ITO薄膜粗糙度调试方法和ITO薄膜粗糙度调试系统技术方案

本申请涉及一种ITO薄膜粗糙度调试方法和ITO薄膜粗糙度调试系统。所述方法包括：获取待设定粗糙度；基于关联模型获取待设定粗糙度对应的制备工艺参数；关联模型用于表征ITO薄膜的粗糙度与制备工艺参数的对应关系；将制备工艺参数配置入制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有待设定粗糙度的ITO薄膜，从而将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有待设定粗糙度的ITO薄膜，实现改变ITO薄膜表面粗糙度，有利于提高后续制程中有机材料在ITO薄膜表面的附着性，更加有利于后续制程的制备，最终提高显示面板的信赖性及产品品质良率。示面板的信赖性及产品品质良率。示面板的信赖性及产品品质良率。

【技术实现步骤摘要】
ITO薄膜粗糙度调试方法和ITO薄膜粗糙度调试系统


[0001]本申请涉及面板
，特别是涉及一种ITO薄膜粗糙度调试方法和ITO薄膜粗糙度调试系统。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展，对显示面板的质量与品质也要求越来越高。在显示面板的制造过程中，ITO(Indium Thin Oxide，氧化铟锡)薄膜性能与质量影响着显示面板的质量，ITO薄膜的透过率和导电率是表征其性能的主要参数，因此调试透过率和导电率是提升ITO薄膜的性能与质量的重要手段。但是，在实现过程中，专利技术人发现传统技术中至少存在如下问题：传统ITO薄膜的性能不能满足提升显示面板质量的需求。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够调节ITO薄膜粗糙度的ITO薄膜粗糙度调试方法和ITO薄膜粗糙度调试系统。
[0004]一方面，本申请实施例提供一种ITO薄膜粗糙度调试方法，包括以下步骤：
[0005]获取待设定粗糙度；
[0006]基于关联模型获取待设定粗糙度对应的制备工艺参数；关联模型用于表征ITO薄膜的粗糙度与制备工艺参数的对应关系；
[0007]将制备工艺参数配置入制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有待设定粗糙度的ITO薄膜。
[0008]可选的，制备工艺参数至少包括氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数；
[0009]关联模型用于表征ITO薄膜的粗糙度与氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数的对应关系。
[0010]可选的，制造设备至少包括制氧设备和热处理设备；
[0011]将制备工艺参数配置入制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有待设定粗糙度的ITO薄膜的步骤中，包括步骤：
[0012]将氧气流量参数配置入制氧设备，以使制氧设备按氧气流量参数对应的流量向ITO材料释放氧气；
[0013]将工艺温度参数和退火时间参数配置入控制热处理设备，以使热处理设备根据工艺温度参数和退火时间参数对ITO材料进行热处理；
[0014]将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有待设定粗糙度的ITO薄膜。
[0015]可选的，氧气流量参数的范围为30sccm至80sccm。
[0016]可选的，工艺温度参数的范围为25摄氏度至120摄氏度。
[0017]可选的，退火时间参数的范围为15分钟至60分钟。
[0018]可选的，待设定粗糙度的范围为0.6纳米至1.3纳米。
[0019]可选的，基于以下步骤生成关联模型：
[0020]设定N组不同的制备工艺模拟参数；
[0021]分别在各制备工艺模拟参数形成的制备条件下制备ITO薄膜样品；
[0022]测定各ITO薄膜样品的粗糙度；
[0023]建立各粗糙度与各制备工艺模拟参数之间的一一对应关系，以生成关联模型。
[0024]另一方面，本申请实施例还提供一种ITO薄膜粗糙度调试系统包括控制设备以及制造设备；控制设备连接制造设备；
[0025]控制设备用于实现上述ITO薄膜粗糙度调试方法；
[0026]制造设备用于根据制备工艺参数形成与制备工艺参数对应的制备条件。
[0027]可选的，制造设备至少包括制氧设备和热处理设备；
[0028]控制设备分别连接制氧设备和热处理设备；
[0029]其中，制氧设备用于根据氧气流量参数按氧气流量参数对应的流量向ITO材料释放氧气；
[0030]热处理设备用于根据工艺温度参数和退火时间参数对ITO材料进行热处理。
[0031]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
[0032]本申请ITO薄膜粗糙度调试方法通过获取需要制备ITO薄膜的待设定粗糙度，从关联模型查找待设定粗糙度对应的制备工艺参数，利用制备工艺参数配控制制造设备，以使制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，从而将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有待设定粗糙度的ITO薄膜，实现改变ITO薄膜表面粗糙度，有利于提高后续制程中有机材料在ITO薄膜表面的附着性，更加有利于后续制程的制备，最终提高显示面板的信赖性及产品品质良率。
附图说明
[0033]图1为本申请实施例中ITO薄膜粗糙度调试方法的第一流程示意图。
[0034]图2为本申请实施例中生成关联模型步骤的流程示意图。
[0035]图3为本申请实施例中ITO薄膜粗糙度调试方法的第二流程示意图。
[0036]图4为本申请实施例中ITO薄膜粗糙度调试系统的结构框图。
具体实施方式
[0037]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0038]在显示面板的生产制造过程中，会涉及到在玻璃基板等器件上形成ITO薄膜，然后在ITO薄膜上形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)结构、有机光阻层等结构。ITO薄膜的透过率和导电率影响着显示面板的品质，但是目前传统技术中仅仅对ITO薄膜的透过率和导电率进行调试，而忽略了ITO薄膜的粗糙度对显示面板的品质提升作用，为此，如图1所示，提供了一种ITO薄膜粗糙度调试方法，包括以下步骤：
[0039]步骤S110，获取待设定粗糙度。
[0040]粗糙度是指加工表面具有的较小间距和微小峰谷的不平度。其两波峰或两波谷之间的距离一般在1毫米以下，它属于微观几何形状误差，表面粗糙度越小，则表面越光滑。待
设定粗糙度是指制备的ITO薄膜的期望粗糙度，待设定粗糙度可根据不同显示面板的类型、不同制备制程工艺等条件进行选择，以更好地根据实际情况选择合适的粗糙度。在一个示例中，待设定粗糙度的范围为0.6纳米至1.3纳米，例如，粗糙度可以选择为0.7纳米、0.8纳米、09纳米、1.0纳米、1.1纳米或1.2纳米，具体的可以根据实际情况需要而设定，对此不作具体限定。
[0041]相关操作人员向实现本申请ITO薄膜粗糙度调试方法的控制设备输入待设定粗糙度后，控制设备获取待设定粗糙度。在一个示例中，相关操作人员可以利用移动终端向控制设备(移动终端与控制设备无线连接)发送待设定粗糙度。
[0042]步骤S120，基于关联模型获取待设定粗糙度对应的制备工艺参数。
[0043]需要说明的是。制备工艺参数用于使得ITO材料按对应的粗糙度成型的参数。示例性的，制备工艺参数至少包括氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数。氧气流量参数用于表征在ITO材料成型过程中氧气流量的大小，示例性的，氧气流量参数的范围为30sccm(标准毫升/分钟)至80sccm，例如，氧气流量参数为40sccm、50sccm、60sccm或70sccm，具体的可以根据实际情况需要而设定，对此不作具体限定。工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ITO薄膜粗糙度调试方法，其特征在于，包括以下步骤：获取待设定粗糙度；基于关联模型获取所述待设定粗糙度对应的制备工艺参数；所述关联模型用于表征ITO薄膜的粗糙度与所述制备工艺参数的对应关系；将所述制备工艺参数配置入制造设备形成与所述制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有所述待设定粗糙度的ITO薄膜。2.根据权利要求1所述的ITO薄膜粗糙度调试方法，其特征在于，所述制备工艺参数至少包括氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数；所述关联模型用于表征所述ITO薄膜的粗糙度与所述氧气流量参数、所述工艺温度参数和所述退火时间参数的对应关系。3.根据权利要求2所述的ITO薄膜粗糙度调试方法，其特征在于，所述制造设备至少包括制氧设备和热处理设备；将所述制备工艺参数配置入制造设备形成与所述制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有所述待设定粗糙度的ITO薄膜的步骤中，包括步骤：将所述氧气流量参数配置入制氧设备，以使所述制氧设备按所述氧气流量参数对应的流量向所述ITO材料释放氧气；将所述工艺温度参数和所述退火时间参数配置入控制热处理设备，以使所述热处理设备根据所述工艺温度参数和所述退火时间参数对所述ITO材料进行热处理；将涂覆在所述基板表面的所述ITO材料制备成具有所述待设定粗糙度的所述ITO薄膜。4.根据权利要求2或3所述的ITO薄膜粗糙度调试方法，其特征在于，所述氧气流量参数的范围为30sccm至...

【专利技术属性】
技术研发人员：石旭，张明生，吴祥一，陈双，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：