半导体装置制造方法及图纸

本公开涉及一种半导体装置。一种半导体装置包括：基板，该基板具有单元区域和芯片保护区域，芯片保护区域围绕单元区域；第一芯片保护件，该第一芯片保护件沿第一方向在芯片保护区域上延伸；第二芯片保护件，该第二芯片保护件沿第一方向在芯片保护区域上延伸，第二芯片保护件与第一芯片保护件间隔开；以及第三芯片保护件，该第三芯片保护件沿第二方向在芯片保护区域上延伸，第二方向与第一方向相交。第一芯片保护件包括第一端部，第二芯片保护件包括第二端部，并且第三芯片保护件包括设置在第一端部和第二端部之间的第三端部。端部和第二端部之间的第三端部。端部和第二端部之间的第三端部。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本公开总体上涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种三维半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体装置包括能够存储数据的存储器单元。三维半导体装置包括三维地布置的存储器单元，从而能够减小基板的由存储器单元占据的面积。
[0003]为了提高三维半导体装置的集成度，可以增加存储器单元的层叠数量。随着存储器单元的层叠数量的增加，三维半导体装置的操作可靠性可能变差。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个方面，设置一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，该基板具有单元区域和芯片保护区域，芯片保护区域围绕单元区域；第一芯片保护件，该第一芯片保护件沿第一方向在芯片保护区域上延伸；第二芯片保护件，该第二芯片保护件沿第一方向在芯片保护区域上延伸，第二芯片保护件与第一芯片保护件间隔开；以及第三芯片保护件，该第三芯片保护件沿第二方向在芯片保护区域上延伸，第二方向与第一方向相交，其中，第一芯片保护件包括第一端部，第二芯片保护件包括第二端部，并且第三芯片保护件包括设置在第一端部和第二端部之间的第三端部。
[0005]根据本公开的另一方面，设置一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，该基板具有单元区域和芯片保护区域，芯片保护区域围绕单元区域；第一芯片保护件，该第一芯片保护件沿第一方向在芯片保护区域上延伸；第二芯片保护件，该第二芯片保护件沿第一方向在芯片保护区域上延伸，第二芯片保护件与第一芯片保护件间隔开；以及第三芯片保护件，该第三芯片保护件沿第二方向在芯片保护区域上延伸，第二方向与第一方向相交，其中，第一芯片保护件包括沿第一方向延伸的第一长侧壁和沿第二方向延伸的第一短侧壁，第二芯片保护件包括沿第一方向延伸的第二长侧壁和沿第二方向延伸的第二短侧壁，并且第三芯片保护件包括沿第二方向延伸的第三长侧壁和沿第一方向延伸的第三短侧壁，并且其中，第一短侧壁面向第三长侧壁，并且第三短侧壁面向第二长侧壁。
[0006]根据本公开的又一方面，设置一种半导体装置，该半导体装置包括：连接结构，该连接结构具有连接导体和第一保护图案；半导体结构，该半导体结构具有层叠结构、穿透层叠结构的单元插塞和第二保护图案；以及保护焊盘，该保护焊盘通过设置在第一保护图案和第二保护图案之间来连接第一保护图案和第二保护图案，其中，第一保护图案和第二保护图案在第一方向上延伸，其中，各个保护焊盘在第一方向上彼此间隔开，并且其中，各个保护焊盘在第一方向上彼此间隔开的距离短于第一保护图案在第一方向上的长度和第二保护图案在第一方向上的长度。
附图说明
[0007]现在将在下文中参照附图更全面地描述示例性实施方式；但是它们可以以不同的
形式实施，并且不应当被解释为限于本文阐述的实施方式。相反，设置这些实施方式是为了使本公开将是彻底和完整的，并且将会向本领域技术人员充分传达示例性实施方式的范围。
[0008]在附图中，为了图示清楚，可能夸大尺寸。应当理解，当一个元件被称位于两个元件“之间”时，其可以是该两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。相同的附图标记始终表示相同的元件。
[0009]图1A是根据本公开的一个实施方式的半导体装置的平面图。
[0010]图1B是沿图1A所示的线A1
‑
A1
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截取的截面图。
[0011]图1C是沿图1A所示的线B
‑
B
’
截取的截面图。
[0012]图1D是图1A所示的区域C的放大图。
[0013]图2A和图3A是示出图1A至图1D所示的半导体装置的制造方法的平面图。
[0014]图2B是沿图2A所示的线A2
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A2
’
截取的截面图。
[0015]图3B是沿图3A所示的线A3
‑
A3
’
截取的截面图。
[0016]图4是示出图1A至图1D所示的半导体装置的制造方法的截面图。
[0017]图5是示出图1A至图1D所示的半导体装置的效果的视图。
[0018]图6是示出根据本公开的一个实施方式的存储器系统的配置的框图。
[0019]图7是示出根据本公开的一个实施方式的计算系统的配置的框图。
具体实施方式
[0020]本文公开的具体的结构描述或功能描述仅仅是例示性的以用于描述根据本公开的构思的实施方式的目的。根据本公开的构思的实施方式能够以各种形式来实现，并且不能被解释为限于本文阐述的实施方式。
[0021]实施方式提供一种半导体装置，其包括具有改善的环境可靠性(environmental reliability)的芯片保护区域结构(chip guard region structure)。
[0022]应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，一些实施方式中的第一元件可以在其它实施方式中被称为第二元件。
[0023]此外，应当理解，当一个元件被称为“连接”或“联接”到另一个元件时，其能够直接连接或联接到另一个元件，或者可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接联接”到另一个元件时，不存在中间元件。
[0024]图1A是根据本公开的一个实施方式的半导体装置的平面图。图1B是沿图1A所示的线A1
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A1
’
截取的截面图。图1C是沿图1A所示的线B
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B
’
截取的截面图。图1D是图1A所示的区域C的放大图。
[0025]参照图1A至图1C，半导体装置可以包括第一基板100。第一基板100可以具有沿着由第一方向D1和第二方向D2限定的平面扩展的板的形状。第一方向D1和第二方向D2可以彼此相交。在一个示例中，第一方向D1和第二方向D2可以彼此正交。第一基板100可以是半导体基板。在一个示例中，第一基板100可以是硅基板。
[0026]第一基板100可以包括单元区域CER和芯片保护区域CGR。单元区域CER和芯片保护
区域CGR可以是在二维视图中彼此分离的区域。芯片保护区域CGR可以围绕单元区域CER。
[0027]连接结构CNS可以设置在第一基板100上。连接结构CNS可以包括第一绝缘层110和连接导体CB。第一绝缘层110可以覆盖第一基板100。第一绝缘层110可以包括绝缘材料。在一个示例中，第一绝缘层110可以包括氧化物或氮化物。第一绝缘层110可以是具有多个绝缘层的多层。
[0028]连接导体CB可以设置在第一绝缘层110中。连接导体CB可以设置在单元区域CER上。连接导体CB可以包括第一接触部CT1和第一线路ML1。第一接触部CT1和第一线路ML1可以彼此连接。第一接触部CT1和第一线路ML1可以包括导电材料。
[0029]晶体管TR可以设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，所述基板具有单元区域和芯片保护区域，所述芯片保护区域围绕所述单元区域；第一芯片保护件，所述第一芯片保护件沿第一方向在所述芯片保护区域上延伸；第二芯片保护件，所述第二芯片保护件沿所述第一方向在所述芯片保护区域上延伸，所述第二芯片保护件与所述第一芯片保护件间隔开；以及第三芯片保护件，所述第三芯片保护件沿第二方向在所述芯片保护区域上延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，其中，所述第一芯片保护件包括第一端部，其中，所述第二芯片保护件包括第二端部，并且其中，所述第三芯片保护件包括设置在所述第一端部和所述第二端部之间的第三端部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括第四芯片保护件，所述第四芯片保护件沿所述第二方向在所述芯片保护区域上延伸，并且所述第四芯片保护件与所述第三芯片保护件间隔开。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第四芯片保护件包括第四端部，并且其中，所述第二端部设置在所述第三端部和所述第四端部之间。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三端部被设置成比所述第一端部更加远离所述单元区域，并且其中，所述第二端部被设置成比所述第三端部更加远离所述单元区域。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一芯片保护件包括沿所述第一方向延伸的第一长侧壁和沿所述第二方向从所述第一长侧壁延伸的第一短侧壁，并且其中，所述第一长侧壁的长度比所述第一短侧壁的长度更长。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二芯片保护件包括沿所述第一方向延伸的第二长侧壁和沿所述第二方向从所述第二长侧壁延伸的第二短侧壁，其中，所述第二长侧壁的长度比所述第二短侧壁的长度更长，并且其中，所述第二长侧壁被设置成比所述第一长侧壁更加远离所述单元区域，并且其中，所述第二短侧壁被设置成比所述第一短侧壁更加远离所述单元区域。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第三芯片保护件包括沿所述第二方向延伸的第三长侧壁和沿所述第一方向从所述第三长侧壁延伸的第三短侧壁，并且其中，所述第三长侧壁面向所述第一短侧壁。8.一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，所述基板具有单元区域和芯片保护区域，所述芯片保护区域围绕所述单元区域；第一芯片保护件，所述第一芯片保护件沿第一方向在所述芯片保护区域上延伸；第二芯片保护件，所述第二芯片保护件沿所述第一方向在所述芯片保护区域上延伸，所述第二芯片保护件与所述第一芯片保护件间隔开；以及第三芯片保护件，所述第三芯片保护件沿第二方向在所述芯片保护区域上延伸，所述第二方向与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：