光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板技术

本申请实施例公开了一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板，通过对负性光阻层的第一曝光区域进行第一次曝光处理；对负性光阻层的第二曝光区域进行第二次曝光处理，第二曝光区域至少具有设于第一曝光区域的一侧且与第一曝光区域连接的部分，第一次曝光处理的曝光量大于第二次曝光处理的曝光量；对负性光阻层进行显影处理，去除未进行光反应的负性光阻层；对剩余的负性光阻层进行加热固化处理，得到底切结构。本申请通过对负性光阻层进行两次曝光处理和一次显影处理，即可制得底切结构，有效简化了底切结构的制作工艺，从而提高了生产效率。从而提高了生产效率。从而提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板。

技术介绍

[0002]自主发光的有机发光二极管显示器(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)具有响应速度快、对比度高、视角广等优点，并且容易实现柔性显示，因而被普遍应用。OLED显示器极有可能成为下一代显示技术的主流产品。OLED显示面板结构包括透明阳极层，发光层和金属阴极层。为了增大顶发射的透过率，金属阴极的厚度较薄，造成方阻较大，电流压降(IR drop)严重，导致显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了OLED显示装置的显示效果。为改善面板显示亮度的不均匀性，可以架设辅助电极层，与较薄的金属阴极相连。由于辅助电极层的电阻较小，电流压降减小，通电时，使面板的阴极的阻抗和电流压降得到减小，亮度均匀性得到一定的改善。
[0003]对于如何实现辅助电极层和金属阴极搭接，通常采用在阴极和辅助电极层之间设置底切结构，底切结构通常需要通过两道黄光制程(曝光和显影)制得，制作工艺复杂，降低生产效率。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板，可以解决底切结构的制作工艺复杂和生产效率低的技术问题。
[0005]本申请实施例提供一种光阻层的加工方法，包括：
[0006]步骤B1、形成负性光阻层；
[0007]步骤B2、对所述负性光阻层的第一曝光区域进行第一次曝光处理；
[0008]步骤B3、对所述负性光阻层的第二曝光区域进行第二次曝光处理，所述第二曝光区域至少具有设于所述第一曝光区域的一侧且与所述第一曝光区域连接的部分，所述第一次曝光处理的曝光量大于所述第二次曝光处理的曝光量；
[0009]步骤B4、对所述负性光阻层进行显影处理，去除未进行光反应的所述负性光阻层；
[0010]步骤B5、对剩余的所述负性光阻层进行加热固化处理，得到底切结构。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一曝光区域设于所述第二曝光区域内，所述第二曝光区域的面积大于所述第一曝光区域的面积。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一曝光区域和所述第二曝光区域部分重叠。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二曝光区域设于所述第一曝光区域的侧面，且所述第二曝光区域与所述第一曝光区域连接。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一次曝光处理的曝光时间大于所述第二次曝光处理的曝光时间。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤B2中，还对所述负性光阻层的第三曝光区域进行第一次曝光处理，所述第一曝光区域和所述第三曝光区域间隔设置，所述第二曝光区域和所述第三曝光区域间隔设置；
[0016]在所述步骤B5中，所述负性光阻层对应所述第一曝光区域和所述第二曝光区域的部分形成所述底切结构，所述负性光阻层对应所述第三曝光区域的部分形成凸台结构。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述底切结构具有负坡度角，所述凸台结构具有正坡度角。
[0018]本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括：
[0019]步骤B10、在基板上形成第一像素定义层，所述第一像素定义层为负性光阻层，所述基板设有间隔设置的辅助电极和第一电极，所述第一像素定义层设有堤坝区域、开口区域、过孔区域以及第一底切区域，所述堤坝区域围合形成所述开口区域，所述堤坝区域和所述第一底切区域围合形成所述过孔区域，所述过孔区域对应所述辅助电极设置，所述开口区域对应所述第一电极设置；
[0020]步骤B20、对所述第一像素定义层的所述堤坝区域和所述第一底切区域进行第一次曝光处理；
[0021]步骤B30、对所述第一像素定义层的第二底切区域进行第二次曝光处理，所述第二底切区域的一侧延伸至所述第一底切区域，所述第二底切区域的另一侧连接于所述过孔区域，所述第一次曝光处理的曝光量大于所述第二次曝光处理的曝光量；
[0022]步骤B40、对所述第一像素定义层进行显影处理，去除所述开口区域和所述过孔区域的所述第一像素定义层，形成露出所述第一电极的像素开口以及露出所述辅助电极的搭接过孔；
[0023]步骤B50、对剩余的所述第一像素定义层进行加热固化处理，对应所述第一底切区域和所述第二底切区域的所述第一像素定义层形成底切结构，对应所述堤坝区域的所述第一像素定义层形成堤坝，所述堤坝围合形成用于露出所述第一电极的像素开口，所述堤坝和所述底切结构围合形成用于露出所述辅助电极的搭接过孔；
[0024]步骤B60、在所述第一电极上形成发光层；
[0025]步骤B70、在所述发光层上形成第二电极，所述第二电极延伸至所述搭接过孔内并与所述辅助电极连接。
[0026]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一底切区域设于所述第二底切区域内，所述第二底切区域的面积大于所述第一底切区域的面积。
[0027]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一底切区域和所述第二底切区域部分重叠。
[0028]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二底切区域设于所述第一底切区域的一侧，且所述第二底切区域与所述第一底切区域连接。
[0029]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一次曝光处理的曝光时间大于所述第二次曝光处理的曝光时间。
[0030]可选的，在本申请的一些实施例中，所述底切结构具有负坡度角，所述堤坝具有正坡度角。
[0031]可选的，在本申请的一些实施例中，所述基板还包括衬底以及设于所述衬底上的
驱动电路层，所述辅助电极和所述第一电极设于所述驱动电路层，所述第一电极电性连接于所述驱动电路层。
[0032]可选的，在本申请的一些实施例中，所述基板还包括设于所述辅助电极和所述第一电极上的第二像素定义层，所述第一像素定义层设于所述第二像素定义层上，所述第二像素定义层设有用于露出所述辅助电极的第一通孔和用于露出所述第一电极的第二通孔。
[0033]本申请实施例还提供一种显示面板，包括：
[0034]衬底；
[0035]驱动电路层，设于所述衬底上；
[0036]辅助电极，设于所述驱动电路层上；
[0037]第一电极，设于所述驱动电路层上且与所述辅助电极间隔设置；
[0038]堤坝，设于所述驱动电路层上，所述堤坝的材料为负性光阻，所述堤坝具有正坡度角，所述堤坝围合形成像素开口，所述像素开口露出所述第一电极；
[0039]底切结构，设于所述驱动电路层上，所述底切结构的材料为负性光阻，所述底切结构具有负坡度角，所述底切结构和所述堤坝围合形成搭接过孔，所述搭接过孔露出所述辅助电极；
[0040]发光层，设于所述第一电极上；以及
[0041]第二电极，设于所述发光层上，所述第二电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光阻层的加工方法，其特征在于，包括：步骤B1、形成负性光阻层；步骤B2、对所述负性光阻层的第一曝光区域进行第一次曝光处理；步骤B3、对所述负性光阻层的第二曝光区域进行第二次曝光处理，所述第二曝光区域至少具有设于所述第一曝光区域的一侧且与所述第一曝光区域连接的部分，所述第一次曝光处理的曝光量大于所述第二次曝光处理的曝光量；步骤B4、对所述负性光阻层进行显影处理，去除未进行光反应的所述负性光阻层；步骤B5、对剩余的所述负性光阻层进行加热固化处理，得到底切结构。2.如权利要求1所述的光阻层的加工方法，其特征在于，所述第一曝光区域设于所述第二曝光区域内，所述第二曝光区域的面积大于所述第一曝光区域的面积。3.如权利要求1所述的光阻层的加工方法，其特征在于，所述第一曝光区域和所述第二曝光区域部分重叠。4.如权利要求1所述的光阻层的加工方法，其特征在于，所述第二曝光区域设于所述第一曝光区域的侧面，且所述第二曝光区域与所述第一曝光区域连接。5.如权利要求1所述的光阻层的加工方法，其特征在于，所述第一次曝光处理的曝光时间大于所述第二次曝光处理的曝光时间。6.如权利要求1～5任一项所述的光阻层的加工方法，其特征在于，在所述步骤B2中，还对所述负性光阻层的第三曝光区域进行第一次曝光处理，所述第一曝光区域和所述第三曝光区域间隔设置，所述第二曝光区域和所述第三曝光区域间隔设置；在所述步骤B5中，所述负性光阻层对应所述第一曝光区域和所述第二曝光区域的部分形成所述底切结构，所述负性光阻层对应所述第三曝光区域的部分形成凸台结构。7.如权利要求6所述的光阻层的加工方法，其特征在于，所述底切结构具有负坡度角，所述凸台结构具有正坡度角。8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：步骤B10、在基板上形成第一像素定义层，所述第一像素定义层为负性光阻层，所述基板设有间隔设置的辅助电极和第一电极，所述第一像素定义层设有堤坝区域、开口区域、过孔区域以及第一底切区域，所述堤坝区域围合形成所述开口区域，所述堤坝区域和所述第一底切区域围合形成所述过孔区域，所述过孔区域对应所述辅助电极设置，所述开口区域对应所述第一电极设置；步骤B20、对所述第一像素定义层的所述堤坝区域和所述第一底切区域进行第一次曝光处理；步骤B30、对所述第一像素定义层的第二底切区域进行第二次曝光处理，所述第二底切区域的一侧延伸至所述第一底切区域，所述第二底切区域的另一侧连接于所述过孔区域，所述第一次曝光处理的曝光量大于所述第二次曝光处理的曝光量；步骤B40、对所述第一像素定义层进行显影处理，去除所述开口区...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建荣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：