一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构，包括端盖、金属外壳、基座和金属底板，所述基座底端开设有用于安装金属底板的卡槽，所述基座内部设有安装腔，所述金属底板上端面居中处固定连接有芯片本体，所述金属底板上端面固定扣合有金属外壳，所述芯片本体位于金属外壳内，所述芯片本体与金属外壳之间设有电磁屏蔽层，所述金属底板下端面固定连接有介电层，所述介电层底端固定连接有多个等距设置的金属凸块，所述介电层与基座之间设有金属连接片，所述金属连接片一端与金属底板固定连接，所述金属外壳、芯片本体均位于安装腔内。能够实现电磁隔离的目的，提升了封装的可靠性，有利于产品质量的提升。有利于产品质量的提升。有利于产品质量的提升。

【技术实现步骤摘要】
一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构


[0001]本技术涉及芯片
，特别涉及一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构。

技术介绍

[0002]随着半导体集成工艺技术的快速发展，越来越多的射频组件功能逐渐向芯片级一次集成下沉，通过单一射频裸芯片集成实现传统射频组件的多种电路功能，即实现射频功能片上的系统化。在此基础上，通过多种裸芯片二次封装工艺，将一颗或多颗SOC裸芯片进行二次集成封装，实现诸如多芯片堆叠互联、结构支撑保护、对外高低频接口实现等功能，构成具有独立物理轮廓和高低频接口的标准化封装体，以此实现功能更全、集成密度更高的射频系统微小型和器件化应用。但是现有技术中的二次封装工艺，无法实现电磁隔离的目的。
[0003]为此，我们提出一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采取的技术方案为：
[0006]一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构，包括端盖、金属外壳、基座和金属底板，所述基座底端开设有用于安装金属底板的卡槽，所述基座内部设有安装腔，所述金属底板上端面居中处固定连接有芯片本体，所述金属底板上端面固定扣合有金属外壳，所述芯片本体位于金属外壳内，所述芯片本体与金属外壳之间设有电磁屏蔽层，所述金属底板下端面固定连接有介电层，所述介电层底端固定连接有多个等距设置的金属凸块。/>[0007]进一步地，所述介电层与基座之间设有金属连接片，所述金属连接片一端与金属底板固定连接。
[0008]进一步地，所述金属外壳、芯片本体均位于安装腔内。
[0009]进一步地，所述基座顶端固定连接有端盖，所述端盖底端固定胶粘有密封垫，使端盖与金属外壳之间能够紧密连接。
[0010]进一步地，所述密封垫远离端盖一侧与金属外壳顶端接触，所述密封垫位于安装腔内。
[0011]进一步地，所述介电层内设有金属连接柱，所述金属连接柱顶端与金属底板连接，所述金属连接柱底端与金属凸块连接，金属连接柱等距设有多个。
[0012]与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：通过金属外壳和金属底板的设计，使芯片本体能够完全密封封装，具有密封性好的优点，结合金属屏蔽层的使用，实现了芯片本体的共形电磁隔离，通过金属连接柱、金属凸块和金属连接片的设计，实现了金属底板的导电连续性，提高了芯片本体的使用性能。
附图说明
[0013]图1为本技术一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构的结构示意图。
[0014]图2为本技术一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构的立体图。
[0015]图3为本技术一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构的端盖立体图。
[0016]图中：1、端盖；2、密封垫；3、金属外壳；4、电磁屏蔽层；5、安装腔；6、基座；7、金属底板；8、芯片本体；9、金属连接柱；10、金属凸块；11、金属连接片；12、卡槽；13、介电层。
具体实施方式
[0017]为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。
[0018]如图1
‑
3所示，一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构，包括端盖1、金属外壳3、基座6和金属底板7，所述基座6底端开设有用于安装金属底板7的卡槽12，所述基座6内部设有安装腔5，所述金属底板7上端面居中处固定连接有芯片本体8，所述金属底板7上端面固定扣合有金属外壳3，所述芯片本体8位于金属外壳3内，所述芯片本体8与金属外壳3之间设有电磁屏蔽层4，所述金属底板7下端面固定连接有介电层13，所述介电层13底端固定连接有多个等距设置的金属凸块10。
[0019]其中，所述介电层13与基座6之间设有金属连接片11，所述金属连接片11一端与金属底板7固定连接。
[0020]其中，所述金属外壳3、芯片本体8均位于安装腔5内。
[0021]其中，所述基座6顶端固定连接有端盖1，所述端盖1底端固定胶粘有密封垫2，使端盖1与金属外壳3之间能够紧密连接。
[0022]其中，所述密封垫2远离端盖1一侧与金属外壳3顶端接触，所述密封垫2位于安装腔5内。
[0023]其中，所述介电层13内设有金属连接柱9，所述金属连接柱9顶端与金属底板7连接，所述金属连接柱9底端与金属凸块10连接，金属连接柱9等距设有多个。
[0024]需要说明的是，本技术为一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构，金属底板7从下而上扣合在基座6的底端，金属底板7上端面居中处固定连接有芯片本体8，金属底板7上端面固定扣合有金属外壳3，芯片本体8位于金属外壳3内，芯片本体8与金属外壳3之间设有电磁屏蔽层4，金属底板7下端面固定连接有介电层13，介电层13底端固定连接有多个等距设置的金属凸块10，端盖1从上而下扣合在基座6上，端盖1底端固定胶粘有密封垫2，使端盖1与金属外壳3之间能够紧密连接。
[0025]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构，包括端盖(1)、金属外壳(3)、基座(6)和金属底板(7)，其特征在于，所述基座(6)底端开设有用于安装金属底板(7)的卡槽(12)，所述基座(6)内部设有安装腔(5)，所述金属底板(7)上端面居中处固定连接有芯片本体(8)，所述金属底板(7)上端面固定扣合有金属外壳(3)，所述芯片本体(8)位于金属外壳(3)内，所述芯片本体(8)与金属外壳(3)之间设有电磁屏蔽层(4)，所述金属底板(7)下端面固定连接有介电层(13)，所述介电层(13)底端固定连接有多个等距设置的金属凸块(10)。2.根据权利要求1所述的一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构，其特征在于：所述介电层(13)与基座(6)之间设有金属连接片(11)，所述金属连接片(11)一端与金属底板(7)固...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔令东，
申请(专利权)人：上海挺跃信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：