沉积装置制造方法及图纸

本申请涉及沉积装置。沉积装置包括腔室、支承构件、接地构件和第一固定构件。腔室包括下部分和侧壁。支承构件位于由腔室的下部分和侧壁限定的空间中，并且包括侧表面。接地构件设置在支承构件与腔室的下部分之间。第一固定构件包括第一本体和第一阻挡部。第一本体位于接地构件的第一端部分之下，并且包括侧表面。第一阻挡部位于第一本体的侧表面和支承构件的侧表面上，并且沿着支承构件的侧表面延伸。第一阻挡部将接地构件的第一端部分屏蔽成不可见。可见。可见。

【技术实现步骤摘要】
沉积装置


[0001]本专利技术涉及沉积装置(即，沉积设备)，更具体地涉及包括接地构件的沉积装置。

技术介绍

[0002]平板显示装置由于其轻重量和薄特性而用作用于代替阴极射线管显示装置的显示装置。作为这类平板显示装置的代表性示例有液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。
[0003]在形成包括在这种显示装置中的组件的方法中，可以通过使用等离子体增强化学气相沉积工艺来形成硅基绝缘层、硅基半导体层等。例如，在扩散器和衬托器之间形成电场之后，沉积材料可以穿过形成在分配构件中的贯穿开口，使得沉积材料可以沉积在衬底上。电压(例如，RF电压)可以施加到扩散器以形成电场，并且可以通过使用接地带将衬托器与腔室接地。
[0004]在这种等离子体增强化学气相沉积工艺中，在执行将沉积材料沉积在衬底上的工艺之后，可以执行去除残留在腔室中的副产物(例如，硅)的清洁工艺。然而，在清洁工艺期间，在清洁工艺中使用的气体可能腐蚀接地带，并且被腐蚀的接地带可能损坏或断裂。

技术实现思路

[0005]一些实施方式提供包括接地构件的沉积装置。
[0006]根据一些实施方式，沉积装置包括腔室、支承构件、接地构件和第一固定构件。腔室包括下部分和侧壁。支承构件位于由腔室的下部分和侧壁限定的空间中，并且包括第一侧表面。接地构件设置在支承构件与腔室的下部分之间。第一固定构件包括第一本体和第一阻挡部。第一本体位于接地构件的第一端部分之下，并且包括第一侧表面。第一阻挡部位于第一本体的第一侧表面和支承构件的第一侧表面上，并且沿着支承构件的第一侧表面延伸。第一阻挡部将接地构件的第一端部分屏蔽成不可见。
[0007]在实施方式中，沉积装置还可以包括第一固定销，第一固定销穿过第一固定构件的第一本体和接地构件的第一端部分，以将第一固定构件的第一本体和接地构件的第一端部分固定到支承构件的与支承构件的第一侧表面相邻的底表面。
[0008]在实施方式中，第一固定构件的第一本体还可以包括具有平坦顶表面部分和曲化表面部分的上表面，第一本体的平坦顶表面部分和曲化表面部分与支承构件的底表面相邻。第一固定销穿过第一固定构件的第一本体的平坦顶表面部分。
[0009]在实施方式中，接地构件的第一端部分可以接触第一固定构件的第一本体的上表面，并且第一阻挡部可以延伸超过第一本体的上表面，以与支承构件的底表面和第一本体的曲化表面部分限定与支承构件的外部屏蔽开的空间。
[0010]在实施方式中，沉积装置还可以包括第二固定构件，第二固定构件包括第二本体，第二本体包括第一侧表面并且位于接地构件的与第一端部分相对的第二端部分上，并且第二固定构件可以与腔室的下部分相邻。
[0011]在实施方式中，沉积装置还可以包括第二固定销，第二固定销穿过第二固定构件的第二本体和接地构件的第二端部分，以将第二固定构件的第二本体和接地构件的第二端部分固定到腔室的下部分。
[0012]在实施方式中，第二固定构件的第二本体还可以包括具有平坦底表面部分和曲化表面部分的下表面，平坦底表面部分和曲化表面部分与腔室的下部分相邻。
[0013]在实施方式中，第二固定构件可以位于第一固定构件之下，并且具有第一固定构件的倒置形状。
[0014]在实施方式中，接地构件可以在支承构件与腔室的下部分之间具有曲化形状，并且可以沿着第一固定构件的曲化表面部分和第二固定构件的曲化表面部分延伸。
[0015]在实施方式中，沉积装置还可以包括穿过腔室的下部分的提升构件，并且提升构件可以接触支承构件的底表面。
[0016]在实施方式中，接地构件的形状可以配置成，响应于提升构件在从腔室的下部分到支承构件的方向上或在从支承构件到腔室的下部分的方向上的移动而改变。
[0017]在实施方式中，第二固定构件还可以包括位于第二本体的第一侧表面上的第二阻挡部。第二阻挡部可以在平行于支承构件的第一侧表面的方向上延伸，以将接地构件的第二端部分屏蔽成不可见。
[0018]在实施方式中，接地构件的第二端部分可以接触第二固定构件，并且第二阻挡部可以配置成将腔室的下部分与第二本体的曲化表面部分之间的空间屏蔽成不可见。
[0019]在实施方式中，支承构件与腔室可以通过接地构件彼此电连接。
[0020]在实施方式中，腔室还可以包括形成在下部分中的贯穿开口。
[0021]在实施方式中，沉积装置还可以包括连接到形成在腔室的下部分中的贯穿开口的吸入构件，并且吸入构件可以配置成吸入位于腔室内的材料。
[0022]在实施方式中，沉积装置还可以包括覆盖构件、存储构件和分配构件。覆盖构件可以设置在腔室上，并且可以包括贯穿开口。存储构件可以连接到覆盖构件的贯穿开口。分配构件可以设置在贯穿开口之下，并且可以包括多个开口。
[0023]在实施方式中，覆盖构件与分配构件可以彼此电连接。
[0024]在实施方式中，覆盖构件可以与腔室电绝缘。
[0025]在实施方式中，存储在存储构件中的沉积材料可以穿过分配构件的开口，以沉积在位于支承构件上的衬底上。
[0026]根据本专利技术的实施方式的沉积装置，第一固定构件可以包括第一阻挡部和第一本体。当吸入构件通过形成在腔室的下部分中的贯穿开口吸入清洁气体时，位于分配构件与支承构件之间的清洁气体可以经过支承构件的顶表面，并且沿着支承构件的侧壁在从支承构件到腔室的下部分的方向上移动。在这种情况下，第一固定构件的第一阻挡部可以屏蔽接地构件的具有相对弱化的刚性的一部分，使得清洁气体可以不接触接地构件的所述一部分，并且清洁气体可以经过第一固定构件的第一阻挡部的外围表面，以通过贯穿开口被吸入到吸入构件中。因此，接地构件的所述一部分可以不被清洁气体腐蚀，并且即使在执行清洁工艺时，接地构件也可以不损坏。换句话说，可以防止由清洁工艺引起的沉积装置的缺陷。
[0027]此外，由于根据本专利技术的实施方式的沉积装置包括一体地形成在支承构件的侧表
面上的第一阻挡部，所以清洁气体可以与接地构件的所述一部分完全屏蔽开。
[0028]此外，第一固定构件可以包括第一阻挡部和第一本体，且第二固定构件可以包括第二阻挡部和第二本体。因此，接地构件的第一端部分和第二端部分中的每一个可不被清洁气体腐蚀。
附图说明
[0029]从以下结合附图的描述中可以更详细地理解实施方式。
[0030]图1是示出根据本专利技术的实施方式的沉积装置的剖视图。
[0031]图2是示出根据本专利技术的实施方式的图1的沉积装置的另一截面的剖视图。
[0032]图3是用于描述根据本专利技术的实施方式的包括在图1的沉积装置中的第一固定构件和第二固定构件以及接地构件的立体图。
[0033]图4是示出根据本专利技术的实施方式的图1的
‘
A
’
区域的剖视图。
[0034]图5A和图5B是用于描述根据本专利技术的实施方式的图4中所示的第一固定构件和第二固定构件的立体图。
[0035]图6是示出根据本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.沉积装置，包括：腔室，包括下部分和侧壁；支承构件，位于由所述腔室的所述下部分和所述腔室的所述侧壁限定的空间中，并且包括第一侧表面；接地构件，设置在所述支承构件与所述腔室的所述下部分之间；以及第一固定构件，包括：第一本体，位于所述接地构件的第一端部分之下，并且包括第一侧表面，以及第一阻挡部，位于所述第一本体的所述第一侧表面和所述支承构件的所述第一侧表面上，其中，所述第一阻挡部沿着所述支承构件的所述第一侧表面延伸，并且将所述接地构件的所述第一端部分屏蔽成不可见。2.根据权利要求1所述的沉积装置，还包括：第一固定销，穿过所述第一固定构件的所述第一本体和所述接地构件的所述第一端部分，以将所述第一固定构件的所述第一本体和所述接地构件的所述第一端部分固定到所述支承构件的与所述支承构件的所述第一侧表面相邻的底表面。3.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，所述第一固定构件的所述第一本体还包括具有平坦顶表面部分和曲化表面部分的上表面，所述第一本体的所述平坦顶表面部分和所述曲化表面部分与所述支承构件的所述底表面相邻，其中，所述第一固定销穿过所述第一固定构件的所述第一本体的所述平坦顶表面部分。4.根据权利要求3所述的沉积装置，其中，所述接地构件的所述第一端部分接触所述第一固定构件的所述第一本体的所述上表面，以及其中，所述第一阻挡部延伸超出所述第一本体的所述上表面，以与所述支承构件的所述底表面和所述第一本体的所述曲化表面部分限定与所述支承构件的外部屏蔽开的空间。5.根据权利要求3所述的沉积装置，还包括：第二固定构件，包括第二本体，其中，所述第二本体包括第一侧表面，以及其中，所述第二本体位于所述接地构件的与所述第一端部分相对的第二端部分上，并且与所述腔室的所述下部分相邻。6.根据权利要求5所述的沉积装置，还包括：第二固定销，穿过所述第二固定构件的所述第二本体和所述接地构件的所述第二端部分，以将所述第二固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：车永植，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：