利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统技术方案

本发明专利技术属于半导体制造技术领域，具体涉及一种利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统，其中利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法包括：判断多晶硅控制栅偏移的方向；以及获取多晶硅控制栅偏移的距离，实现了多晶硅控制栅偏移的精确测量，以便于通过光学补偿增加偏移修补量，以抵消由于对准偏差所以引起的版图偏移，防止因版图偏移导致产品存在质量问题。防止因版图偏移导致产品存在质量问题。防止因版图偏移导致产品存在质量问题。

【技术实现步骤摘要】
利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统


[0001]本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统。

技术介绍

[0002]阱邻近效应(WPE,Well Proximity Effect),在IC制造过程中，在阱离子注入期间，高能掺杂离子在阱光刻胶边缘散射，并且在形成栅极之前，散射离子被注入MOSFET沟道(如图1所示)。阱掺杂的横向不均匀性导致MOSFET阈值电压和其他电气特性随晶体管到阱边(SC)的距离而变化,这种现象通常被称为阱邻近效应(WPE)。如图2所示，随着晶体管到阱边(SC)的距离减小，进入沟道的散射离子数量增加，因此Vt将增加，Ids将减少。
[0003]版图产生偏移可能是由于对准偏差引起的。对准偏差可能来源于掩模变形或比例不正常、晶圆本身的变形、光刻机投影透镜系统的失真、晶圆工件台移动的不均匀等。版图的偏移会导致产品的质量存在问题。
[0004]因此，基于上述技术问题需要设计一种新的利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种验证Poly版图偏移的方法，包括：
[0007]判断多晶硅控制栅偏移的方向；以及
[0008]获取多晶硅控制栅偏移的距离。
[0009]进一步，所述判断多晶硅控制栅偏移的方向的方法为：判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向。
[0010]进一步，所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向中，多晶硅控制栅包括四个相同的晶体管：T1、T2、T3和T4；
[0011]其中晶体管T1与晶体管T3在一直线上，晶体管T2与晶体管T4在另一直线上，并且晶体管T1和晶体管T3所在的直线与晶体管T2和晶体管T4所在的直线垂直；以及
[0012]四个晶体管中心对称；
[0013]各晶体管均设置有对应的有源区。
[0014]进一步，所述判断多晶硅控制栅偏移的方向时，有源区宽度W与晶体管宽度L的比为1：1。
[0015]进一步，所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法包括：
[0016]当T1的电流大于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时，晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31小于晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T1向T3的方向偏移，并且晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31＝sc310‑
DL1，晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11＝sc110+DL1；
[0017]当T1的电流小于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时，晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31大于晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T3向T1的方向偏移，并且晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31＝sc310+DL1，晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11＝sc110‑
DL1；
[0018]其中，sc310为标准版图中晶体管T3与对应阱边之间的距离；sc110为标准版图中晶体管T1与对应阱边之间的距离；DL1为多晶硅控制栅相对于有源区在T3与T1所在直线上偏移的距离。
[0019]进一步，所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法还包括：
[0020]当T2的电流大于T4的电流且T1的电流等于T3的电流时，晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41小于晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T2向T4的方向偏移，并且晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41为sc41＝sc410‑
DL2，晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21为sc21＝sc210+DL2；
[0021]当T2的电流小于T4的电流且T1的电流等于T3的电流时，晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41大于晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T4向T2的方向偏移，并且晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41为sc41＝sc410+DL2，晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21为sc21＝sc210‑
DL2；
[0022]其中，sc410为标准版图中晶体管T4与对应阱边之间的距离；sc210为标准版图中晶体管T2与对应阱边之间的距离；DL2为多晶硅控制栅相对于有源区在T2与T4所在直线上偏移的距离。
[0023]进一步，所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法还包括：
[0024]当T1的电流大于T3的电流且T2的电流大于T4的电流时，多晶硅控制栅相对于有源区沿T1向T3的方向偏移并且多晶硅控制栅相对于有源区沿T2向T4的方向偏移；
[0025]当T1的电流大于T3的电流且T2的电流小于T4的电流时，多晶硅控制栅相对于有源区沿T1向T3的方向偏移并且多晶硅控制栅相对于有源区沿T4向T2的方向偏移；
[0026]当T1的电流小于T3的电流时且T2的电流大于T4的电流时，多晶硅控制栅相对于有源区沿T3向T1的方向偏移并且多晶硅控制栅相对于有源区沿T2向T4的方向偏移；
[0027]当T1的电流小于T3的电流时且T2的电流小于T4的电流时，多晶硅控制栅相对于有源区沿T3向T1的方向偏移并且多晶硅控制栅相对于有源区沿T4向T2的方向偏移。
[0028]进一步，所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法还包括：
[0029]当T1的电流等于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时，多晶硅控制栅相对于有源区无偏移，此时晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31＝sc310，晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11＝sc110，晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21为sc21＝sc210，晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc41为sc41＝sc410。
[0030]进一步，所述获取多晶硅控制栅偏移的距离的方法包括：
[0031]根据BSIM4获取阈值电压偏移与阱距曲线；
[0032]根据T1的电流获取T1的电压V1，根据T2的电流获取T2的电压V2，根据T3的电流获取T3的电压V3，根据T4的电流获取T4的电压V4；
[0033]根据阈值电压偏移与阱距曲线和各晶体管的电压，获取各晶体管对应的横坐标x1、x2、x3和x4；
[0034]多晶硅控制栅相对于有源区在T3与T1所在直线上偏移的距离为：
[0035][0036]多晶硅控制栅相对于有源区在T2与T4所在直线上偏移的距离为：
[0037][0038]其中，x1为曲线中电压V1对应的横坐标；x2为曲线中电压V2对应的横坐标；x3为曲线中电压V3对应的横坐标；x4为曲线中电压V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，包括：判断多晶硅控制栅偏移的方向；以及获取多晶硅控制栅偏移的距离。2.如权利要求1所述的验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，所述判断多晶硅控制栅偏移的方向的方法为：判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向。3.如权利要求2所述的验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向中，多晶硅控制栅包括四个相同的晶体管：T1、T2、T3和T4；其中晶体管T1与晶体管T3在一直线上，晶体管T2与晶体管T4在另一直线上，并且晶体管T1和晶体管T3所在的直线与晶体管T2和晶体管T4所在的直线垂直；以及四个晶体管中心对称；各晶体管均设置有对应的有源区。4.如权利要求3所述的验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，所述判断多晶硅控制栅偏移的方向时，有源区宽度W与晶体管宽度L的比为1：1。5.如权利要求4所述的验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法包括：当T1的电流大于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时，晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31小于晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T1向T3的方向偏移，并且晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31＝sc310‑
DL1，晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11＝sc110+DL1；当T1的电流小于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时，晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31大于晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T3向T1的方向偏移，并且晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31＝sc310+DL1，晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11＝sc110‑
DL1；其中，sc310为标准版图中晶体管T3与对应阱边之间的距离；sc110为标准版图中晶体管T1与对应阱边之间的距离；DL1为多晶硅控制栅相对于有源区在T3与T1所在直线上偏移的距离。6.如权利要求5所述的验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法还包括：当T2的电流大于T4的电流且T1的电流等于T3的电流时，晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41小于晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T2向T4的方向偏移，并且晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41为sc41＝sc410‑
DL2，晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21为sc21＝sc210+DL2；当T2的电流小于T4的电流且T1的电流等于T3的电流时，晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41大于晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T4向T2的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤茂亮，张昊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：