本实用新型专利技术涉及一种移动式高频感应单晶炉,包括单晶炉本体,所述单晶炉本体顶部中心处固定连接有单晶炉副室,所述单晶炉本体前侧设有观察框,所述单晶炉本体外围固定连接有支架,所述支架底部固定连接有底板,所述底板底部固定连接有托板,所述托板底部固定连接有阻尼减震座,所述阻尼减震座呈矩形排列分布,所述阻尼减震座底部固定连接有U型缓冲槽,所述托板两侧与U型缓冲槽内壁滑动连接,所述U型缓冲槽外壁固定连接有牵引环,本实用新型专利技术结构新颖,设计合理,便于对单晶炉本体进行稳定移动,通过设置密封套与套筒可避免坩埚拖杆在升降过程中泄漏单晶炉本体内部的热能,提高了坩埚本体的温度稳定性,便于对单晶硅进行顺利生产。产。产。
【技术实现步骤摘要】
一种移动式高频感应单晶炉
[0001]本技术涉及一种单晶炉,具体为一种移动式高频感应单晶炉,属于单晶炉
技术介绍
[0002]单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备,单晶炉是由提拉头、副室、炉盖、炉筒、底座机架、电源以及电控柜等组合而成。现有的单晶炉多为固定式结构,不便于进行移动,且现有的单晶炉在使用时,坩埚拖杆会带动坩埚本体在单晶炉本体内部进行升降,在升降过程中,坩埚拖杆与单晶炉本体接触部位易产生孔隙,导致热能外泄,影响单晶炉本体内部的温度稳定性,影响单晶硅的生产质量。
技术实现思路
[0003]本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种移动式高频感应单晶炉,便于对单晶炉本体进行稳定移动,通过设置密封套与套筒可避免坩埚拖杆在升降过程中泄漏单晶炉本体内部的热能,提高了坩埚本体的温度稳定性,便于对单晶硅进行顺利生产。
[0004]本技术通过以下技术方案来实现上述目的,一种移动式高频感应单晶炉,包括单晶炉本体,所述单晶炉本体顶部中心处固定连接有单晶炉副室,所述单晶炉本体前侧设有观察框,所述单晶炉本体外围固定连接有支架,所述支架底部固定连接有底板,所述底板底部固定连接有托板,所述托板底部固定连接有阻尼减震座,所述阻尼减震座呈矩形排列分布,所述阻尼减震座底部固定连接有U型缓冲槽,所述托板两侧与U型缓冲槽内壁滑动连接,所述U型缓冲槽外壁固定连接有牵引环。
[0005]优选的,所述U型缓冲槽底部四角处固定连接有轴架,轴架转动连接有万向轮。
[0006]优选的,所述万向轮之间设有微型油缸,所述微型油缸顶部与U型缓冲槽底部固定连接,所述微型油缸底部固定连接有垫板。
[0007]优选的,所述支架内壁固定连接有升降框,所述升降框顶部固定连接有伺服电机,所述伺服电机输出端固定连接有丝杆,所述丝杆外围螺纹连接有螺纹套,所述螺纹套一侧与升降框内壁滑动连接,所述螺纹套另一侧通过连接杆固定连接有坩埚拖杆,所述坩埚拖杆外表面涂覆有隔热膜。
[0008]优选的,所述坩埚拖杆末端位于单晶炉本体内部,所述坩埚拖杆末端固定连接有坩埚本体,所述坩埚本体两侧设有加热棒,所述加热棒底部固定连接有石墨电极,所述加热棒一侧设有保温壁,所述保温壁与单晶炉本体内壁固定连接。
[0009]优选的,所述单晶炉本体内部设有套筒,所述套筒位于单晶炉本体中心线处,所述套筒轴心处与坩埚拖杆固定连接,所述单晶炉本体底部中心处固定连接有密封套,所述密封套轴心处与坩埚拖杆固定连接。
[0010]本技术的有益效果是:
[0011]本技术通过在U型缓冲槽底部四角处设置万向轮便于单晶炉本体进行移动,U型缓冲槽与托板之间设置的阻尼减震座可避免单晶炉本体在移动过程中发生晃动,导致单晶炉本体内部零件受损,通过设置伺服电机可带动丝杆进行转动,丝杆转动后可带动螺纹套进行移动,从而使坩埚拖杆可进行升降运动,通过在坩埚拖杆表面涂覆隔热膜可避免单晶炉本体内部的热能通过坩埚拖杆传递至单晶炉本体外部,通过设置密封套与套筒可避免坩埚拖杆在升降过程中与单晶炉本体之间产生间隙,导致单晶炉本体内部的热能泄漏,密封套与套筒配合使用提高了坩埚本体的温度稳定性,便于对单晶硅进行顺利生产。
附图说明
[0012]图1是本技术的整体结构示意图。
[0013]图2是本技术的单晶炉本体内部结构示意图。
[0014]图3是本技术的密封套与套筒结构示意图。
[0015]图中标号:1、单晶炉本体;2、单晶炉副室;3、阻尼减震座;4、U型缓冲槽;5、万向轮;6、微型油缸;7、升降框;8、伺服电机;9、丝杆;10、螺纹套;11、坩埚拖杆;12、加热棒;13、石墨电极;14、套筒;15、密封套。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0017]请参阅图1
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3所示,一种移动式高频感应单晶炉,包括单晶炉本体1,所述单晶炉本体1顶部中心处固定连接有单晶炉副室2,所述单晶炉本体1前侧设有观察框,所述单晶炉本体1外围固定连接有支架,所述支架底部固定连接有底板,所述底板底部固定连接有托板,所述托板底部固定连接有阻尼减震座3,所述阻尼减震座3呈矩形排列分布,所述阻尼减震座3底部固定连接有U型缓冲槽4,所述托板两侧与U型缓冲槽4内壁滑动连接,所述U型缓冲槽4外壁固定连接有牵引环。
[0018]作为本技术的一种优选技术方案,所述U型缓冲槽4底部四角处固定连接有轴架,轴架转动连接有万向轮5,通过在U型缓冲槽4底部四角处设置万向轮5便于单晶炉本体1进行移动,U型缓冲槽4与托板之间设置的阻尼减震座3可避免单晶炉本体1在移动过程中发生晃动,导致单晶炉本体1内部零件受损。
[0019]作为本技术的一种优选技术方案,所述万向轮5之间设有微型油缸6,所述微型油缸6顶部与U型缓冲槽4底部固定连接,所述微型油缸6底部固定连接有垫板,通过设置微型油缸6与垫板可在提高单晶炉本体1的安装平稳性,避免单晶炉本体1在使用过程中发生晃动,影响运行效率。
[0020]作为本技术的一种优选技术方案,所述支架内壁固定连接有升降框7,所述升降框7顶部固定连接有伺服电机8,所述伺服电机8输出端固定连接有丝杆9,所述丝杆9外围螺纹连接有螺纹套10,所述螺纹套10一侧与升降框7内壁滑动连接,所述螺纹套10另一侧通过连接杆固定连接有坩埚拖杆11,所述坩埚拖杆11外表面涂覆有隔热膜,通过在坩埚拖杆
11表面涂覆隔热膜可避免单晶炉本体1内部的热能通过坩埚拖杆11传递至单晶炉本体1外部。
[0021]作为本技术的一种优选技术方案,所述坩埚拖杆11末端位于单晶炉本体1内部,所述坩埚拖杆11末端固定连接有坩埚本体,所述坩埚本体两侧设有加热棒12,所述加热棒12底部固定连接有石墨电极13,所述加热棒12一侧设有保温壁,所述保温壁与单晶炉本体1内壁固定连接,通过设置保温壁可提高单晶炉本体1内部的温度稳定性。
[0022]作为本技术的一种优选技术方案,所述单晶炉本体1内部设有套筒14,所述套筒14位于单晶炉本体1中心线处,所述套筒14轴心处与坩埚拖杆11固定连接,所述单晶炉本体1底部中心处固定连接有密封套15,所述密封套15轴心处与坩埚拖杆11固定连接,通过设置密封套15与套筒14可避免坩埚拖杆11在升降过程中与单晶炉本体1之间产生间隙,导致单晶炉本体1内部的热能泄漏,密封套15与套筒14配合使用提高了坩埚本体的温度稳定性,便于对单晶硅进行顺利生产。
[0023]本技术在使用时,通过在U型缓冲槽4底部四角处设置万向轮5便于单晶炉本体1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种移动式高频感应单晶炉,包括单晶炉本体(1),其特征在于:所述单晶炉本体(1)顶部中心处固定连接有单晶炉副室(2),所述单晶炉本体(1)前侧设有观察框,所述单晶炉本体(1)外围固定连接有支架,所述支架底部固定连接有底板,所述底板底部固定连接有托板,所述托板底部固定连接有阻尼减震座(3),所述阻尼减震座(3)呈矩形排列分布,所述阻尼减震座(3)底部固定连接有U型缓冲槽(4),所述托板两侧与U型缓冲槽(4)内壁滑动连接,所述U型缓冲槽(4)外壁固定连接有牵引环。2.根据权利要求1所述的一种移动式高频感应单晶炉,其特征在于:所述U型缓冲槽(4)底部四角处固定连接有轴架,轴架转动连接有万向轮(5)。3.根据权利要求2所述的一种移动式高频感应单晶炉,其特征在于:所述万向轮(5)之间设有微型油缸(6),所述微型油缸(6)顶部与U型缓冲槽(4)底部固定连接,所述微型油缸(6)底部固定连接有垫板。4.根据权利要求1所述的一种移动式高频感应单晶炉,其特征在于:所述支架内壁固定连接有升降框(7),所述升降框(7)...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙世刚,李学洋,
申请(专利权)人:蔻晶上海科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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