一种对集成电路增加抗辐射涂层的夹具制造技术

本实用新型专利技术公开了一种对集成电路增加抗辐射涂层的夹具，属于集成电路用夹具技术领域。该夹具包括由下至上依次装配的底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具，所述底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具均为矩形板状结构，其上均开设若干个用于放置待涂覆集成电路陶瓷外壳的矩形通孔；所述底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具的四角均开设装配孔，待涂覆集成电路陶瓷外壳放置到矩形通孔之内后，通过螺栓和螺母预紧，对陶瓷外壳进行固定和限位。本实用新型专利技术可根据待增加涂层的集成电路外形尺寸定制夹具，具有较高的通用性，无须复杂的陶瓷外壳生产线，且同时可以对多个集成电路增加涂层，一致性较高，有利于大规模批量生产，适应多种应用场合。种应用场合。种应用场合。

【技术实现步骤摘要】
一种对集成电路增加抗辐射涂层的夹具


[0001]本技术涉及集成电路用夹具
；具体涉及一种对集成电路增加抗辐射涂层的夹具。

技术介绍

[0002]空间辐射会引发总剂量效应，导致阈值电压和传输延时漂移、静态电流增加、晶体管放大系数衰减等一系列损伤，当损伤超过一定限度时，会造成器件失效。屏蔽能显著改善总剂量效应，通过减缓一次粒子的能量、产生并吸收次级辐射,从而使得被屏蔽的元器件不受、或少受辐射损伤。
[0003]传统的屏蔽方式，采用重金属做屏蔽层的金属封装、金属
‑
陶瓷封装等封装级的屏蔽方法，相比于设计加固和工艺加固，在成本和周期上有很大优势，但也存在弊端。例如，为了保护芯片不受辐射影响，增加了大面积的金属层，使得器件重量翻倍；屏蔽材料与原有陶瓷气密封装之间的结合是一个大问题，后期涂覆的材料与外壳基体之间存在较大的热应力；完全采用金属屏蔽材料作为电路的外壳，其引脚数量受到很大限制；同时，复杂铸造和加工工艺精密复杂不易实现。

技术实现思路

[0004]为了克服现有屏蔽方式存在的上述不足之处，本技术提供一种在集成电路陶瓷外壳增加涂层的夹具，通过在已有的集成电路产品的陶瓷外壳上直接增加涂层的方式，来起到高效率抗辐射的目的。
[0005]为实现上述目的，本技术所采用的技术方案如下：
[0006]一种在集成电路陶瓷外壳增加涂层的夹具，包括由下至上依次装配的底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具，其中：所述底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具均为矩形板状结构，其上均开设若干个用于放置相应数量的待涂覆集成电路陶瓷外壳的矩形通孔；所述底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具的四角均开设装配孔，待涂覆集成电路陶瓷外壳放置到矩形通孔之内后，通过螺栓和螺母预紧，对陶瓷外壳进行固定和限位。
[0007]所述底面喷涂夹具还包括导气通道和引脚槽，底面喷涂夹具上的矩形通孔即为背面喷涂窗口；所述背面喷涂窗口的两相对侧开设引脚槽(引脚槽与背面喷涂窗口不连通)，用于放置陶瓷外壳的引脚；在背面喷涂窗口的没有引脚的两相对侧开设导气通道，导气通道与背面喷涂窗口相连通。
[0008]所述底面喷涂夹具的厚度大于引脚高度2mm
‑
4mm；所述背面喷涂窗口的宽度比陶瓷外壳宽度小1
‑
3mm(优选的是小1.5mm)，所述背面喷涂窗口的长度等于陶瓷外壳长度；所述引脚槽不是通孔，引脚槽的深度比引脚长度高出1mm
‑
2mm。
[0009]所述导气通道和背面喷涂窗口均是贯穿底面喷涂夹具上下表面的通孔，所述装配孔用于插入螺栓，将底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具紧固在一起。
[0010]所述限位板上还设有导气通道，限位板上的矩形通孔即为外壳限位窗口，限位板
上的导气通道与外壳限位窗口相连通。
[0011]所述限位板的厚度等于陶瓷外壳高度，所述外壳限位窗口的宽度等于陶瓷外壳宽度，外壳限位窗口长度等于陶瓷基体长度，用于精确限位外壳，使其与限位板相对固定。
[0012]所述正面喷涂夹具还包括导气通道，正面喷涂夹具上的矩形通孔即为正面喷涂窗口。
[0013]所述正面喷涂夹具的厚度为1
‑
3mm，优选的是1.5mm；正面喷涂夹具上的导气通道与正面喷涂窗口相连通。正面喷涂窗口，是贯穿上下表面的通孔，所述正面喷涂窗口的宽度比外壳宽度小1
‑
3mm，优选的是小1.5mm，长度等于外壳长度。
[0014]所述集成电路陶瓷外壳增加涂层的夹具的材质为铝、铝合金或钢。
[0015]利用所述夹具在集成电路陶瓷外壳增加涂层的方法，包括装配、正面喷涂和底面喷涂工序，具体包括如下步骤：
[0016](1)装配：将陶瓷外壳放置到底面喷涂夹具的背面喷涂窗口中，引脚置于引脚槽中；然后将底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具通过螺栓和螺母预紧后，夹紧陶瓷外壳并进行限位，完成装配；
[0017](2)正面喷涂：正面喷涂夹具朝上时，可对外壳正面进行涂层涂覆，涂覆工艺为冷喷涂、原子沉积或射频磁控溅射等；
[0018](3)底面喷涂：底面喷涂夹具朝上时，可对外壳底面进行涂层涂覆，涂覆工艺为冷喷涂、原子沉积或射频磁控溅射等；
[0019]进行正面喷涂和底面喷涂时，涂层材料根据具体的辐射环境进行选择，可以是金属单质，包括钽、铝、铅、钨等，也可以是氧化物、氮化物，包括氧化铝、氧化铈、氮化铝等，也可以是上述多种物质的混合物。对于伽马射线，优选的是钽金属单质。对于电子，优选的铝、钽混合物。
[0020]本技术的优点及有益效果如下：
[0021]1、本技术提供一种对集成电路增加抗辐射涂层的夹具，对集成电路陶瓷外壳的上表面和下表面增加涂层，本技术夹具使涂层沉积到集成电路的上下表面，同时对不需涂覆的其它表面做遮挡，避免涂层材料导致集成电路原有的金属化区域或引出端之间发生短路。
[0022]2、通过本技术在集成电路陶瓷外壳上增加涂层，可以有针对性的提高电路抗伽玛射线辐射总剂量、抗电子辐射总剂量、抗盐雾、抗腐蚀、抗冲击性能。
[0023]3、本技术可根据待增加涂层的集成电路外形尺寸定制专用的夹具，具有较高的通用性，无须复杂的陶瓷外壳生产线，就可以在原有陶瓷外壳基础上进一步制备出一体化封装在结构，具有较高的可靠性和热应力稳定性。且同时可以对多个集成电路增加涂层，一致性较高，有利于大规模批量生产，适应多种应用场合。
附图说明
[0024]图1为集成电路陶瓷外壳立体结构示意图。
[0025]图2为陶瓷外壳俯视图。
[0026]图3为陶瓷外壳主视图。
[0027]图4为本技术底面喷涂夹具俯视图。
[0028]图5为本技术底面喷涂夹具主视图。
[0029]图6为本技术底面喷涂夹具3D立体图。
[0030]图7为本技术限位板俯视图。
[0031]图8为本技术限位板主视图。
[0032]图9为本技术限位板3D立体图。
[0033]图10为本技术正面喷涂夹具俯视图。
[0034]图11为本技术正面喷涂夹具主视图。
[0035]图12为本技术正面喷涂夹具3D立体图。
[0036]图13为外壳与底面喷涂夹具装配关系。
[0037]图14为外壳与限位板装配关系。
[0038]图15为外壳与正面喷涂夹具装配关系。
[0039]图16为外壳与正面喷涂夹具、限位板、背面喷涂夹具装配关系。
[0040]图中：1
‑
背面喷涂窗口；2
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导气通道；3
‑
引脚槽；4
‑
装配孔；5
‑
外壳限位窗口； 6
‑
正面喷涂窗口。
具体实施方式
[0041]为了进一步理解本技术，以下结合实例对本技术进行描述，但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对集成电路增加抗辐射涂层的夹具，其特征在于：该夹具包括由下至上依次装配的底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具，其中：所述底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具均为矩形板状结构，其上均开设若干个用于放置相应数量的待涂覆集成电路陶瓷外壳的矩形通孔；所述底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具的四角均开设装配孔，待涂覆集成电路陶瓷外壳放置到矩形通孔之内后，通过螺栓和螺母预紧，对陶瓷外壳进行固定和限位。2.根据权利要求1所述的对集成电路增加抗辐射涂层的夹具，其特征在于：所述底面喷涂夹具还包括导气通道和引脚槽，底面喷涂夹具上的矩形通孔即为背面喷涂窗口；所述背面喷涂窗口的两相对侧开设引脚槽，用于放置陶瓷外壳的引脚；在背面喷涂窗口的没有引脚的两相对侧开设导气通道，导气通道与背面喷涂窗口相连通。3.根据权利要求2所述的对集成电路增加抗辐射涂层的夹具，其特征在于：所述底面喷涂夹具的厚度大于引脚高度2mm
‑
4mm；所述背面喷涂窗口的宽度比陶瓷外壳宽度小1
‑
3mm，所述背面喷涂窗口的长度等于陶瓷外壳长度；所述引脚槽不是通孔，引脚槽的深度比引脚长度高出1mm
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2mm。4.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洪涛，赵鹤然，李靖旸，康敏，孔明，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十七研究所，
类型：新型
国别省市：