半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术公开一种半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备，上电极组件设置于所述半导体工艺设备的工艺腔室上，所述上电极组件包括外壳，工艺腔室的介质窗位于所述外壳的底部，所述上电极组件还包括均流件；所述均流件设置于所述外壳的内腔中，所述均流件位于所述介质窗的上方，所述均流件中开设有进气腔，所述进气腔与控温气体的供气源相连通，所述进气腔用于通入所述控温气体，所述均流件开设有与所述进气腔相连通的多个第一通孔，所述第一通孔与所述介质窗相对设置，所述进气腔与所述内腔通过多个所述第一通孔相连通。上述方案能够解决介质窗的温度均匀性较差的问题。解决介质窗的温度均匀性较差的问题。解决介质窗的温度均匀性较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]随着科技的快速发展，智能手机、平板电脑等电子产品已经成为现代人生活中不可或缺的产品。这些电子产品内部包括有许多半导体芯片，而半导体芯片的主要制造材料就是晶圆。晶圆需要刻蚀出线路图案，通常采用半导体工艺设备对晶圆进行刻蚀。
[0003]半导体工艺设备包括工艺腔室和上电极组件，工艺腔室包括腔室本体和介质窗，介质窗设置于腔室本体的顶部。在工艺腔室工作过程中，等离子体会轰击介质窗，因此造成介质窗的温度升高，而介质窗的温度升高容易对晶圆的刻蚀造成不良影响，因此在工艺过程中，需要对介质窗的温度进行控制。
[0004]相关技术中，介质窗位于上电极组件的外壳的底部，上电极组件的外壳的侧壁上开设有进气孔，冷却气体通过外壳侧壁上的进气孔进入到外壳内，然后吹到介质窗的表面，从而对介质窗进行冷却。
[0005]然而，进气孔设置于外壳体侧壁上，因此进气孔位于介质窗的一侧，此时，介质窗靠近进气孔的一侧的温度降低速率快，远离进气孔的一侧的温度降低速率较慢，因此造成介质窗的温度均匀性较差。

技术实现思路

[0006]本专利技术公开一种半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备，以解决介质窗的温度均匀性较差的问题。
[0007]为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：
[0008]一种半导体工艺设备的上电极组件，设置于所述半导体工艺设备的工艺腔室上，所述上电极组件包括外壳，所述工艺腔室的介质窗位于所述外壳的底部，所述上电极组件还包括均流件；
[0009]所述均流件设置于所述外壳的内腔中，所述均流件位于所述介质窗的上方，所述均流件中开设有进气腔，所述进气腔与控温气体的供气源相连通，所述进气腔用于通入所述控温气体，所述均流件开设有与所述进气腔相连通的多个第一通孔，所述第一通孔与所述介质窗相对设置，所述进气腔与所述内腔通过多个所述第一通孔相连通。
[0010]一种半导体工艺设备，包括上述的上电极组件。
[0011]本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0012]本专利技术公开的上电极组件中，均流件设置于外壳的内腔中，均流件中设置有进气腔，进气腔与控温气体的供气源相连通，均流件开设有与进气腔连通的多个第一通孔，多个第一通孔与介质窗相对设置，进气腔与外壳的内腔通过多个第一通孔相连通。此时，控温气体通入进气腔中，然后经过第一通孔进入到内腔中，控温气体流动至介质窗的上方，从而对
介质窗的温度进行调节。此方案中，由于第一通孔与介质窗相对，因此第一通孔位于介质窗的正上方的位置，第一通孔与介质窗各分度圆之间的距离相差不大，因此控温气体能够从介质窗的正上方均匀的吹至介质窗的表面，从而使得介质窗各区域的温差较小，进而提高介质窗的温度均匀性。
附图说明
[0013]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0014]图1为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；
[0015]图2为本专利技术实施例公开的上电极组件中均流件的结构示意图；
[0016]图3为本专利技术实施例公开的上电极组件中均流件的仰视图；
[0017]图4为本专利技术实施例公开的上电极组件中均流件的剖视图；
[0018]图5为图4的局部放大图；
[0019]图6为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备的部分部件的结构示意图；
[0020]图7为图6的剖视图；
[0021]图8和图9为本专利技术实施例公开的上电极组件中进气件的结构示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]100
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上电极组件、110
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外壳、111
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出气孔、120
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均流件、120a
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进气腔、120b
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第一通孔、120c
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第二通孔、121
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第一板体、122
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第二板体、130
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进气件、131
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固定件、1311
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第三通孔、132
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进气管、140
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射频线圈、150
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第一密封圈、
[0024]200
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介质窗、
[0025]300
‑
腔室本体。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。
[0028]如图1～图9所示，本专利技术实施例公开一种上电极组件，该上电极组件100设置于半导体工艺设备的工艺腔室上，上电极组件包括外壳110，工艺腔室的介质窗200位于外壳110的底部。所公开的上电极组件还包括均流件120。
[0029]均流件120设置于外壳110的内腔中，均流件120位于介质窗200的上方。均流件120中开设有进气腔120a，进气腔120a与控温气体的供气源相连通。进气腔120a用于通入控温气体。控温气体可以为温度较高的加热气体，也可以为温度较低的冷却气体，控温气体的具体类型可以根据介质窗200的控温需求选择。均流件120开设有与进气腔120a相连通的多个第一通孔120b，第一通孔120b与介质窗200相对设置，进气腔120a与内腔通过多个第一通孔120b相连通。
[0030]此时，由于均流件120位于介质窗200的上方，且均流件120上开设的多个第一通孔
120b与介质窗200相对，因此均流件120至少部分位于介质窗200的正上方，也就是均流件120中开设有第一通孔120b的区域位于介质窗200的正上方，也就是，多个第一通孔120b位于均流件120的正上方。
[0031]介质窗200具体的控温过程中，当介质窗200温度发生变化时，例如，介质窗200温度升高时，需要通入冷却气体对其进行冷却，此时，控温气体可以为冷却气体，控温气体通入进气腔120a中，然后经过多个第一通孔120b进入到内腔中，控温气体流动至介质窗200的上方，从而对介质窗200的进行冷却，以调节介质窗200的温度。
[0032]本申请公开的实施例中，由于第一通孔120b与介质窗200相对，因此第一通孔120b位于介质窗200的正上方的位置，第一通孔120b与介质窗200各分度圆之间的距离相差不大，因此控温气体能够从介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的上电极组件，设置于所述半导体工艺设备的工艺腔室上，所述上电极组件(100)包括外壳(110)，所述工艺腔室的介质窗(200)位于所述外壳(110)的底部，其特征在于，所述上电极组件还包括均流件(120)；所述均流件(120)设置于所述外壳(110)的内腔中，所述均流件(120)位于所述介质窗(200)的上方，所述均流件(120)中开设有进气腔(120a)，所述进气腔(120a)与控温气体的供气源相连通，所述进气腔(120a)用于通入所述控温气体，所述均流件(120)开设有与所述进气腔(120a)相连通的多个第一通孔(120b)，所述第一通孔(120b)与所述介质窗(200)相对设置，所述进气腔(120a)与所述内腔通过多个所述第一通孔(120b)相连通。2.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件(100)还包括射频线圈(140)，所述射频线圈(140)位于所述内腔中，且固定于所述均流件(120)上，所述射频线圈(140)位于所述均流件(120)的下方。3.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，在沿所述外壳(110)的高度方向上，所述进气腔(120a)的中心轴线与所述介质窗(200)的中心轴线相重合，所述多个第一通孔(120b)沿所述进气腔(120a)的中心轴线对称分布。4.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述均流件(120)包括第一板体(121)和第二板体(122)，所述第一板体(121)开设有凹槽，所述第二板体(122)封盖所述凹槽的槽口，所述凹槽与所述第二板体(122)围成所述进气腔(120a)，多个所述第一通孔(120b)贯穿所述凹槽的槽底。5.根据权利要求4所述的上电极组件，其特征在于，所述凹槽的槽口边缘开设有环绕所述凹槽的环形凹部，所述环形凹部与所述凹槽相连通，所述第二板体(122)的部分位于所述环形凹部内。6.根据权利要求5所述的上电极组...

【专利技术属性】
技术研发人员：白玉蕾，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：