一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构。集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构包括：晶圆衬底；滤波器结构，位于晶圆衬底的一侧，滤波器结构包括电极和叉指换能结构；封装绝缘层，位于滤波器结构远离晶圆衬底的一侧；封装绝缘层覆盖滤波器结构且完全或者不完全暴露电极，并与晶圆衬底围成封闭的容纳腔；叉指换能结构位于容纳腔内；金属无源器件层，位于封装绝缘层内且与电极电接触；金属无源器件层包括多个连接端子，封装绝缘层完全或者不完全暴露连接端子，据此，在滤波器晶圆级封装过程中实现了无源器件与滤波器晶圆级的集成，从而实现了滤波器芯片的集成化和微型化以及集成工艺流程的简单化和低成本化。成本化。成本化。

【技术实现步骤摘要】
一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构


[0001]本技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构。

技术介绍

[0002]随着通信技术的快速发展，人们对小型化、高性能滤波器的需求越来越高。
[0003]现有技术中，将滤波器与无源器件(电感、电容等)固定在封装基底上，通过键合线/金属层走线实现电学连接，此种方式芯片集成度低，整体模块封装尺寸大，无法满足芯片小型化需求。或者，将无源器件额外封装成独立器件后再与滤波器相连，但这会导致加工成本高且封装工艺繁琐。或者，是将无源被动器件集成于玻璃衬底上，并通过键合工艺与晶圆级键合，然而各层间热膨胀系数不匹配，同时工艺流程复杂。再或者是将无源器件集成到封装盖板后，对封装盖板及晶圆级分别进行加工，并通过铜柱进行绑定键合，工艺流程仍然繁琐复杂。另外其它将滤波器与无源器件集成的方式不适用于声表面滤波器(SAW)。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，以在滤波器晶圆级封装过程中实现无源器件与滤波器晶圆级的集成，从而实现滤波器芯片的集成化和微型化以及集成工艺流程的简单化和低成本化。
[0005]本技术实施例提供了一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构包括：晶圆衬底；滤波器结构，位于所述晶圆衬底的一侧，所述滤波器结构包括电极和叉指换能结构；封装绝缘层，位于所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧；所述封装绝缘层覆盖所述滤波器结构且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述晶圆衬底围成封闭的容纳腔；所述叉指换能结构位于所述容纳腔内；金属无源器件层，位于所述封装绝缘层内且与所述电极电接触；所述金属无源器件层包括多个连接端子，所述封装绝缘层完全或者不完全暴露所述连接端子。
[0006]可选的，所述封装绝缘层包括：第一封装绝缘层，位于所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧；所述第一封装绝缘层覆盖所述滤波器结构且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述叉指换能结构不接触；
[0007]第二封装绝缘层，位于所述第一封装绝缘层远离所述晶圆衬底的一侧；所述第二封装绝缘层覆盖所述第一封装绝缘层且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述晶圆衬底围成所述容纳腔，所述容纳腔与所述叉指换能结构不接触；
[0008]第三封装绝缘层；所述金属无源器件层位于所述第三封装绝缘层与所述第二封装绝缘层之间，所述第三封装绝缘层完全或者不完全暴露所述连接端子。
[0009]可选的，所述金属无源器件层包括多个无源器件图形；所述无源器件图形与所述连接端子一体成型。
[0010]可选的，所述无源器件图形包括螺旋形电感图形；所述螺旋形电感图形的螺旋方
向位于所述金属无源器件层所在的平面内。
[0011]可选的，所述螺旋形电感图形的厚度的数量级为微米级别；所述螺旋形电感图形的线宽和线间距的数量级均为微米级别。
[0012]可选的，所述第一封装绝缘层的厚度为5μm至50μm；所述第二封装绝缘层的厚度为5μm至100μm；所述第三封装绝缘层的厚度为5μm至50μm。
[0013]可选的，还包括：金属再布线层；所述金属再布线层位于所述封装绝缘层远离所述晶圆衬底的一侧且覆盖所述封装绝缘层；所述金属再布线层包括多个焊盘；所述焊盘与所述连接端子电接触且与所述连接端子一一对应。
[0014]可选的，还包括：阻焊层和焊球；所述阻焊层位于金属再布线层远离所述封装绝缘层的一侧且覆盖所述金属再布线层；所述阻焊层完全或者不完全暴露所述焊盘；所述焊球位于所述焊盘远离所述阻焊层的一侧，所述焊球与所述焊盘电接触且与所述焊盘一一对应。
[0015]本技术实施例提供的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，包括晶圆衬底和滤波器结构；滤波器结构位于晶圆衬底的一侧且包括电极和叉指换能结构。通过设置封装绝缘层和金属无源器件层；其中封装绝缘层位于滤波器结构远离晶圆衬底的一侧；封装绝缘层覆盖滤波器结构且完全或者不完全暴露电极，并与晶圆衬底围成封闭的容纳腔；叉指换能结构位于容纳腔内；金属无源器件层位于封装绝缘层内且与电极电接触；金属无源器件层包括多个连接端子，封装绝缘层完全或者不完全暴露连接端子，以此使得在滤波器晶圆级封装过程中实现了无源器件与滤波器晶圆级的集成，从而实现了滤波器芯片的集成化和微型化以及集成工艺流程的简单化和低成本化。
附图说明
[0016]图1是本技术实施例提供的一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构的结构示意图；
[0017]图2是本技术实施例提供的另一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构的结构示意图；
[0018]图3是本技术实施例提供的一种螺旋形电感图形的俯视结构示意图；
[0019]图4是本技术实施例提供的另一种螺旋形电感图形的俯视结构示意图；
[0020]图5是本技术实施例提供的另一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构的结构示意图；
[0021]图6是本技术实施例提供的另一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构的结构示意图；
[0022]图7是本技术实施例提供的一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装方法的流程图；
[0023]图8是本技术实施例提供的一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装方法的流程图；
[0024]图9是本技术实施例提供的一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装方法实施过程中所涉及的结构图；
[0025]图10是本技术实施例提供的另一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装方法
实施过程中所涉及的结构图；
[0026]图11是本技术实施例提供的另一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装方法实施过程中所涉及的结构图。
具体实施方式
[0027]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0028]图1是本技术实施例提供的一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结
[0029]构的结构示意图。参考图1，集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构包括：晶圆衬底10；滤波器结构20，位于晶圆衬底10的一侧，滤波器结构20包括电极21和叉指换能结构22；封装绝缘层30，位于滤波器结构20远离晶圆衬底10的一侧；封装绝缘层30覆盖滤波器结构20且完全或者不完全暴露电极21，并与晶圆衬底10围成封闭的容纳腔31；叉指换能结构22位于容纳腔31内；金属无源器件层40，位于封装绝缘层30内且与电极21电接触；金属无源器件层40包括多个连接端子41，封装绝缘层30完全或者不完全暴露连接端子41。
[0030]具体的，滤波器结构20可以是声表面滤波器结构SAW，叉指换能结构22即声表面滤波器结构的叉指换能器。晶圆衬底10和滤波器结构20构成滤波器晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括：晶圆衬底；滤波器结构，位于所述晶圆衬底的一侧，所述滤波器结构包括电极和叉指换能结构；封装绝缘层，位于所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧；所述封装绝缘层覆盖所述滤波器结构且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述晶圆衬底围成封闭的容纳腔；所述叉指换能结构位于所述容纳腔内；金属无源器件层，位于所述封装绝缘层内且与所述电极电接触；所述金属无源器件层包括多个连接端子，所述封装绝缘层完全或者不完全暴露所述连接端子。2.根据权利要求1所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述封装绝缘层包括：第一封装绝缘层，位于所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧；所述第一封装绝缘层覆盖所述滤波器结构且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述叉指换能结构不接触；第二封装绝缘层，位于所述第一封装绝缘层远离所述晶圆衬底的一侧；所述第二封装绝缘层覆盖所述第一封装绝缘层且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述晶圆衬底围成所述容纳腔，所述容纳腔与所述叉指换能结构不接触；第三封装绝缘层；所述金属无源器件层位于所述第三封装绝缘层与所述第二封装绝缘层之间，所述第三封装绝缘层完全或者不完全暴露所述连接端子。3.根据权利要求1所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述金属无源器件层包括多个无源器件图形；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈崧，杨佩佩，朱其壮，金科，吕军，
申请(专利权)人：苏州科阳半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：