显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供了显示面板及其制作方法，显示面板包括：包括间绝缘层和位于间绝缘层上的源漏极层的阵列基板层、位于间绝缘层上的辅助层、位于辅助层上的辅助电极、位于源漏极层上的发光层和自发光层上延伸至辅助电极上的阴极层，辅助电极的组成材料包括导电材料，阴极层电性连接于所述辅助电极；其中，本发明专利技术通过设置辅助层叠加辅助电极的结构，以垫高辅助电极以便于辅助电极和阴极层的电性连接，相对于底切结构更加稳定，提高了大尺寸OLED显示面板的量产的良率。的量产的良率。的量产的良率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及显示面板及其制作方法。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光半导体)显示面板是通过载流子的注入和复合而致发光，具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高等优点。
[0003]目前，对于大尺寸OLED显示面板而言，面积较大且厚度较小的阴极导致的压降问题，使得OLED显示面板的中心区域和边缘区域的亮度差异较大，现有的辅助电极的为在基板侧制作底切结构以使辅助电极与阴极搭接来改善亮度差异；然而，底切结构需要兼顾上下结构的稳定性、基板的均匀性等因素，降低了大尺寸OLED显示面板的量产的良率。
[0004]因此，现有的大尺寸OLED显示面板的底切结构会造成产品量产的良率较低的问题，急需改进。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供显示面板及其制作方法，以解决现有因制作底切结构以使辅助电极与阴极搭接而造成的大尺寸OLED显示面板的量产的良率较低的技术问题。
[0006]本专利技术实施例提供显示面板，包括：
[0007]阵列基板层，包括间绝缘层和位于所述间绝缘层上的源漏极层；
[0008]辅助层，位于所述间绝缘层上；
[0009]辅助电极，位于所述辅助层上，所述辅助电极的组成材料包括导电材料；
[0010]发光层，位于所述源漏极层上；
[0011]阴极层，自所述发光层上延伸至所述辅助电极上，以电性连接于所述辅助电极。
[0012]在一实施例中，所述显示面板还包括：
[0013]能级匹配层，位于所述发光层和所述阴极层之间，所述能级匹配层自所述发光层上向所述辅助电极延伸，所述能级匹配层的厚度小于所述阴极层的厚度；
[0014]其中，所述辅助层的侧边和底部之间的夹角为75
°
至90
°
。
[0015]在一实施例中，所述显示面板还包括：
[0016]钝化层，自所述源漏极层延伸至所述间绝缘层上，所述钝化层形成有第一开口，所述辅助层位于所述第一开口内，所述辅助层的厚度不小于所述钝化层的厚度。
[0017]在一实施例中，所述辅助电极的组成材料和所述源漏极层的组成材料相同。
[0018]在一实施例中，所述显示面板包括：
[0019]第一金属层，包括位于所述间绝缘层上的第一金属部和第二金属部；
[0020]第二金属层，包括位于所述第一金属部上的第三金属部和位于所述第二金属部上的第四金属部，所述第二金属层的组成材料包括铜；
[0021]第三金属层，包括位于所述第三金属部上的第五金属部和位于所述第四金属部上
的第六金属部，所述第三金属层的组成材料包括钼钛合金；
[0022]其中，所述第一金属部、所述第三金属部和所述第五金属部构成所述源漏极层，所述第二金属部、所述第四金属部和所述第六金属部构成所述辅助电极。
[0023]在一实施例中，所述显示面板还包括位于所述钝化层上的平坦层、位于所述平坦层上的像素定义层；
[0024]其中，所述平坦层形成有第二开口，所述第二开口和所述第一开口相对设置，所述辅助层还位于所述第二开口内，所述辅助层的厚度不小于所述钝化层的厚度和所述平坦层的厚度之和；或者
[0025]所述辅助层包括：
[0026]第一辅助层，与所述钝化层同层设置，所述第一辅助层的组成材料和所述钝化层的组成材料相同；和/或
[0027]第二辅助层，所述第二辅助层的组成材料和所述平坦层的组成材料相同；和/或
[0028]第三辅助层，所述第三辅助层的组成材料和所述像素定义层的组成材料相同。
[0029]在一实施例中，所述辅助层包括所述第一辅助层、所述第二辅助层中的至少一者，所述显示面板还包括：
[0030]阳极层，位于所述平坦层上，所述阳极层通过贯穿于所述平坦层的第一过孔电性连接至所述源漏极层，所述辅助电极的组成材料和所述阳极层的组成材料相同。
[0031]在一实施例中，所述辅助层包括所述第一辅助层和所述第二辅助层，所述第二辅助层位于所述第一辅助层上，所述辅助电极位于所述第二辅助层上。
[0032]在一实施例中，所述显示面板包括：
[0033]多个子像素，多个所述子像素阵列排布，每一所述子像素包括一所述发光层和对应的一所述阴极层；
[0034]其中，至少一相邻两所述子像素之间设有一所述辅助层和对应的所述辅助电极，所述辅助电极至少电性连接至对应的所述阴极层。
[0035]本专利技术实施例提供显示面板的制作方法，用于制作如上文其中一所述的显示面板，包括：
[0036]在间绝缘膜上形成辅助层；
[0037]处理所述间绝缘膜形成间绝缘层，在所述间绝缘层上形成源漏极层，以及在所述辅助层上形成辅助电极，所述辅助电极的组成材料包括导电材料；
[0038]在所述源漏极层上形成发光层；
[0039]在所述发光层和所述辅助电极上形成阴极层，所述阴极层自所述发光层上延伸至所述辅助电极上，以电性连接于所述辅助电极。
[0040]本专利技术提供了显示面板及其制作方法，所述显示面板包括：阵列基板层，包括间绝缘层和位于所述间绝缘层上的源漏极层；辅助层，位于所述间绝缘层上；辅助电极，位于所述辅助层上，所述辅助电极的组成材料包括导电材料；发光层，位于所述源漏极层上；阴极层，自所述发光层上延伸至所述辅助电极上，以电性连接于所述辅助电极。其中，本专利技术通过设置辅助层叠加辅助电极的结构以垫高辅助电极，以实现辅助电极和阴极层的电性连接，相对于底切结构更加稳定，即本专利技术在改善显示面板的中心区域和边缘区域的亮度差异较大的同时，还可以提高大尺寸OLED显示面板的量产的良率。
附图说明
[0041]下面通过附图来对本专利技术进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0042]图1为本专利技术实施例提供的第一种显示面板的截面示意图；
[0043]图2为本专利技术实施例提供的源漏极层的截面示意图和辅助电极的截面示意图；
[0044]图3为本专利技术实施例提供的第二种显示面板的截面示意图；
[0045]图4为本专利技术实施例提供的第三种显示面板的截面示意图；
[0046]图5为本专利技术实施例提供的第四种显示面板的截面示意图；
[0047]图6为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法的一场景示意图；
[0048]图7为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法的另一场景示意图。
具体实施方式
[0049]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板层，包括间绝缘层和位于所述间绝缘层上的源漏极层；辅助层，位于所述间绝缘层上；辅助电极，位于所述辅助层上，所述辅助电极的组成材料包括导电材料；发光层，位于所述源漏极层上；阴极层，自所述发光层上延伸至所述辅助电极上，以电性连接于所述辅助电极。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：能级匹配层，位于所述发光层和所述阴极层之间，所述能级匹配层自所述发光层上向所述辅助电极延伸，所述能级匹配层的厚度小于所述阴极层的厚度；其中，所述辅助层的侧边和底部之间的夹角为75
°
至90
°
。3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：钝化层，自所述源漏极层延伸至所述间绝缘层上，所述钝化层形成有第一开口，所述辅助层位于所述第一开口内，所述辅助层的厚度不小于所述钝化层的厚度。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极的组成材料和所述源漏极层的组成材料相同。5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：第一金属层，包括位于所述间绝缘层上的第一金属部和第二金属部；第二金属层，包括位于所述第一金属部上的第三金属部和位于所述第二金属部上的第四金属部，所述第二金属层的组成材料包括铜；第三金属层，包括位于所述第三金属部上的第五金属部和位于所述第四金属部上的第六金属部，所述第三金属层的组成材料包括钼钛合金或者钛单质；其中，所述第一金属部、所述第三金属部和所述第五金属部构成所述源漏极层，所述第二金属部、所述第四金属部和所述第六金属部构成所述辅助电极。6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述钝化层上的平坦层、位于所述平坦层上的像素定义...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐甲，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：