一种化学气相沉积系统技术方案

本实用新型专利技术实施例提供一种化学气相沉积系统。本实用新型专利技术实施例所述的化学气相沉积系统包括依次连通的蒸发室、裂解室、沉积室、冷阱以及抽真空装置，并在蒸发室中设置压力检测装置和第一温度检测装置，通过获取并控制蒸发室的压力和温度来控制沉积压力，能够实现控制沉积压力的即时性。积压力的即时性。积压力的即时性。

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积系统


[0001]本技术涉及化工
，具体涉及一种化学气相沉积系统。

技术介绍

[0002]聚对二甲苯(Parylene)薄膜的化学性能稳定，有优良的机、电、热和生物相容性，对气体有良好的阻挡作用，同时是一种能防潮、防霉、防酸碱、耐辐射的高品质防护涂层。聚对二甲苯薄膜涂层的优良特性，使其在许多高科技领域具有广阔的应用前景。然而在沉积聚对二甲苯薄膜沉积过程中的沉积压力不稳定，且获取到的沉积压力的数值具有滞后性，导致聚对二甲苯薄膜的厚度以及薄膜的性能难以控制。因此，提供一种能够准确检测并控制沉积压力的化学气相沉积系统非常必要。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术提供了一种化学气相沉积系统，以即时检测并控制化学气相沉积系统的沉积压力。
[0004]本技术实施例提供一种化学气相沉积系统，所述化学气相沉积系统包括：
[0005]蒸发室，用于加热原料；
[0006]压力检测装置，与所述蒸发室连通，用于检测所述蒸发室的压力；
[0007]第一温度检测装置，设置在所述蒸发室中，用于检测所述蒸发室内的温度；
[0008]控温装置，用于控制所述蒸发室内的温度；
[0009]裂解室，与所述蒸发室连通，用于发生裂解反应；
[0010]沉积室，与所述裂解室连通；
[0011]冷阱，与所述沉积室连通；以及
[0012]抽真空装置，与所述冷阱连通，用于控制所述沉积室的真空度。
[0013]优选地，所述第一温度检测装置为热电偶温度计。
[0014]优选地，所述压力检测装置为真空压力传感器。
[0015]优选地，所述化学气相沉积系统还包括：
[0016]加热装置，设置在所述压力检测装置外侧。
[0017]优选地，所述加热装置包括电阻丝或电阻带。
[0018]优选地，所述化学气相沉积系统还包括：
[0019]第二温度检测装置，设置在所述沉积室中，用于检测所述沉积室内的温度。
[0020]优选地，所述蒸发室和所述裂解室通过管道连通；所述裂解室和所述沉积室通过管道连通。
[0021]本技术实施例提供一种化学气相沉积系统。本技术实施例所述的化学气相沉积系统包括依次连通的蒸发室、裂解室、沉积室、冷阱以及抽真空装置，并在蒸发室中设置压力检测装置和第一温度检测装置，通过获取并控制蒸发室的压力和温度来控制沉积压力，能够实现控制沉积压力的即时性。
附图说明
[0022]通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
[0023]图1是对比例的化学气相沉积系统的示意图；
[0024]图2是化学气相沉积形成聚对二甲苯薄膜的流程图；
[0025]图3是本技术实施例的化学气相沉积设备的剖面示意图；
[0026]图4是聚对二甲苯裂解和聚合反应化学方程式的示意图；
[0027]图5是化学气相沉积设备中气体的分布示意图。
[0028]附图标记说明：
[0029]10a
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蒸发室、20a
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裂解室、30a
‑
沉积室、40a
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冷阱；50a
‑
抽真空装置；10
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蒸发室；11
‑
压力检测装置；12
‑
第一温度检测装置；20
‑
裂解室、30
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沉积室、40
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冷阱；50
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抽真空装置；70
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管道；80
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加热装置；90
‑
第二温度检测装置。
具体实施方式
[0030]以下基于实施例对本技术进行描述，但是本技术并不仅仅限于这些实施例。在下文对本技术的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本技术。为了避免混淆本技术的实质，公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。
[0031]此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。
[0032]除非上下文明确要求，否则在本申请中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义；也就是说，是“包括但不限于”的含义。
[0033]在本技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0034]除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0035]当一元件或层被提及为在另一元件或层“上”、“被接合到”、“被连接到”或“被联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、被直接接合、连接或联接到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相比之下，当一元件被提及为“直接”在另一元件或层“上”、“直接被接合到”、“直接被连接到”或“直接被联接到”另一元件或层时，可不存在中间元件或层。用于描述元件之间关系的其它词语应该以相似方式被解释。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多关联的所列项目中的任一或全部组合。
[0036]为易于说明，诸如“内”、“外”、“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等等的空间相关术语在此被用于描述图中例示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，空间相关术语可意欲包含设备在使用或操作中的除图中描绘的方位之外的不同的方
位。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件于是将被定位为在该其它元件或特征“上方”。因而，示例术语“下方”能包含上方和下方的方位二者。设备可以以其它方式被定向，并且在此使用的空间相关描述词应该被相应地解释。
[0037]化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相沉积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III
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V、II
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IV、IV
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积系统，其特征在于，所述化学气相沉积系统包括：蒸发室(10)，用于加热原料；压力检测装置(11)，与所述蒸发室(10)连通，用于检测所述蒸发室(10)的压力；第一温度检测装置(12)，设置在所述蒸发室(10)中，用于检测所述蒸发室(10)内的温度；控温装置，用于控制所述蒸发室(10)内的温度；裂解室(20)，与所述蒸发室(10)连通，用于发生裂解反应；沉积室(30)，与所述裂解室(20)连通；冷阱(40)，与所述沉积室(30)连通；以及抽真空装置(50)，与所述冷阱(40)连通，用于控制所述沉积室(30)的真空度。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述第一温度检测装置(12)为热电偶温度计。3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建飞，何思进，盛兆亚，吴兴华，
申请(专利权)人：昆山联滔电子有限公司，
类型：新型
国别省市：