一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃及其生产制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃及其生产制备方法，高透电磁屏蔽镀膜玻璃包括玻璃基体，所述玻璃基体的上表面设置光学镀层A，所述玻璃基体的下表面设置屏蔽层，所述屏蔽层下部设置光学镀层B，所述光学镀层A包括二氧化硅层A、五氧化二铌层，所述二氧化硅层A设置于五氧化二铌层上部；高透电磁屏蔽镀膜玻璃的生产制备方法，包括如下步骤：基片清洗、基片运输、抽真空、基片加热、溅镀、缓冲退火、卸片、包装；有效解决电子系统与电子设备间的电磁干扰，防止电磁信息泄漏，防护电磁辐射污染；有效保障仪器设备正常工作，保障机密信息的安全，保障工作人员身体健康；并且整体透光性能好，提高可见光波段透射率，提升整体显示效果。提升整体显示效果。提升整体显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃及其生产制备方法


[0001]本专利技术属于电磁屏蔽玻璃
，特别是一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃及其生产制备方法。

技术介绍

[0002]电磁屏蔽,就是用导电导磁材料制成的屏蔽体（Shield）将电磁波限定在一定的范围内，使电磁波从屏蔽体的一面耦合或辐射到另一面时受到抑制或衰减。 电磁屏蔽薄膜主要是靠具有导电性能的材料（Ag，ITO氧化铟锡等）制成的薄膜，可以镀在玻璃上，或是在其它的基板上，如塑料薄膜上，材料主要性能指标是：透光率，和屏蔽效能。
[0003]随着计算机在国防、军事、经济、商业等各个领域的广泛应用和普及，计算机系统与设备间抗电磁干扰、信息泄漏现象逐渐加剧，直接危及电子设备的正常运行和国家情报的保密性。电磁屏蔽是防信息泄漏和电磁干扰的一种有效手段。
[0004]玻璃是无机非金属材料，本身不能屏蔽电磁波。通过表面镀透明导电膜，赋予玻璃金属的特性，当电磁波经过时，被有效的衰减，实现对电磁波的屏蔽。膜层可以是导体，也可以是半导体，通过对膜层材料的选择和厚度的控制可以调整电磁波屏蔽的波长范围和衰减效果。
[0005]镀膜电磁屏蔽玻璃以ITO透明导电膜为主，膜层牢固，透光性能好。电磁屏蔽性能优良，ITO面电阻需尽可能低，但整体透光性能会受影响，显示效果将变差。为了解决这一问题，在ITO膜层上镀制增透膜，提高可见光波段透过率，提升整体显示效果。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃，可以有效解决电子系统与电子设备间的电磁干扰，防止电磁信息泄漏，防护电磁辐射污染；有效保障仪器设备正常工作，保障机密信息的安全，同时还能提高可见光波段透过率，提升整体显示效果，具有极高的使用价值。
[0007]本专利技术的目的是这样实现的：一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃，包括玻璃基体，所述玻璃基体的上表面设置光学镀层A，所述玻璃基体的下表面设置屏蔽层，所述屏蔽层下部设置光学镀层B，所述光学镀层A包括二氧化硅层A、五氧化二铌层，所述二氧化硅层A设置于五氧化二铌层上部。
[0008]所述屏蔽层为ITO导电玻璃。
[0009]所述光学镀层B为二氧化硅层B，或氟化镁层。
[0010]所述二氧化硅层A的厚度设置为105
‑
125nm。
[0011]所述五氧化二铌层的厚度设置为12
‑
18nm。
[0012]所述屏蔽层的ITO导电玻璃厚度设置为295
‑
305nm。
[0013]所述光学镀层B的厚度设置为88
‑
92nm。
[0014]一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃的生产制备方法，包括如下步骤：
a.基片清洗：将玻璃基体用去离子水进行清洗，并进行烘干处理，除去玻璃基体表面的吸附水；b.基片运输：将清洗后的玻璃基体放到输送架上，输送到连续磁控溅射镀膜设备的设备腔中；c.抽真空：先将镀膜室的真空度调至10
‑5Pa；d.基片加热：将玻璃基体预热至280℃左右；e.溅镀：将预热后的玻璃基体送入镀膜室，通过磁控溅射依次镀制光学镀层A、屏蔽层、光学镀层B；其中，镀制光学镀层A时，先镀制五氧化二铌层，再镀制其上部的二氧化硅层A；f.缓冲退火：膜层镀制好后，将镀膜玻璃送入缓冲室，在缓冲室缓冲退火5分钟，然后产品流出磁控溅射镀膜机；g.卸片、包装：从磁控溅射镀膜机上取下制成的高透电磁屏蔽镀膜玻璃，经过外观检测、性能检测合格后，进行包装。
[0015]在溅镀过程中，镀制光学镀层A和光学镀层B时，镀膜室的温度控制在280℃左右，氩气流量控制在200sccm，氧气流量控制在20sccm。
[0016]在溅镀过程中，屏蔽层时，镀膜室的温度控制在390℃左右，氩气流量控制在280sccm，不充氧气。
[0017]本专利技术产生的有益效果是：本专利技术在玻璃基体的下部镀制一层ITO导电玻璃层作为屏蔽层，ITO导电玻璃层作为屏蔽层材料，折射率范围为1.9～2.0，可作为高折材料；屏蔽层下部的光学镀层B，折射率范围为1.42
‑
1.46，作为低折材料，采用此种结构可实现玻璃下表面透射光的最大化。玻璃上表面也镀制光学镀层A，提升可见光波段透光效果；通过提升屏蔽玻璃的透光性能，即可提升面板整体显示效果。
附图说明
[0018]图1为本专利技术的结构示意图。
[0019]图2为透射光谱示意图。
[0020]图中：1、玻璃基体
ꢀꢀ
2、光学镀层A
ꢀꢀ
3、屏蔽层
ꢀꢀ
4、光学镀层B
ꢀꢀ
5、二氧化硅层A
ꢀꢀ
6、五氧化二铌层
ꢀꢀ
7、没有光学镀层A和光学镀层B的透射光谱曲线
ꢀꢀ
8、有光学镀层A和光学镀层B时的透射光谱曲线；图2中：横轴表示波长，单位为nm；纵轴表示透射率。
具体实施方式
[0021]下面结合附图对本专利技术的实施例进一步的说明。
[0022]实施例1如附图1
‑
2所示，一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃，包括玻璃基体1，所述玻璃基体1的上表面设置光学镀层A2，所述玻璃基体1的下表面设置屏蔽层3，所述屏蔽层3下部设置光学镀层B4，所述光学镀层A2包括二氧化硅层A5、五氧化二铌层6，所述二氧化硅层A5设置于五氧化二铌层6上部。
[0023]所述屏蔽层3为ITO导电玻璃。
[0024]所述二氧化硅层A5的厚度设置为110nm。
[0025]所述五氧化二铌层6的厚度设置为15nm。
[0026]所述屏蔽层3的ITO导电玻璃厚度设置为300nm。
[0027]所述光学镀层B为二氧化硅层B，所述光学镀层B4的厚度设置为90nm。
[0028]一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃的生产制备方法，包括如下步骤：a.基片清洗：将玻璃基体用去离子水进行清洗，并进行烘干处理，除去玻璃基体表面的吸附水；b.基片运输：将清洗后的玻璃基体放到输送架上，输送到连续磁控溅射镀膜设备的设备腔中；c.抽真空：先将镀膜室的真空度调至10
‑5Pa；d.基片加热：将玻璃基体预热至280℃左右；e.溅镀：将预热后的玻璃基体送入镀膜室，通过磁控溅射依次镀制光学镀层A、屏蔽层、光学镀层B；其中，镀制光学镀层A时，先镀制五氧化二铌层，再镀制其上部的二氧化硅层A；f.缓冲退火：膜层镀制好后，将镀膜玻璃送入缓冲室，在缓冲室缓冲退火5分钟，然后产品流出磁控溅射镀膜机；g.卸片、包装：从磁控溅射镀膜机上取下制成的高透电磁屏蔽镀膜玻璃，经过外观检测、性能检测合格后，进行包装。
[0029]在溅镀过程中，镀制光学镀层A和光学镀层B时，镀膜室的温度控制在280℃左右，氩气流量控制在200sccm，氧气流量控制在20sccm。
[0030]在溅镀过程中，屏蔽层时，镀膜室的温度控制在390℃左右，氩气流量控制在280sccm，不充氧气。
[0031]本专利技术在使用时：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃，包括玻璃基体，所述玻璃基体的上表面设置光学镀层A，所述玻璃基体的下表面设置屏蔽层，所述屏蔽层下部设置光学镀层B，其特征在于：所述光学镀层A包括二氧化硅层A、五氧化二铌层，所述二氧化硅层A设置于五氧化二铌层上部。2.根据权利要求1所述的一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃，其特征在于：所述屏蔽层为ITO导电玻璃。3.根据权利要求1所述的一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃，其特征在于：所述光学镀层B为二氧化硅层B，或氟化镁层。4.根据权利要求1所述的一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃，其特征在于：所述二氧化硅层A的厚度设置为105
‑
125nm。5.根据权利要求1所述的一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃，其特征在于：所述五氧化二铌层的厚度设置为12
‑
18nm。6.根据权利要求3所述的一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃，其特征在于：所述屏蔽层的ITO导电玻璃厚度设置为295
‑
305nm。7.根据权利要求3所述的一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃，其特征在于：所述光学镀层B的厚度设置为88
‑
92nm。8.根据权利要求1
‑
7任一所述的一种高透电磁屏蔽镀膜玻璃的生产制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡凡，江涛，轩吉超，
申请(专利权)人：河南康耀电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：