电子束装置及图像获取方法制造方法及图纸

实施方式所涉及的电子束装置包括：支承部，其支承试样；电极，其配置在被所述支承部支承的所述试样的下方，能够对所述试样施加电压，所述电极包括能够独立地设定电压的多个柱状电极；以及控制部，其能够基于表示所述试样的结构的结构信息生成用于校正在所述试样产生的电场分布的校正数据，基于所述校正数据控制所述多个柱状电极。制所述多个柱状电极。制所述多个柱状电极。

【技术实现步骤摘要】
电子束装置及图像获取方法
相关申请本申请以由2020年9月11日提交的在先的第2020
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152972号日本专利技术专利申请所产生的优先权之利益为基础，且请求其利益，其内容的整体通过援引而包含于本申请。


[0001]本专利技术的实施方式涉及电子束装置及图像获取方法。

技术介绍

[0002]作为半导体制造工序的一环，压印光刻工序是已知的。在压印光刻工序中，通过将模板按压在形成于被蚀刻层之上的抗蚀膜，抗蚀膜被加工为蚀刻掩模。用于压印光刻的模板具有与形成于半导体器件的图案等倍的图案。随着半导体器件的微小化，模板的图案也不断微小化。为了将这样的模板使用于半导体器件的制造，首先，需要检查测量模板上的图案，而模板的微小化使检查测量等也变得困难。专利技术的主要内容
[0003]一个实施方式提供能够提高微小图案的检查测量精度的电子束装置及图像获取方法。
[0004]根据一个实施方式，提供电子束装置。该电子束装置具备：支承部，其支承试样；电极，其配置在被所述支承部支承的所述试样的下方，能够对所述试样施加电压，所述电极包括能够独立地设定电压的多个柱状电极；以及控制部，其能够基于表示所述试样的结构的结构信息，生成用于校正所述试样产生的电场分布的校正数据，基于该校正数据控制所述多个柱状电极。
[0005]根据上述的构成，能够提供一种能够提高微小图案的检查测量精度的电子束装置及图像获取方法。附图简要说明
[0006]图1是示出本实施方式所涉及的电子束装置的概要构成的框图的一例。图2的(A)是示意性地示出减速电极的俯视图，图2的(B)是示意性地示出减速电极的柱状电极的上端部的局部立体图。图3是用于说明实施方式所涉及的图像获取方法的流程图。图4的(A)是示出基于台面(mesa)结构信息而制作的模板的结构的示意图，图4的(B)是示出使用台面结构信息计算出的电场校正图的图。图5的(A)是示意性地示出实施方式的变形例所涉及的电子束装置的减速电极的俯视图，图5的(B)是沿图5的(A)中的L
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L线的局部剖视图。图6是用于说明使用实施方式的变形例所涉及的电子束装置而得以实施的图像获取方法的流程图。
具体实施方式
[0007]以下，结合附图对本专利技术的非限定性的示例的实施方式进行说明。在全部附图中，对于相同或相应的构件或部件赋予相同或相应的参照标号，省略重复的说明。此外，附图的目的不在于示出构件或部件之间、或者各种层的厚度之间的相对比例，因此，具体的厚度及尺寸应当参照以下的非限定性的实施方式，由本领域技术人员决定。
[0008]图1是示出实施方式所涉及的电子束装置的概要构成的框图的一例。如图1所示，电子束装置1具备电子显微镜2、控制计算机3、结构信息存储装置4以及电场校正图存储装置5。
[0009]电子显微镜2可以是扫描型电子显微镜(SEM)。如图所示，电子显微镜2具有镜筒21、试样室22、电子枪控制部23、透镜控制部24、偏转器控制部25、透镜控制部26、电极控制部27、台控制部28、信号处理部29以及图像生成部30。
[0010]镜筒21上设有：电子枪21G、聚光透镜21L、偏转器21D、物镜21O、检测器21E。另外，试样室22内设有：至少能够在XYZ方向上移动的台22S、配置在台22S上而支承作为检查测量对象的试样S的支承销22P、与被支承销22P支承的试样S隔开间隔地配置在台22S上的减速电极22E、以及对台22S进行驱动的驱动机构22D。
[0011]此外，试样S例如为压印光刻所使用的模板。如图1所示，模板具有台面部M和其周围的基台部B，在将模板按压在抗蚀膜上时，所述台面部M与抗蚀膜接触。台面部M从基台部B隆起，因此，台面部M与基台部B之间在Z方向上产生例如大约10～40μm的阶差。
[0012]控制计算机3与电子显微镜2的电子枪控制部23、透镜控制部24和26、偏转器控制部25、电极控制部27、台控制部28、信号处理部29以及图像生成部30连接。另外，结构信息存储装置4及电场校正图存储装置5与控制计算机3连接。
[0013]进一步地，也可以是存储装置6、显示装置7以及输入装置8与控制计算机3连接。存储装置6可以由硬盘驱动器(HDD)、半导体存储器等实现。存储装置6自控制计算机3输入而存储通过输入装置8输入的电子束条件、被检查测量图案的种类、检查测量区域的坐标位置、用于检查及测量的各种阈值等。另外，存储装置6还能够通过控制计算机3输入而存储由电子显微镜2的图像生成部30生成的图像信号。
[0014]显示装置7例如可以是液晶显示器、有机EL显示器，其能够基于来自控制计算机3的图像信号，显示试样S的表面图像。输入装置8例如可以是键盘、计算机鼠标等，可以进一步包含将控制计算机3连接至互联网或局域网的接口设备。通过输入装置8，电子束条件、被检查测量图案的种类、检查测量区域的坐标位置、用于检查和测量的各种阈值等信息能够被输入至控制计算机3。
[0015]此外，控制计算机3可以作为包含CPU、ROM、RAM等的计算机而实现。此外，控制计算机3也可以通过以专用集成电路(ASIC)、可编程门阵列(PGA)、现场可编程门阵列(FPGA)为代表的硬件来实现。控制计算器3基于控制程序及各种数据综合性地控制电子束装置。具体而言，控制计算机3基于控制程序及各种数据生成各种控制信号，将所生成的控制信号发送给电子显微镜2的电子枪控制部23、透镜控制部24和26、偏转器控制部25、电极控制部27、台控制部28、信号处理部29以及图像生成部30等。程序及各种数据例如可以有线或无线的方式从硬盘驱动器(HDD)、半导体存储器、服务器等非临时性的计算机可读存储介质下载。
[0016]电子枪控制部23与镜筒21内的电子枪21G连接。电子枪控制部23基于来自控制计
算机3的控制信号，控制电子枪21G。具体而言，电子枪控制部23能够使电子枪21G在规定期间释放电子束EB(一次电子束)，以及调整电子束EB的强度。
[0017]透镜控制部24与聚光透镜21L连接。透镜控制部24基于来自控制计算机3的控制信号，控制聚光透镜21L。例如，透镜控制部24能够通过聚光透镜21L使从电子枪21G释放的电子束EB汇聚。
[0018]偏转器控制部25与偏转器21D连接。偏转器控制部25基于来自控制计算机3的控制信号，控制偏转器21D。偏转器控制器25使偏转器21D生成偏转电场或偏转磁场，使电子束EB在X方向及Y方向上偏转。由此，电子束EB对试样S的表面进行扫描。
[0019]透镜控制部26与物镜21O连接。透镜控制部26基于来自控制计算机3的控制信号，控制物镜21O。具体而言，其调整电子束EB的焦点位置，使电子束EB的焦点对准表面。
[0020]电极控制部27与减速电极22E连接。电极控制部27基于来自控制计算机3的控制信号，控制减速电极22E。减速电极22E上施加所谓的减速电压。减速电压是为了使入射到试样S的电子减速而施加于台22S的电压。使电子减本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子束装置，其通过对试样照射电子束，能够获取所述试样的图像，所述电子束装置包括：支承部，其支承所述试样；电极，其配置在被所述支承部支承的所述试样的下方，能够对所述试样施加电压，所述电极包括能够独立地设定电压的多个柱状电极；以及控制部，其能够基于表示所述试样的结构的结构信息，生成用于校正在所述试样产生的电场分布的校正数据，基于所述校正数据控制所述多个柱状电极。2.根据权利要求1所述的电子束装置，其特征在于，所述试样具有平面部以及从所述平面部隆起的隆起部，所述多个柱状电极与所述隆起部对应地设置。3.根据权利要求1或2所述的电子束装置，其特征在于，所述多个柱状电极各自能够相对于所述试样移动。4.根据权利要求1所述的电子束装置，其特征在于，所述结构信息包含所述试样的平面形状和高度的信息。5.根据权利要求1所述的电子束装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川绫司，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：