属化薄膜电容器实际应用时存在的耐电流小、耐温性能差和使用寿面短等缺点。
[0014]本技术的目的实现原理：一种双面金属化薄膜电容芯片制作的高抗电强度和耐高温的金属化薄膜电容器，其主要包括金属化薄膜芯片、两端电极铜引线、喷金层和包封层；所述金属化薄膜芯片其制作为双面金属化薄膜，其承载电流大小是普通单面金属金属化薄膜的两倍。
[0015]显然，本技术的上述实施例仅仅是为清楚地说明本技术所作的举例，而并非是对本技术的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术权利要求的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.双面金属化薄膜电容器，包括：薄膜芯片、喷金层、电极引线和包封层，其特征在于：所述的薄膜芯片上下两表面通过真空蒸镀上金属化薄膜，薄膜芯片两端分别设置有电极铜引线，两端电极铜引线与薄膜芯片的喷金层通过焊锡焊接后相联结，包封层包裹在薄膜芯片外围。2.根据权利要求1所述的双面金属化薄膜电容器，其特征在于：所述的金属化薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊松，
申请(专利权)人：广东鸿志电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：