光电转换元件、成像元件、光传感器及光电转换元件用材料制造技术

本发明专利技术提供一种光电转换元件，其即使在蒸镀制造光电转换元件中的光电转换膜时光电转换膜的成分比发生变动的情况下，也显示稳定的性能。并且，提供一种成像元件、光传感器及光电转换元件用材料。本发明专利技术的光电转换元件依次具有导电性膜(11)、光电转换膜(12)及透明导电性膜(15)，其中，光电转换膜包含式(1)所表示的化合物及n型半导体材料。合物及n型半导体材料。合物及n型半导体材料。合物及n型半导体材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件、成像元件、光传感器及光电转换元件用材料


[0001]本专利技术涉及一种光电转换元件、成像元件、光传感器及光电转换元件用材料。

技术介绍

[0002]近年来，正在进行具有光电转换膜的元件(例如，成像元件)的开发。
[0003]例如，在专利文献1中，公开有具有包含规定的化合物的光电转换层的光电转换元件。
[0004]以往技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2017/159684号

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术课题
[0008]近年来，随着提高成像元件及光传感器等的性能的需求，对于使用于这些的光电转换元件所要求的各种特性，也要求进一步提高。
[0009]例如，根据制造上的要求，要求光电转换元件即使在蒸镀制造光电转换膜时光电转换膜的成分比发生变动的情况下，也能够实现稳定的性能(尤其，暗电流特性)。
[0010]鉴于上述情况，本专利技术的课题在于提供一种光电转换元件，其即使在蒸镀制造光电转换元件中的光电转换膜时光电转换膜的成分比发生变动的情况下，也显示稳定的性能。
[0011]并且，本专利技术的课题还在于提供一种成像元件、光传感器及光电转换元件用材料。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]本专利技术人等对上述课题进行深入研究的结果，发现通过下述结构能够解决上述课题，从而完成了本专利技术。
[0014]〔1〕一种光电转换元件，其依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中，
[0015]上述光电转换膜包含式(1)所表示的化合物及n型半导体材料。
[0016]〔2〕如〔1〕所述的光电转换元件，其中，上述式(1)所表示的化合物为式(2)所表示的化合物。
[0017]〔3〕如〔1〕或〔2〕所述的光电转换元件，其中，上述式(1)所表示的化合物为式(3)所表示的化合物。
[0018]〔4〕如〔3〕所述的光电转换元件，其中，式(3)中，X2、Y
b1
及Y
b2
表示
‑
S
‑
。
[0019]〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一项所述的光电转换元件，其中，上述式中，Ar1及Ar2分别独立地表示可以具有取代基的多环芳香族烃环基或式(R)所表示的基团。
[0020]〔6〕如〔1〕至〔5〕中任一项所述的光电转换元件，其中，上述式(1)所表示的化合物的分子量为400～900。
[0021]〔7〕如〔1〕至〔6〕中任一项所述的光电转换元件，其中，上述光电转换膜具有在混合
上述式(1)所表示的化合物与上述n型半导体材料的状态下形成的本体异质结构。
[0022]〔8〕如〔1〕至〔7〕中任一项所述的光电转换元件，其中，在上述导电性膜与上述透明导电性膜之间，除了上述光电转换膜以外，还具有1种以上的中间层。
[0023]〔9〕如〔1〕至〔8〕中任一项所述的光电转换元件，其中，上述n型半导体材料包含选自包括富勒烯及其衍生物的组中的富勒烯类。
[0024]〔10〕一种成像元件，其具有〔1〕至〔9〕中任一项所述的光电转换元件。
[0025]〔11〕一种光传感器，其具有〔1〕至〔9〕中任一项所述的光电转换元件。
[0026]〔12〕一种光电转换元件用材料，其包含式(1)所表示的化合物。
[0027]专利技术效果
[0028]根据本专利技术，能够提供一种光电转换元件，其即使在蒸镀制造光电转换元件中的光电转换膜时光电转换膜的成分比发生变动的情况下，也显示稳定的性能。
[0029]并且，根据本专利技术，能够提供一种成像元件、光传感器及光电转换元件用材料。
附图说明
[0030]图1是表示光电转换元件的一结构例的剖面示意图。
[0031]图2是表示光电转换元件的一结构例的剖面示意图。
[0032]图3是成像元件的一实施方式的剖面示意图。
具体实施方式
[0033]以下，对本专利技术的光电转换元件的优选实施方式进行说明。
[0034]并且，在本说明书中，除非另有说明，则“取代基”可以举出以后述取代基W为例示的基团。
[0035](取代基W)
[0036]对本说明书中的取代基W进行记载。
[0037]关于取代基W，例如可以举出卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等)、烷基(包括环烷基、双环烷基及三环烷基)、烯基(包括环烯基及双环烯基)、炔基、芳基、杂芳基(也可以称为杂环基。)、氰基、羟基、羧基、硝基、烷氧基、芳氧基、硅氧基、杂环氧基、酰氧基、氨基甲酰氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、氨基(包括苯胺基。)、铵基、酰氨基、氨基羰基氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、氨磺酰基氨基、烷基或芳基磺酰基氨基、巯基、烷硫基、芳硫基、杂环硫基、氨磺酰基、烷基或芳基亚磺酰基、烷基或芳基磺酰基、酰基、芳基氧羰基、烷氧羰基、氨甲酰基、芳基或杂环偶氮基、酰亚胺基、膦基、氧膦基、氧膦基氧基、氧膦基氨基、膦酰基、甲硅烷基、肼基、脲基及硼酸基(
‑
B(OH)2)。并且，在可能的情况下，上述各基团还可以具有取代基(例如，上述各基团中的1个以上的基团)。例如，还包含可以具有取代基的烷基作为取代基W的一方式。
[0038]并且，在取代基W具有碳原子的情况下，取代基W所具有的碳原子数例如为1～20。
[0039]除了取代基W所具有的氢原子以外的原子的数例如为1～30。
[0040]并且，在本说明书中，除非另有说明，则烷基的碳原子数优选为1～20，更优选为1～10，进一步优选为1～6。
[0041]烷基可以为直链状、支链状及环状中的任一种。
[0042]关于烷基，例如可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、正己基及环戊基等。
[0043]并且，烷基例如可以为环烷基、双环烷基及三环烷基，可以具有这些环状结构作为部分结构。
[0044]在可以具有取代基的烷基中，烷基可以具有的取代基并无特别限制，例如可以举出取代基W，优选为芳基(优选为碳原子数6～18，更优选为碳原子数6)、杂芳基(优选为碳原子数5～18，更优选为碳原子数5～6)或卤素原子(优选为氟原子或氯原子)。
[0045]并且，在本说明书中，除非另有说明，则烷氧基中的烷基部分优选为上述烷基。烷硫基中的烷基部分优选为上述烷基。
[0046]在可以具有取代基的烷氧基中，烷氧基可以具有的取代基可以举出与可以具有取代基的烷基中的取代基相同的例。在可以具有取代基的烷硫基中，烷硫基可以具有的取代基可以举出与可以具有取代基的烷基中的取代基相同的例。
[0047]并且，在本说明书中，除非另有说明，则芳基优选环员数为6～18的芳基。
[0048]芳基可以为单环，也可以为多环。
[0049]芳基例如优选为苯基、萘基、蒽基或菲基。
[0050]在可以具有取代基的芳基中，芳基可以具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电转换元件，其依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中，所述光电转换膜包含式(1)所表示的化合物及n型半导体材料，[化学式1]式(1)中，X1表示
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
Se
‑
、
‑
Te
‑
或
‑
NR
a1
‑
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a1
及Z
a1
中的一者表示
‑
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a2
＝或
‑
N＝而另一者表示
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
Se
‑
、
‑
Te
‑
或
‑
NR
a3
‑
，Y
a2
及Z
a2
中的一者表示
‑
CR
a2
＝或
‑
N＝而另一者表示
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
Se
‑
、
‑
Te
‑
或
‑
NR
a3
‑
，Q1～Q4分别独立地表示
‑
CR
a4
＝或
‑
N＝，R
a1
～R
a4
分别独立地表示氢原子、卤素原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的烷硫基、可以具有取代基的甲硅烷基、可以具有取代基的烯基、可以具有取代基的炔基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，Ar1及Ar2分别独立地表示可以具有取代基的芳香环基。2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述式(1)所表示的化合物为式(2)所表示的化合物，[化学式2]式(2)中，X1表示
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
Se
‑
、
‑
Te
‑
或
‑
NR
a1
‑
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a1
及Z
a1
中的一者表示
‑
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a2
＝或
‑
N＝而另一者表示
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
Se
‑
、
‑
Te
‑
或
‑
NR
a3
‑
，Y
a2
及Z
a2
中的一者表示
‑
CR
a2
＝或
‑
N＝而另一者表示
‑
O
‑
、
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S
‑
、
‑
Se
‑
、
‑
Te
‑
或
‑
NR
a3
‑
，R
a1
～R
a3
及R1～R4分别独立地表示氢原子、卤素原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的烷硫基、可以具有取代基的甲硅烷基、可以具有取代基的烯基、可以具有取代基的炔基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，Ar1及Ar2分别独立地表示可以具有取代基的芳香环基。3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，所述式(1)所表示的化合物为式(3)所表示的化合物，[化学式3]
式(...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉冈知昭，岩崎孝一，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：